SDD400
DC输入
光电达林顿
光电耦合器
描述
该SDD400由图片达林顿晶体管光耦合到发光二极管的。输入的LED之间的光耦合
和输出图片达林顿允许高隔离级别，同时保持低电平的直流信号的控制能力。该SDD400提供
控制多接口应用，如电信，工业控制和仪器仪表的光隔离的方法
电路。
特点
应用
高负载电压（ VCEO = 300V MIN ）
高电流传输比（ 600-9000 ％ ）
高输入到输出隔离封装（ 5000 Vrms的）
紧凑型4PIN DIP封装
家电
办公自动化设备
电信/数据通信
电源
传真/调制解调器
选项/ SUFFIXES *
绝对最大额定值*
参数
储存温度
工作温度
连续向前
当前
最大正向电流
反向电压
输出功率耗散
单位
°C
°C
mA
A
V
mW
民
-55
-40
典型值
最大
125
100
50
1
6
200
-H
-S
-TR
0.04" （ 10.16毫米）引线间距（ VDE0884 ）
表面贴装选项
磁带和卷轴选项
注意：上面列出的后缀不包括在标记上
设备部件号标识。
原理图
1
4
2
3
1.阳极
2.阴极
3.辐射源
4.收集
*显示的值是绝对的收视率的压力。的功能操作
设备未在这些或任何条件中超出所定义的隐含
本文档的电气特性部分。暴露在绝对
额定值可能会导致器件永久性损坏，可能不利
影响可靠性。
认证
UL和C - UL认证，文件号： E201932
VDE认证，许可＃ 40011227
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DC输入
光电达林顿
光电耦合器
电气特性 - 25℃
参数
输入特定网络阳离子
LED正向电压
峰值正向电压
反向电流
终端电容
V
V
A
pF
30
1.2
1.4
3.5
10
如果= 20mA下
IFM = 0.5A
Vr=4V
V = 0 ， F = 1kHz时
单位
民
典型值
最大
测试条件
输出规格
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极电压
暗电流
杂散电容
饱和电压（集电极 - 发射极）
电流传输比
上升时间
下降时间
V
V
A
pF
V
%
s
s
600
60
50
0.6
300
0.1
1
1
1.5
9000
300
250
IC = 10uA的
即=为10uA
VCE = 200V ，如果= 0
VCE = 0V ， F = 1.0MHz的
IF = 20mA时， IC = 5毫安
如果= 1mA时的Vce = 2V
IC = 20mA时，的Vce = 2V ， RL = 100欧姆
IC = 20mA时，的Vce = 2V ， RL = 100欧姆
再加规格
隔离电压
绝缘电阻
截止频率
V
G
的kH
5000
50
7
T = 1分钟
DC 500V
IC = 2毫安， VCC = 5V ， RL = 100欧姆
CTR分类
-A
-B
-C
-D
-E
%
%
%
%
%
600
1500
3000
5000
600
2000
4000
6000
9000
9000
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DC输入
光电达林顿
光电耦合器
性能数据
SDD400
响应时间与负载电阻
N = 100 ，环境温度= 25°C
SDD400
正向电流与环境温度
N = 100
响应上升时间（我们）
正向电流I
F
（MA ）
环境温度Ta （C ）
负载阻抗R
L
（千欧）
SDD400
电流传输比与正向电流
N = 100,
环境温度= 25°C
SDD400
相对电流传输比与环境温度
N = 100
正向电流I
F
（MA ）
相对电流传输比（ ％ ）
电流传输比CTR （ ％ ）
环境温度Ta （C ）
SDD400
集电极耗散功率与环境温度
N = 100
SDD400
正向电流与正向电压
N = 100,
环境温度= 25°C
集电极耗散功率PC（毫瓦）
环境温度Ta （C ）
正向电流I
F
（MA ）
正向电压V
F
(V)
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光电达林顿
光电耦合器
性能数据
SDD400
集电极 - 发射极饱和电压与正向电流
N = 100 ，环境温度= 25°C
SDD400
集电极电流与集电极 - 发射极电压
N = 100 ，环境温度= 25°C
集电极 - 发射极饱和电压Vce （ V）
集电极电流Ic （ mA）的
正向电流I
F
（MA ）
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
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集电极暗电流与环境温度
N = 100
集电极暗电流ICEO （ A）
环境温度Ta （C ）
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光电耦合器
机械尺寸
4针
双列直插封装
(SDD400)
4针
表面安装器件
(SDD400-S)
4针
H
键入与
0.4"铅
间距
(SDD400-H)
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