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STK822
N沟道25 V - 0.00175
- 38 A - 的PolarPAK
的STripFET 功率MOSFET
特点
TYPE
STK822
■
■
■
■
■
■
V
DSS
25 V
R
DS （ ON）
最大
<0.00215
R
DS （ ON）
*Q
g
58 NC *毫欧
P
合计
5.2 W
超低顶部和底部的结到外壳
热阻
非常低的导通电阻
100 ％通过Rg测试
完全封装模具
100 ％雾锡涂层（符合
2002/95 / EC欧盟指令）
的PolarPAK
是的注册商标
日前，Vishay
图1 。
内部原理图
的PolarPAK
应用
■
切换应用程序
描述
这是功率MOSFET的最新发展
意法半导体独有的“单一特征尺寸
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
电阻，而且双面冷却
包装与超低的结到外壳热
电阻允许处理更高级别的
电流。
表1中。
设备简介
订货编号
STK822
记号
K822
包
的PolarPAK
包装
磁带&卷轴
底部视图
顶视图
2008年2月
第5版
1/15
www.st.com
15
目录
STK822
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/15
STK822
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS （ 1 ）
V
GS(2)
I
D (4)
I
D (4)
I
DM （3）
P
TOT （4）
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
A
= 25 °C
漏电流（连续）在T
A
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
A
= 25 °C
降额因子
价值
25
± 16
± 18
38
23.75
152
5.2
0.0416
500
-55到150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
°C
E
的AS （5）
T
j
T
英镑
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
1.连续模式
2.为保证测试时间
≤
15毫秒
3.脉冲宽度有限的包
4.当安装在FR- 4板1英寸
2
， 2盎司铜，
≤
10秒
5.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 19 A，V
DD
= 25 V
表3中。
符号
R
thj-amb(1)
R
thj-c(2)
R
thj-c(3)
热数据
参数
热阻结大使
热阻结案件（上排）
热阻结案件（源）
典型值。
20
0.8
2.2
马克斯。
24
1
2.7
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1.当安装在FR-4基板的1英寸
2
， 2盎司铜，
≤
10秒
2.稳态
3.
测量源极引脚时，该设备安装在FR- 4电路板处于稳定状态
3/15
电气特性
STK822
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
= 20 V
V
DS
= 20 V ，TC = 125°C
V
GS
= ±16 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 19 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 19 A
1
分钟。
25
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
2.5
0.00175 0.00215
0.0022
0.003
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
gs1
Q
gs2
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
PRE V
th
栅极 - 源
收费
邮政V
th
栅极 - 源
收费
门输入电阻
测试条件
分钟。
典型值。
6060
1366
136
33
13.2
11.3
8
5.2
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
DD
= 12.5 V，I
D
= 38 A
V
GS
= 4.5 V
（参见图14）
V
DD
= 12.5 V，I
D
= 12 A
V
GS
= 4.5 V
（参见图19）
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
R
G
1.1
4/15
STK822
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 12.5 V，I
D
= 19 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
（参见图16）
V
DD
= 15 V，I
D
= 19 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 4.5 V
（参见图16）
分钟。
典型值。
30.7
60
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
43.5
13
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 19 A，V
GS
=0
I
SD
= 38 A， di / dt的= 100 A / μs的，
V
DD
= 20 V ， TJ = 150℃
（参见图15）
41
45
2.2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
38
152
1.2
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的包
2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/15
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