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.

半导体

STK730FC

先进的功率MOSFET

特点

雪崩坚固的技术。

低输入电容。

改进的栅极电荷。

低漏电流： 10微安（最大） @ V

DS

=400V.

订购信息

型号

STK730FC

记号

STK730

封装代码

TO-220F-3SL

外形尺寸

单位：

mm

引脚连接

1.门

2.漏

3.源

KST-H014-000

1

STK730FC

绝对最大额定值

特征

漏源电压

栅源电压

连续漏电流（ TC = 25 ℃ ）

连续漏电流（TC = 100 ℃ ）

漏电流脉冲

功率耗散（ TC = 25 ℃ ）

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

重复性雪崩能量

①

符号

V

DSS

V

GS

I

D

I

D

I

DM

P

D

②

①

①

E

AS

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

, T

英镑

T

L

等级

400

±30

5.5

*

3.5

*

22

38

0.3

346

5.5

7.3

4.0

-55~150

300

单位

V

V

A

A

A

W

W/℃

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

°C

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

最大的铅温度。焊锡

目的， 1/8“案件从5秒

*受最高结温

热阻

特征

结到外壳

外壳到散热器

结到环境

符号

R

θ

JC

R

θ

CS

R

θ

JA

典型值。

0.5

最大

3.31

单位

℃/W

62.5

KST-H014-000

2

STK730FC

电气特性

（TC = 25 ° C除非另有说明）

特征

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏极 - 源极漏电流

栅源漏

漏源导通电阻

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

④

④

符号

BV

DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

R

DS （ ON）

g

fs

西塞

科斯

CRSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

测试条件

I

D

= 250μA ，V

GS

=0

I

D

= 250μA ，V

DS

=5V

V

DS

=400V

V

DS

=0V, V

GS

=±30V

V

GS

= 10V ，我

D

=2.75A

V

DS

= 50V ，我

D

=2.75A

V

GS

=0V, V

DS

= 25V ， F = 1MHz的

分钟。

400

2.0

典型值。

马克斯。

4.0

10

±100

1.0

单位

V

V

A

nA

S

4.03

790

80

20

15

1000

100

26

40

50

140

60

42

pF

V

DD

=200V,I

D

=5.5A

R

G

=12

④⑤

18

62

22

ns

V

DS

=320V,V

GS

=10V,

I

D

=5.5A

④⑤

32

4.6

16.6

nC

源极 - 漏极二极管额定值和特性

特征

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

①

④

符号

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

测试条件

积分反向PN二极管

在MOSFET

T

J

=25℃, V

GS

= 0V时，我

S

=5.5A

T

J

=25℃,I

F

=5.5A

di

F

/dt=100A/us

民

典型值

最大

5.5

22

1.5

单位

A

V

ns

uC

259

④

1.81

注意;

①

重复评价：脉冲宽度由最大结温的限制

②

L = 20mH ，我

AS

= 5.5A ，V

DD

= 50V ，R

G

= 27Ω ，起始物为

J

=25℃

③

I

SD

≤

5.5A ，二/ dt≤ 140A / us的，V

DD

≤

BV

DSS

，起始物为

J

=25℃

④

脉冲测试：脉冲宽度= 250US ，职务cycle≤ 2 ％

⑤

基本上是独立工作温度

KST-H014-000

3

STK730FC

电气特性曲线

图。 1 I

D

- V

DS

V

T O服务号码：

的s

图。 2我

D

- V

GS

1 5 V

1 0 V

8 V

7 V

6 V

5 . 5 V

5 V

B ü TT M： 4 。 5 V

N}÷ T E ：

1 。 2 5 0美国P ü LS ê

TEST

2 . T

C

= 2 5

C

°

图。 3 R

DS （ ON）

- I

D

图。 4我

DR

- V

SD

图。 5电容 - V

DS

图。 6 V

GS

- Q

G

=

KST-H014-000

,

4

STK730FC

图。 7 BV

DSS

- T

J

图。 8 R

DS （ ON）

- T

J

C

C

图。 9安全工作区

图。 10

I

D

- T

C

图。 11热响应

C

*

Θ

C

KST-H014-000

5

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