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订购数量: ENA0796
SBT80-04GS
三洋半导体
数据表
SBT80-04GS
应用
肖特基势垒二极管(双床型
阴极公用)
40V , 8A整流器器
高频整流器阳离子(开关稳压器,转换器,菜刀)
特点
保证高达TJ = 150℃
反向恢复时间短
高可靠性由于高度可靠的平面结构
低正向电压( VF最大值= 0.55V )
低开关噪声
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压浪涌
平均输出电流
正向电流浪涌
结温
储存温度
符号
VRRM
VRSM
I
O
I
FSM
Tj
TSTG
50Hz的阻性负载,正弦波锝= 119℃
50Hz正弦波, 1个周期
条件
评级
40
44
8
80
--55到150
--55到150
单位
V
V
A
A
°C
°C
包装尺寸
单位:mm (典型值)
7530-002
10.2
2.7
3.6
4.5
1.3
6.3
产品&包装信息
: TO- 220 ( LS )
JEITA , JEDEC
: SC - 46 , TO- 220AB
最小包装数量: 100个/袋, 50支/杂志。
记号
电气连接
1
3
14.0
15.1
SBT
80-04
LOT号
(1.6)
1.2
14.0
2
0.4
0.8
1
2.55
2
3
2.55
1 :阳极
2 :阴极
3 :阳极
三洋: TO- 220 ( LS )
2.55
2.55
2.7
http://semicon.sanyo.com/en/network
63010SD TK IM TC- 00002376号A0796-1 / 3
SBT80-04GS
电气特性
在TA = 25℃
参数
反向电压
正向电压
反向电流
端间电容
热阻
符号
VR
VF
IR
C
RTH (J -C )
条件
IR = 1mA时, TJ = 25 ° C *
IF = 3.0A , TJ = 25 ° C *
VR = 20V , TJ = 25 ° C *
VR = 10V , TJ = 25 ° C *
结案例:平滑的直流
评级
40
0.55
0.1
160
4.6
典型值
最大
单位
V
V
mA
pF
C / W
注)
*
:每个元素的值
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0
IF - VF
由Max代表
100
7
5
IR - VR
最大
典型值
5
Tj=1
0
°
C
反向电流, IR - 毫安
正向电流IF - 一个
25
°
C
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
0
TJ ?
°
C
150
°
C
150
TY
25
°
1
p
TY
00
°
1
p
0.4
0.8
1.2
1.6
IT08506
10
20
30
40
50
IT08507
正向电压VF - V
平均远期功耗, PF ( AV ) - 含
7
6
180°
5
4
3
360°
平均反向功率耗散, PR ( AV ) - 含
PF ( AV ) - IO
反向电压VR - V
3.0
PR ( AV ) - VRM
正弦
WAVE
(4)
(2)
(1)
(3)
2.5
( 1 )矩形波
θ
=300
°
(2)的矩形波
θ
=240
°
(3)矩形波
θ
=180
°
( 4 )正弦波
θ
=180
°
矩形
WAVE
PR最大的TJ = 150
°
C
(1)
矩形
WAVE
θ
360°
2.0
(2)
VR
θ
360°
1.5
(3)
1.0
2
1
0
正弦
WAVE
VR
( 1 )矩形波
θ
=60
°
(2)的矩形波
θ
=120
°
(3)矩形波
θ
=180
°
( 4 )正弦波
θ
=180
°
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
(4)
0.5
180°
360°
0
0
10
20
30
40
50
IT08509
平均输出电流, IO - 一个
170
160
TC - IO
IT08508
1000
7
5
峰值反向电压, VRM - V
- VR
150
140
130
120
110
100
90
正弦
WAVE
180°
360°
端间电容,C - pF的
外壳温度,TC -
°C
( 1 )矩形波
θ
=60
°
(2)的矩形波
θ
=120
°
(3)矩形波
θ
=180
°
( 4 )正弦波
θ
=180
°
f=100kHz
3
2
矩形
WAVE
θ
360°
100
7
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
(1)
2
3
4
5
6
7
(2)
8
(4)
(3)
9
10
0
1
1.0
10
平均输出电流, IO - 一个
IT12854
反向电压VR - V
ID01008
第A0796-2 / 3
SBT80-04GS
电流波形50Hz正弦波
100
瞬态热阻,的Rth (J -C ) -
°C
/ W
120
IFSM - 吨
I
S
20ms
t
10
7
5
RTH (J -C ) - 吨
正向电流浪涌, IFSM (峰值) - 一个
80
3
2
60
40
1.0
7
5
3
0.001 2 3 5 7 0.01 2 3
20
0
7 0.01
2
3
5
7 0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
时间t - S
ID01009
时间t - S
5 7 10 2
IT12077
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有,关于产品
"standard application" ,意为用作一般电子设备(家电,影音设备,
通信设备,办公自动化设备,工业设备等)。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" (医疗设备,其目的是维持生命,
航空航天仪器,核控制设备,燃烧设备,交通运输设备,交通信号
系统,安全设备等)应要求可靠性非常高的水平,可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体,也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围,例如使用的应用程序
应用程序,请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的,我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能,特点和所描述的产品在独立的国家职能,并
不是性能,特点,以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态,不能在一个被评估
独立的设备,客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品,即使是瞬间,额定数值(例如最大额定值,工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数)
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品,然而,任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的,这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件,危及人的生命,麻烦,可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备,
采取安全措施,这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计,冗余设计误差防止电路,以及
结构设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制,这些产品可能需要
从有关根据上述法律,当局出口许可证。
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党的它,是由于使用的技术信息和产品的知识产权
上面提到的。
该目录规定的6月, 2010年说明和信息,在此受
更改,恕不另行通知。
PS第A0796-3 / 3
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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