STK25C48
2K ×8
自动存储
NVSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
非易失性存储，而电池问题
可直接替代2K ×8静态RAM ，电池 -
支持RAM或EEPROM
为20ns ， 25ns的，为35ns ，并为45nS访问时间
商店
到EEPROM发起的
自动存储
在掉电
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
循环到EEPROM
100年的数据保存在全部工业
温度范围
商业和工业温度
24引脚PDIP 600包
描述
该STK25C48是一个快速
SRAM
与非易失性
EEPROM
在每个静态存储器整合元件
细胞。该
SRAM
可以读取和写入无限
次数，而独立的非易失性数据
驻留在
EEPROM 。
从数据传输
SRAM
to
该
EEPROM
（该
商店
操作）可以进行自动
matically在断电时使用的电荷存储系统
电容。从转移
EEPROM
对
SRAM
（该
召回
操作），自动进行对水库
toration力量。所述的nvSRAM可以代替使用
现有的2K ×8
静态存储器
并且也匹配的引脚排列
2K ×8电池备份
的SRAM ， EPROM中
和
的EEPROM ，
可直接替换并增强其性能。
目前在读或写周期次数没有限制的
可以被执行，并且不支持电路所需的
微处理器接口。
框图
EEPROM阵列
32 x 512
行解码器
V
CC
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
A
6
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
商店
静态RAM
ARRAY
32 x 512
召回
动力
控制
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
W
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
24 - 600 PDIP
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
引脚名称
A
0
- A
10
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
1999年7月
3-31
STK25C48
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC
c
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
b
产业
单位
民
最大
95
85
75
65
3
10
2
30
25
21
18
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
– 40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
不适用
90
75
65
3
10
2
不适用
26
22
19
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
t
AVAV
= 20ns的
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 20ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
1
I
CC
I
CC
I
CC
I
SB
d
2
c
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
目前在
自动存储
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
3
d
4
e
1
I
SB
e
2
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：
注意：C ：
注意D：
注E：
该STK25C48-20需要V
CC
= 5.0V
±
5 ％供应到特定网络版的速度运行。
I
CC
我
CC
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
3
I
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
4
E
≥
2
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
5.0V
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
255欧姆
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
V
= 0到3V
V
= 0到3V
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
1999年7月
3-32
STK25C48
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
g
t
AVQV
h
t
GLQV
t
AXQX
h
t
ELQX
t
EHQZ
i
t
GLQX
t
GHQZ
i
t
ELICCH
f
t
EHICCL
E，F
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
7
0
25
5
5
7
0
10
0
35
20
22
8
5
5
10
0
13
0
45
民
最大
20
25
25
10
5
5
13
0
15
民
最大
25
35
35
15
5
5
15
民
最大
35
45
45
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK25C48-20
STK25C48-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
b
STK25C48-35
STK25C48-45
单位
注克：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注H： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注一：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
G，H
t
AVAV
地址
5
3
2
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
g
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
1
1
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
活跃
1999年7月
3-33
STK25C48
2K ×8
自动存储
NVSRAM
QuantumTrap
CMOS
非易失性静态RAM
特点
非易失性存储，而电池问题
可直接替代2K ×8静态RAM ，电池 -
支持RAM或EEPROM
为20ns ， 25ns的，为35ns ，并为45nS访问时间
商店
到EEPROM发起的
自动存储
在掉电
召回
到SRAM启动的软件或
电力恢复
10毫安典型I
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和
召回
周期
1,000,000
商店
循环到EEPROM
100年的数据保存在全部工业
温度范围
商业和工业温度
24引脚PDIP 600包
描述
该STK25C48是一个快速
SRAM
与非易失性
EEPROM
在每个静态存储器整合元件
细胞。该
SRAM
可以读取和写入无限
次数，而独立的非易失性数据
驻留在
EEPROM 。
从数据传输
SRAM
to
该
EEPROM
（该
商店
操作）可以进行自动
matically在断电时使用的电荷存储系统
电容。从转移
EEPROM
对
SRAM
（该
召回
操作），自动进行对水库
toration力量。所述的nvSRAM可以代替使用
现有的2K ×8
静态存储器
并且也匹配的引脚排列
2K ×8电池备份
的SRAM ， EPROM中
和
的EEPROM ，
可直接替换并增强其性能。
目前在读或写周期次数没有限制的
可以被执行，并且不支持电路所需的
微处理器接口。
框图
EEPROM阵列
32 x 512
行解码器
V
CC
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
A
6
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
商店
静态RAM
ARRAY
32 x 512
召回
动力
控制
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
V
CC
A
8
A
9
W
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
24 - 600 PDIP
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
引脚名称
A
0
- A
10
W
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
DQ
0
- DQ
7
G
E
W
E
G
V
CC
V
SS
1999年7月
3-31
STK25C48
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC
c
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
b
产业
单位
民
最大
95
85
75
65
3
10
2
30
25
21
18
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
– 40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
不适用
90
75
65
3
10
2
不适用
26
22
19
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
t
AVAV
= 20ns的
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 20ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
笔记
参数
平均V
CC
当前
1
I
CC
I
CC
I
CC
I
SB
d
2
c
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
目前在
自动存储
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
3
d
4
e
1
I
SB
e
2
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：
注意：C ：
注意D：
注E：
该STK25C48-20需要V
CC
= 5.0V
±
5 ％供应到特定网络版的速度运行。
I
CC
我
CC
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
1
3
I
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
4
E
≥
2
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
5.0V
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
255欧姆
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
V
= 0到3V
V
= 0到3V
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
1999年7月
3-32
STK25C48
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
g
t
AVQV
h
t
GLQV
t
AXQX
h
t
ELQX
t
EHQZ
i
t
GLQX
t
GHQZ
i
t
ELICCH
f
t
EHICCL
E，F
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
7
0
25
5
5
7
0
10
0
35
20
22
8
5
5
10
0
13
0
45
民
最大
20
25
25
10
5
5
13
0
15
民
最大
25
35
35
15
5
5
15
民
最大
35
45
45
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK25C48-20
STK25C48-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
b
STK25C48-35
STK25C48-45
单位
注克：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注H： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注一：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
G，H
t
AVAV
地址
5
3
2
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
g
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
1
1
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
活跃
1999年7月
3-33
QQ：2881677436 复制
