日前，Vishay
SFH614A
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， 300 V BV
首席执行官
特点
高隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 300 V
标准塑料DIP- 4封装
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
CSA 93751
i179060
A
1
C
2
4
3
C
E
描述
该SFH614A具有高集电极 - 发射极电压
年龄和高隔离电压。这些耦合器
在一个GaAs红外发光二极管发射器，它进行了优
美云耦合到一个硅平面光电晶体管探测器
器，并且在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
订购信息
部分
SFH614A
SFH614A-X009
备注
CTR > 50 ％ ， DIP- 4
CTR > 50 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
从25° C减免线性
总功耗
P
DISS
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
价值
6.0
60
2.5
1.33
100
单位
V
mA
A
毫瓦/°C的
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
从25° C减免线性
总功耗
P
DISS
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
C
价值
300
7.0
50
100
2.00
150
单位
V
V
mA
mA
毫瓦/°C的
mW
文档编号83670
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
www.vishay.com
1
SFH614A
威世半导体
耦合器
参数
从25° C减免线性
总功耗
之间的隔离测试电压
输入和输出，气候累计。对
IEC 60068-1 ：1988 （T = 1.0秒）
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
相比漏电起痕指数累计。
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，部分
1 : 06-84
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
P
合计
V
ISO
测试条件
符号
价值
3.33
250
5300
日前，Vishay
单位
毫瓦/°C的
mW
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
≥
175
mm
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.15
0.02
14
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
CE
= 100
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
民
300
7.0
15
8.0
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
A
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 20 mA时，我
C
= 1.0毫安
V
我-O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
最大
0.3
0.5
单位
V
V
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2
文档编号83670
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
符号
CTR
民
50
典型值。
SFH614A
威世半导体
最大
单位
%
开关特性
参数
启动时间
关闭时间
上升时间
下降时间
测试条件
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
典型值。
6.0
6
3.0
5.0
10
12
最大
单位
s
s
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
100.0
正向电流IF （MA ）
集电极电流IC （MA ）
25
IF = 20毫安
20
15
10
5
0
0
100
200
300
400
500
集电极 - 发射极电压VCE （MV ）
isfh614a_03
–40°C
25°C
10.0
1.0
100°C
0.1
.01
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
正向电压VF （V ）
isfh614a_01
图。 1正向电流与正向电压
图。 3集电极电流与集电极发射极电压
10000
集电极电流IC （MA ）
100°C
集电极电流，
IC （MA ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
100
200
300
400
500
100°C
IF = 10毫安
–40°C
25°C
1000
100
10
1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
集电极 - 发射极电压VCE （MV ）
25°C
0°C
集电极 - 发射极电压，
VCE
（毫伏）
isfh614a_04
isfh614a_02
图。 2集电极 - 发射极暗电流与集电极 - 发射极
电压
图。 4集电极电流与集电极发射极电压
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3
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威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， 300 V BV
首席执行官
特点
高隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 300 V
标准塑料DIP- 4封装
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
CSA 93751
i179060
A
1
C
2
4
3
C
E
描述
该SFH614A具有高集电极 - 发射极电压
年龄和高隔离电压。这些耦合器
在一个GaAs红外发光二极管发射器，它进行了优
美云耦合到一个硅平面光电晶体管探测器
器，并且在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
订购信息
部分
SFH614A
SFH614A-X009
备注
CTR > 50 ％ ， DIP- 4
CTR > 50 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
从25° C减免线性
总功耗
P
DISS
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
价值
6.0
60
2.5
1.33
100
单位
V
mA
A
毫瓦/°C的
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
从25° C减免线性
总功耗
P
DISS
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
C
价值
300
7.0
50
100
2.00
150
单位
V
V
mA
mA
毫瓦/°C的
mW
文档编号83670
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
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1
SFH614A
威世半导体
耦合器
参数
从25° C减免线性
总功耗
之间的隔离测试电压
输入和输出，气候累计。对
IEC 60068-1 ：1988 （T = 1.0秒）
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
相比漏电起痕指数累计。
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，部分
1 : 06-84
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
P
合计
V
ISO
测试条件
符号
价值
3.33
250
5300
日前，Vishay
单位
毫瓦/°C的
mW
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
≥
175
mm
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.15
0.02
14
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
CE
= 100
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
民
300
7.0
15
8.0
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
A
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 20 mA时，我
C
= 1.0毫安
V
我-O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
最大
0.3
0.5
单位
V
V
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电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
符号
CTR
民
50
典型值。
SFH614A
威世半导体
最大
单位
%
开关特性
参数
启动时间
关闭时间
上升时间
下降时间
测试条件
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
典型值。
6.0
6
3.0
5.0
10
12
最大
单位
s
s
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
100.0
正向电流IF （MA ）
集电极电流IC （MA ）
25
IF = 20毫安
20
15
10
5
0
0
100
200
300
400
500
集电极 - 发射极电压VCE （MV ）
isfh614a_03
–40°C
25°C
10.0
1.0
100°C
0.1
.01
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
正向电压VF （V ）
isfh614a_01
图。 1正向电流与正向电压
图。 3集电极电流与集电极发射极电压
10000
集电极电流IC （MA ）
100°C
集电极电流，
IC （MA ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
100
200
300
400
500
100°C
IF = 10毫安
–40°C
25°C
1000
100
10
1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
集电极 - 发射极电压VCE （MV ）
25°C
0°C
集电极 - 发射极电压，
VCE
（毫伏）
isfh614a_04
isfh614a_02
图。 2集电极 - 发射极暗电流与集电极 - 发射极
电压
图。 4集电极电流与集电极发射极电压
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SFH614A
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出， 300 V BV
首席执行官
特点
高隔离测试电压， 5300 V
RMS
高集电极 - 发射极电压，V
首席执行官
= 300 V
标准塑料DIP- 4封装
机构认证
UL文件＃ E52744系统代码H或按J
CSA 93751
i179060
A
1
C
2
4
3
C
E
描述
该SFH614A具有高集电极 - 发射极电压
年龄和高隔离电压。这些耦合器
在一个GaAs红外发光二极管发射器，它进行了优
美云耦合到一个硅平面光电晶体管探测器
器，并且在一个塑料DIP -4封装中。
联接装置被设计用于信号传输
两个电分离电路之间的任务。
订购信息
部分
SFH614A
SFH614A-X009
备注
CTR > 50 ％ ， DIP- 4
CTR > 50 ％ ， SMD - 4 （选件9 ）
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
直流正向电流
正向电流浪涌
从25° C减免线性
总功耗
P
DISS
t
≤
10
s
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
价值
6.0
60
2.5
1.33
100
单位
V
mA
A
毫瓦/°C的
mW
产量
参数
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
t
≤
1.0毫秒
从25° C减免线性
总功耗
P
DISS
测试条件
符号
V
首席执行官
V
ECO
I
C
I
C
价值
300
7.0
50
100
2.00
150
单位
V
V
mA
mA
毫瓦/°C的
mW
文档编号83670
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1
SFH614A
威世半导体
耦合器
参数
从25° C减免线性
总功耗
之间的隔离测试电压
输入和输出，气候累计。对
IEC 60068-1 ：1988 （T = 1.0秒）
爬电距离
净空
之间的绝缘厚度
发射器和检测器
相比漏电起痕指数累计。
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ，部分
1 : 06-84
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
存储温度范围
环境温度范围
结温
焊接温度
最大。 10秒，浸焊：
距离飞机座位
≥
1.5 mm
R
IO
R
IO
T
英镑
T
AMB
T
j
T
SLD
P
合计
V
ISO
测试条件
符号
价值
3.33
250
5300
日前，Vishay
单位
毫瓦/°C的
mW
V
RMS
≥
7.0
≥
7.0
≥
0.4
≥
175
mm
mm
mm
≥
10
12
≥
10
11
- 55 + 150
- 55 + 100
100
260
°C
°C
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
I
R
C
O
民
典型值。
1.15
0.02
14
最大
1.5
10
单位
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极 - 发射极暗电流
集电极 - 发射极电容
测试条件
I
CE
= 100
A
I
EC
= 10
A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V ， F = 1.0 MHz的
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
C
CE
民
300
7.0
15
8.0
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
A
pF
耦合器
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
耦合电容
测试条件
I
F
= 20 mA时，我
C
= 1.0毫安
V
我-O
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
CESAT
C
C
民
典型值。
最大
0.3
0.5
单位
V
V
www.vishay.com
2
文档编号83670
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
日前，Vishay
电流传输比
参数
电流传输比
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 10 V
符号
CTR
民
50
典型值。
SFH614A
威世半导体
最大
单位
%
开关特性
参数
启动时间
关闭时间
上升时间
下降时间
测试条件
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
V
CE
= 2.0 V，I
C
= 2.0毫安，
R
L
= 100
符号
t
on
t
关闭
t
r
t
f
民
典型值。
6.0
6
3.0
5.0
10
12
最大
单位
s
s
s
s
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
100.0
正向电流IF （MA ）
集电极电流IC （MA ）
25
IF = 20毫安
20
15
10
5
0
0
100
200
300
400
500
集电极 - 发射极电压VCE （MV ）
isfh614a_03
–40°C
25°C
10.0
1.0
100°C
0.1
.01
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
正向电压VF （V ）
isfh614a_01
图。 1正向电流与正向电压
图。 3集电极电流与集电极发射极电压
10000
集电极电流IC （MA ）
100°C
集电极电流，
IC （MA ）
7
6
5
4
3
2
1
0
0
100
200
300
400
500
100°C
IF = 10毫安
–40°C
25°C
1000
100
10
1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
集电极 - 发射极电压VCE （MV ）
25°C
0°C
集电极 - 发射极电压，
VCE
（毫伏）
isfh614a_04
isfh614a_02
图。 2集电极 - 发射极暗电流与集电极 - 发射极
电压
图。 4集电极电流与集电极发射极电压
文档编号83670
修订版1.3 ， 19 -APR- 04
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