STK16C68
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的条件功能操作
系统蒸发散高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1
b
参数
民
平均V
CC
当前
最大
90
75
65
3
10
27
23
20
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
–40
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
85
民
最大
90
75
65
3
10
28
24
21
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2
c
I
CC3
b
I
SB1
d
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
I
SB2
d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC2
我
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
480欧姆
产量
255欧姆
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
注E：这些参数是保证，但未经测试。
图1 ： AC输出负载
2006年3月
2
文件控制＃ ML0010修订版0.2
STK16C68
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAV
f
t
AVQV
g
t
GLQV
t
AXQX
g
t
ELQX
t
EHQZ
h
t
GLQX
t
GHQZ
h
t
ELICCH
e
t
EHICCL
D，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
13
0
45
25
25
10
5
5
13
0
15
民
最大
25
35
35
15
5
5
15
民
最大
35
45
45
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK16C68-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK16C68-35
STK16C68-45
单位
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E，G < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续地选择。
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
F，G
t
AVAV
地址
5
3
2
t
AVQV
数据有效
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
活跃
2006年3月
3
文件控制＃ ML0010修订版0.2
STK16C68
AutoStorePlus / POWER -UP召回
符号
号
标准
22
23
24
25
t
恢复
t
英镑
V
开关
V
RESET
上电
召回
长短
最大V
CC
回转时间到地
低电压触发电平
低电压复位电平
500
4.0
4.5
3.6
参数
民
最大
550
μs
ns
V
V
e
k
F，H
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
STK16C68
单位
笔记
注K：吨
恢复
开始从时间V
CC
上升超过V
开关
.
AutoStorePlus / POWER -UP召回
V
CC
5V
24
V
开关
25
V
RESET
23
t
英镑
自动存储
上电
召回
22
t
恢复
W
DQ （ DATA OUT ）
上电
召回
掉电
NO
商店
由于
NO SRAM写操作
NO
召回
(V
CC
没去
低于V
RESET
)
掉电
AutoStorePlus
NO
召回
(V
CC
没去
低于V
RESET
)
掉电
AutoStorePlus
召回
当
V
CC
回报
上述V
开关
2006年3月
5
文件控制＃ ML0010修订版0.2
QQ：2880707522 复制
