STK15C68
8K ×8
自动存储
NVSRAM
高性能CMOS
非易失性静态RAM
特点
非易失性存储，而电池问题
可直接替代8K ×8静态RAM ，电池
支持RAM或EEPROM
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
存储到EEPROM发起的软件或
自动存储
在掉电
召回以SRAM通过软件或电源恢复
= 15毫安我
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和调用循环
百万存储周期为EEPROM
100年的数据保存在整个工业
温度范围
商业和工业温度范围
28引脚600或300万PDIP和350密耳SOIC
描述
该STK15C68是一个快速的SRAM与非易失性
在每个静态存储器EEPROM纳入元素
细胞。 SRAM中可以读出和写入一个无限
次数，而独立的，非易失性数据
驻留在EEPROM中。从SRAM数据传输
EEPROM （中
商店
操作）可以进行自动
matically在断电时使用的电荷存储系统
电容。从EEPROM到SRAM转移
（该
召回
操作），自动进行对水库
toration力量。 STORE和RECALL的开始
循环也可以通过输入控制来控制
序列上的SRAM的投入。该NVSRAM可
代替现有的8K ×8的SRAM的使用，也匹配
为8K ×8电池供电的SRAM的引脚， EPROM中，
和EEPROM的，可直接替换并enhanc-
荷兰国际集团的表现。目前在读的数量没有限制
或写可以执行周期和不支持税务局局长
关，是必需的微处理器接口。
框图
EEPROM阵列
128 x 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
动力
控制
召回
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
A
12
DQ
1
DQ
2
V
SS
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
A
0
- A
12
W
DQ
0
- DQ
7
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
E
W
E
G
V
CC
V
SS
4-61
STK15C68
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：
应力大于绝对MAX-在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个只强调等级，功能及操作
该装置在上述的那些条件，在所指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
参数
民
平均电流
最大
85
80
75
6
15
4
35
32
28
3
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
-40
0.4
85
民
最大
95
85
80
7
15
4
39
35
32
3
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
平均电流时存储
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
在平均电流
自动存储
周期
平均电流
（待机，骑自行车TTL电平输入）
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
SRAM读周期＃ 1 & SRAM读取
+ .5
V
IH
输入逻辑“ 1 ”电压
2.2
V
CC
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
V
SS
– .5
2.4
0.8
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
4
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
5.0V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出定时的基准等级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
30pF
INCLUDING
范围
和夹具
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
255欧姆
V
= 0到3V
V
= 0到3V
图1 ： AC输出负载
注E：这些参数是保证，但未经测试。
4-62
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
3
5
10
0
25
25
10
3
5
民
最大
25
35
民
STK15C68-25
STK15C68
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
STK15C68-35
最大
35
45
35
20
3
5
17
0
17
0
35
45
20
20
45
25
STK15C68-45
单位
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E， G， < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续选
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压
SRAM读周期＃ 1 （地址控制）
F，G
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （数据输出）
SRAM读周期＃ 2 （ E受控）
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
t
GLQX
DQ （数据输出）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
活跃
4-63
STK15C68
8K ×8
自动存储
NVSRAM
高性能CMOS
非易失性静态RAM
特点
非易失性存储，而电池问题
可直接替代8K ×8静态RAM ，电池
支持RAM或EEPROM
为25ns ， 35ns的和为45nS访问时间
存储到EEPROM发起的软件或
自动存储
在掉电
召回以SRAM通过软件或电源恢复
= 15毫安我
CC
在200ns的周期时间
无限的读，写和调用循环
百万存储周期为EEPROM
100年的数据保存在整个工业
温度范围
商业和工业温度范围
28引脚600或300万PDIP和350密耳SOIC
描述
该STK15C68是一个快速的SRAM与非易失性
在每个静态存储器EEPROM纳入元素
细胞。 SRAM中可以读出和写入一个无限
次数，而独立的，非易失性数据
驻留在EEPROM中。从SRAM数据传输
EEPROM （中
商店
操作）可以进行自动
matically在断电时使用的电荷存储系统
电容。从EEPROM到SRAM转移
（该
召回
操作），自动进行对水库
toration力量。 STORE和RECALL的开始
循环也可以通过输入控制来控制
序列上的SRAM的投入。该NVSRAM可
代替现有的8K ×8的SRAM的使用，也匹配
为8K ×8电池供电的SRAM的引脚， EPROM中，
和EEPROM的，可直接替换并enhanc-
荷兰国际集团的表现。目前在读的数量没有限制
或写可以执行周期和不支持税务局局长
关，是必需的微处理器接口。
框图
EEPROM阵列
128 x 512
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
128 x 512
商店/
召回
控制
销刀豆网络gurations
NC
A
12
A
7
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
CC
W
NC
A
8
A
9
A
11
G
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
DQ
0
动力
控制
召回
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
0
A
12
DQ
1
DQ
2
V
SS
28 - 300 PDIP
28 - 600 PDIP
28 - 350 SOIC
引脚名称
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
A
0
- A
12
W
DQ
0
- DQ
7
地址输入
写使能
IN / OUT数据
芯片使能
OUTPUT ENABLE
电源（+ 5V）的
地
E
W
E
G
V
CC
V
SS
4-61
STK15C68
绝对最大额定值
a
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.6V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至（Ⅴ
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：
应力大于绝对MAX-在“上市
妈妈额定值“，可能会造成永久性损坏
装置。这是一个只强调等级，功能及操作
该装置在上述的那些条件，在所指示的
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
参数
民
平均电流
最大
85
80
75
6
15
4
35
32
28
3
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0
70
-40
0.4
85
民
最大
95
85
80
7
15
4
39
35
32
3
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
V
V
V
V
°C
产业
单位
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安
I
OUT
= 8毫安
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
平均电流时存储
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
在平均电流
自动存储
周期
平均电流
（待机，骑自行车TTL电平输入）
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
SRAM读周期＃ 1 & SRAM读取
+ .5
V
IH
输入逻辑“ 1 ”电压
2.2
V
CC
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
V
SS
– .5
2.4
0.8
注B：我
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
注意：C ：我
CC
我
CC
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
2
4
注意D： é
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
AC测试条件
5.0V
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出定时的基准等级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
480欧姆
产量
30pF
INCLUDING
范围
和夹具
电容
e
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25
°
C，F = 1.0MHz的）
最大
8
7
单位
pF
pF
条件
255欧姆
V
= 0到3V
V
= 0到3V
图1 ： AC输出负载
注E：这些参数是保证，但未经测试。
4-62
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
参数
#1, #2
t
ELQV
t
AVAVf
t
AVQVg
t
GLQV
t
AXQXg
t
ELQX
t
EHQZh
t
GLQX
t
GHQZh
t
ELICCHe
t
EHICCLd ，E
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
3
5
10
0
25
25
10
3
5
民
最大
25
35
民
STK15C68-25
STK15C68
(V
cc
= 5.0V
±
10%)
STK15C68-35
最大
35
45
35
20
3
5
17
0
17
0
35
45
20
20
45
25
STK15C68-45
单位
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
备注：F ：W必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注G： I / O状态假设E， G， < V
IL
和W > V
IH
;设备被连续选
注H：测量+ 200mV的自稳态输出电压
SRAM读周期＃ 1 （地址控制）
F，G
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
3
2
t
AVQV
数据有效
DQ （数据输出）
SRAM读周期＃ 2 （ E受控）
f
t
AVAV
地址
t
ELQV
E
t
ELQX
t
EHQZ
7
6
1
2
t
EHICCL
11
G
t
GLQX
DQ （数据输出）
t
ELICCH
I
CC
待机
10
数据有效
8
4
t
GLQV
t
GHQZ
9
活跃
4-63
QQ：2880707522 复制
