【SPP1071P沟道增强型MOSFET描述该SPP1071是P沟道增强模式功率场效应晶体管都采用高细】,IC型号SPP1071S72RGB,SPP1071S72RGB PDF资料,SPP1071S72RGB经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPP1071

P沟道增强型MOSFET

描述

该SPP1071是

P沟道增强模式

功率场效应晶体管都采用高细胞产生

密度， DMOS沟道技术。这种高密度

工艺特别适合于减小导通状态

性，并提供出色的开关性能。

这些装置特别适用于低电压

应用，例如笔记本电脑的电源

管理和其它电池供电的电路，其中

高侧开关，低线功率损耗，并

需要抗瞬变。

应用

司机：继电器/螺线管/灯具/锤

电源转换器电路

负载/电源开关手机，寻呼机

特点

P沟道

-20V/0.45A,R

DS （ ON）

= 0.52@V

=-4.5V

-20V/0.35A,R

DS （ ON）

= 0.70@V

=-2.5V

-20V/0.25A,R

DS （ ON）

= 0.95@V

=-1.8V

-20V/0.25A,R

DS （ ON）

= 1.5@V

=-1.5V

超高密度电池设计极低

RDS （ ON）

出色的导通电阻和最大DC

电流能力

SOT- 723封装的设计

引脚配置（ SOT- 723 ）

最热

2013/06/11

Ver.4

第1页

SPP1071

P沟道增强型MOSFET

引脚说明

针

符号

描述

门

来源

漏

订购信息

产品型号

SPP1071S72RGB

包

SOT-723

部分

记号

※

SPP1071S72RGB ：带卷轴;铅 - 无卤素 - 免费

ABSOULTE最大额定值

= 25℃除非另有说明）

参数

漏源电压

栅 - 源电压

连续漏电流（T

=150℃)

漏电流脉冲

连续源电流（二极管传导）

功耗

工作结温

存储温度范围

=25℃

符号

DSS

GSS

英镑

典型

单位

-20

±12

-0.45

-1.0

-0.3

0.15

-55/150

℃

2013/06/11

Ver.4

第2页

SPP1071

P沟道增强型MOSFET

电气特性

= 25℃除非另有说明）

参数

STATIC

漏源击穿电压

栅极阈值电压

栅极漏电流

零栅极电压漏极电流

通态漏电流

漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启时间

打开-O FF时间

符号

条件

分钟。

典型值

马克斯。

单位

（ BR ） DSS

=0V,I

=-250uA

GS （ TH）

=-250uA

GSS

DSS

D（上）

DS （ ON）

政府飞行服务队

D（上）

D（关闭）

=-10V,R

=10 ,

≡-0.4A

根

= -4.5V ，R

=0V,V

=±12V

=-20V,V

=0V

=-20V,V

=0V

=55℃

≤

-4.5V,V

=-5V

=-4.5V,I

=-0.45A

=-2.5V,I

=-0.35A

=-1.8V,I

=-0.25A

=-1.5V,I

=-0.25A

=-10V,I

=-0.25A

=-0.15A,V

=0V

-20

-0.35

-1.0

±30

-1

-5

-0.7

0.42

0.58

0.75

0.95

0.4

-0.8

1.5

0.3

0.35

1.4

1.8

0.52

0.70

0.95

1.5

-1.2

2.0

=-10V,V

= -4.5V ，我

≡-0.6A

2013/06/11

Ver.4

第3页

SPP1071

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2013/06/11

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SPP1071

P沟道增强型MOSFET

典型特征

2013/06/11

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