STK14EC8
初步
特点
15 ， 25 ， 45纳秒读取访问和读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或软件
控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
200K STORE耐力
20年非易失性数据保留
单3.0V + 20 ％ ， - 10％操作
商业，工业温度
44引脚400密耳TSOPII （符合RoHS标准）
= 48球细间距球栅阵列（ FBGA ）
512Kx8自动存储的nvSRAM
描述
该SIMTEK STK14EC8是一个4MB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（在
商店
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （在
召回
操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是最高性能，
最可靠的非易失性存储器提供。
框图
V
CC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
17
A
18
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
量子阱
2048 X 2048
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
2048 X 2048
召回
商店/
召回
控制
V
帽
动力
控制
HSB
软件
检测
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
A
18
– A
0
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
G
E
W
这是发展的一个产品，它有固定的焦油
得到规范，如有变更， pend-
荷兰国际集团表征结果。
SIMTEK机密&专有
1
文件控制＃ ML0060 1.1版
2008年1月
STK14EC8
NC
NC
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
E
DQ
0
DQ
1
V
CC
V
SS
DQ
2
DQ
3
W
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
（ TOP）
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
HSB
NC
NC
A
18
A
17
A
16
A
15
G
DQ
7
DQ
6
V
SS
V
CC
DQ
5
DQ
4
V
帽
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
NC
NC
初步
1
NC
NC
DQ
0
V
SS
V
CC
DQ
3
NC
A
18
2
G
NC
NC
DQ
1
3
A
0
A
3
A
5
A
17
4
A
1
A
4
A
6
A
7
A
16
A
15
A
13
A
10
5
A
2
E
NC
DQ
5
DQ
6
NC
W
A
11
6
NC
NC
DQ
4
V
CC
V
SS
DQ
7
NC
NC
A
B
C
D
E
F
G
H
DQ
2
V
帽
NC
HSB
A
8
A
14
A
12
A
9
（ TOP）
48球FBGA
（参见第18页上的机械制图）
44针TSOP -II
（请参见第17页上的机械制图）
引脚说明
引脚名称
A
18
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 19地址输入的nvSRAM阵列中选择524,288字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能输入，低电平有效：选择低，能够对IO引脚上的数据被写入到地址
位置锁存由CE的下降沿。
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。德主张摹高
导致DQ引脚三态。
电源： 3.0V ， + 20 ％ ， -10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中（也可在低功耗的同时向上
忙） 。当拉低外部的芯片，它将启动一个非易失性存储操作。弱上拉电阻
器保持该引脚为高电平，如果没有连接。 （连接可选） 。
自动存储电容：供应电源的nvSRAM在断电期间存储的数据从SRAM到nonvol-
atile存储元件。
地
该管脚没有连接到模具上。 （不要连接设计，留作将来使用）
V
帽
V
SS
NC
电源
电源
无连接
文件控制＃ ML0060 1.1版
2008年1月
2
SIMTEK机密
初步
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至4.1V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
°
C至125
°
C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
°
C到140
°
C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
°
C至150
°
C
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
STK14EC8
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
TF （ TSOP - II 44 ）封装的热特性
θ
jc
待定;
θ
ja
待定[ 0fpm ]待定[ 200fpm ] ， TBD C / W [ 500fpm 。
BF （ FBGA48 ）封装热特性
θ
jc
TBD C / W ;
θ
ja
待定[ 0fpm ]待定[ 200fpm ] ， TBD C / W [ 500fpm 。
DC特性
广告
符号
I
CC1
参数
民
平均V
CC
当前
70
65
50
75
70
52
mA
mA
mA
最大
民
最大
产业
单位
(V
CC
= 2.7V-3.6V)
笔记
t
AVAV
= 15ns的
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
=为45nS
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关，V
CC
=最大
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其它输入自行车在CMOS电平
依赖于输出负载和周期
率。无输出得到的值
负载。
所有的输入无关
对于存储的时间平均电流
周期（T
商店
)
E
≥ (V
CC
-0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
-0.2V)
非易失性后待机电流水平
完整的周期
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 2毫安（除HSB ）
I
OUT
= 4毫安
I
CC2
平均V
CC
目前在
商店
6
6
mA
I
CC3
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
3V ， 25 ° C，典型
13
13
mA
I
CC4
平均V
帽
目前在
自动存储
周期
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS电平）
6
6
mA
I
SB
3
3
mA
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
T
A
V
CC
V
帽
NV
C
数据
R
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
工作电压
存储容量
非易失性存储操作
数据保留
0
2.7
61
200
20
2.0
V
SS
–0.5
2.4
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
2.0
V
SS
–0.5
2.4
0.4
70
3.6
82
–40
2.7
61
200
20
±1
±1
V
CC
+ 0.5
0.8
μA
μA
V
V
V
0.4
85
3.6
180
V
°C
V
μF
K
岁月
3.0V标称
V之间
帽
引脚和V
SS
， 5V额定
（标称值68
μF
150
μF
+20%, - 10%)
@ 55摄氏度
注： HSB引脚有我
OUT
= -10微安的V
OH
2.4 V.此参数的特点，但未经测试。
文件控制＃ ML0060 1.1版
2008年1月
3
SIMTEK机密
STK14EC8
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。参见图1和图2
初步
电容
b
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
7
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注B：这些参数是保证，但未经测试。
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图1
:
AC输出负载
3.0V
577欧姆
产量
789欧姆
5 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
图2
:
对于三态功能AC输出负载（T
HZ
, t
LZ
, t
WLQZ
, t
WHQZ
, t
GLQX
, t
GHQZ
)
文件控制＃ ML0060 1.1版
2008年1月
4
SIMTEK机密
QQ：2880707522 复制
