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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1464页 > STK14C88-NF45ITR
STK14C88
32Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或
软件控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
100万存储周期
100年非易失性数据保留
单5V ±10 ％电源
商业，工业，军用温度
32引脚300密耳SOIC （符合RoHS标准）
32引脚CDIP和LCC封装
描述
该SIMTEK STK14C88是256KB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（对STORE
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （该RECALL操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
V
CCx中
量子阱
512 x 512
V
帽
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
动力
控制
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 x 512
召回
商店/
召回
控制
HSB
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
软件
检测
A
0
- A
13
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0014版本2.0
2008年2月
STK14C88
销刀豆网络gurations
V
帽
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
（ TOP）
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CC
HSB
V
CCx中
A
12
A
14
V
帽
HSB
A
7
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
NC
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
W
A
13
A
8
A
9
A
11
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
2
A
1
A
0
DQ
0
（ TOP）
G
NC
A
10
E
DQ
7
DQ
1
DQ
2
V
SS
DQ
3
DQ
4
32引脚450密耳LCC
32引脚300密耳SOIC
32引脚300密耳CDIP
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 15地址输入的nvSRAM阵列中选择32,768字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 5.0V ， + 10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
V
帽
V
SS
电源
电源
文件控制＃ ML0014版本2.0
2008年2月
2
DQ
5
DQ
6
STK14C88
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.6V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
b
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
工业/
军事
民
最大
100
85
70
3
10
2
31
26
23
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
0
70
-40/-55
0.4
0.4
85/125
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
V
°C
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安除了HSB
I
OUT
除了HSB = 8毫安
I
OUT
= 3毫安
单位
笔记
民
最大
97
80
70
3
10
2
30
25
22
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
V
CC
+ .5
0.8
参数
I
CC1
平均V
CC
当前
I
CC2c
I
CC3
b
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
自动存储在当前
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
在HSB输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
I
CC4c
I
SB1d
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
BL
T
A
注B：
注意：C ：
注意D：
注E：
I
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
I
CC2
我
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
E
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CC
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CC
连接
到地面。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间。
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
图1
:
AC输出负载
文件控制＃ ML0014版本2.0
2008年2月
3
STK14C88
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1, #2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
t
ELQV
t
AVAVg ，
t
ELEHg
t
AVQVh
t
GLQV
t
AXQXh
t
ELQX
t
EHQZ
i
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
STK14C88-25
参数
STK14C88-35
民
最大
35
35
25
10
5
5
10
0
10
0
25
0
35
0
13
0
45
5
5
13
0
15
35
15
5
5
15
45
45
20
STK14C88-45
单位
民
最大
25
25
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
地址更改或芯片使能到输出有效
地址更改或禁用芯片到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
t
GLQX
t
GHQZi
t
ELICCH
f
t
PA
t
PS
t
EHICCLf
注G： W和HSB必须在SRAM读周期高。
注H： I / O状态假设E和G <
V
IL
和
W >
V
IH
;设备被连续地选择。
注一：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
G，H
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
3
t
AVQV
SRAM读周期＃ 2 ：
E和G受控
g
ADDR ESS
t
ê LE
1
t
EL Q V
2
29
t
EHAX
11
t
EHI CC L
7
t
EHQ
E
27
6
t
ELQ X
G
t
AV QV
4
8
t
体中Q X
t
体中QV
9
t
GH Q
3
DQ （D ATA OUT）
10
t
ELI CC
AC牛逼IVE
DAT一个VAL ID
I
CC
圣和
文件控制＃ ML0014版本2.0
2008年2月
4
STK14C88
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
#2
Alt键。
参数
民
最大
民
最大
民
最大
STK14C88-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
STK14C88-35
STK14C88-45
单位
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ I，J
t
WHQX
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
45
30
30
15
0
30
0
0
15
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注记者：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
注K： é或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
注L： HSB必须在SRAM写周期高。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
K，L
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
数据有效
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
21
t
WHQX
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
K，L
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
文件控制＃ ML0014版本2.0
2008年2月
5
STK14C88
32Kx8自动存储的nvSRAM
特点
25 ， 35 ， 45纳秒读取访问&读/写周期时间
无限的读/写耐用性
掉电时自动非易失性存储
非易失性存储在硬件或
软件控制
自动恢复到SRAM将开机
无限RECALL周期
100万存储周期
100年非易失性数据保留
单5V ±10 ％电源
商业，工业，军用温度
32引脚300密耳SOIC （符合RoHS标准）
32引脚CDIP和LCC封装
描述
该SIMTEK STK14C88是256KB的快速静态RAM
具有非易失性的量子阱的存储元件
包括与每个存储器单元。
SRAM中提供了快速访问&的循环时间，
易用性和无限的读&写入寿命
一个正常的SRAM 。
数据自动地传送到所述非易失性stor-
当检测到的功率损耗年龄细胞（对STORE
操作）。上电时，数据是自动
恢复到SRAM （该RECALL操作）。两
STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
该SIMTEK的nvSRAM是第一个单片无vola-
瓷砖的内存来提供无限的写入和读取。这是
最高性能，最可靠的非易失性
可用内存。
框图
V
CCx中
量子阱
512 x 512
V
帽
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
动力
控制
行解码器
商店
静态RAM
ARRAY
512 x 512
召回
商店/
召回
控制
HSB
输入缓冲器
列I / O
COLUMN DEC
软件
检测
A
0
- A
13
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
本产品符合每个规格
术语SIMTEK标准保修。该产品
已完成SIMTEK内部资格测试
并已达到生产状态。
1
文件控制＃ ML0014版本0.3
2007年2月
STK14C88
销刀豆网络gurations
V
帽
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
V
CCx中
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
NC
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
32引脚450密耳LCC
32引脚300密耳SOIC
32引脚300密耳CDIP
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CCx中
HSB
输入
I / O
输入
输入
输入
电源
I / O
I / O
描述
地址： 15地址输入的nvSRAM阵列中选择32,768字节1
数据：双向8位数据总线，用于访问所述的nvSRAM
芯片使能：活动低辐射输入选择器
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁定由E的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
电源： 5.0V ， ±10 ％
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉
低外部的芯片，它将启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻
如果保持不连接这个引脚为高电平。 （连接可选） 。
自动存储电容器：提供电源的nvSRAM从断电到存储数据的过程中
SRAM到非易失性存储元件。
地
V
帽
V
SS
电源
电源
文件控制＃ ML0014版本0.3
2007年2月，
2
STK14C88
绝对最大额定值
a
电压输入相对于地面。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至7.0V
在输入相对于V电压
SS
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.6V至（V
CC
+ 0.5V)
在DQ电压
0-7
或HSB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至（V
CC
+ 0.5V)
在偏置温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 55 ° C至125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
功耗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1W
直流输出电流（1输出的时间， 1秒的持续时间） 。 。 。 。 。 。 。 15毫安
注一：强调高于绝对最大的“上市
“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个
额定值只，设备的CON-功能操作
ditions高于在这个业务部门所标明
特定网络阳离子是不是暗示。暴露在绝对最大额定
长时间荷兰国际集团的条件可能会影响其可靠性。
DC特性
广告
符号
I
CC1b
参数
民
平均V
CC
当前
最大
97
80
70
3
10
2
30
25
22
1.5
±1
±5
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
0
70
- 40/-55
V
CC
+ .5
0.8
2.2
V
SS
– .5
2.4
0.4
0.4
85/125
工业/
军事
民
最大
100
85
70
3
10
2
31
26
23
1.5
±1
±5
V
CC
+ .5
0.8
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
μA
V
V
V
V
V
°C
单位
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
笔记
t
AVAV
= 25ns的
t
AVAV
= 35ns的
t
AVAV
=为45nS
所有的输入无关，V
CC
=最大
W
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS电平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25ns的，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为35ns ，E
≥
V
IH
t
AVAV
=为45nS ，E
≥
V
IH
E
≥
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
≤
0.2V或
≥
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
，E或G
≥
V
IH
所有的输入
所有的输入
I
OUT
= - 4毫安除了HSB
I
OUT
除了HSB = 8毫安
I
OUT
= 3毫安
I
CC2c
I
CC3b
I
CC4c
I
SB1d
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
= 200ns的
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
自动存储在当前
周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL电平输入）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入电平）
输入漏电流
断态输出漏电流
输入逻辑“ 1 ”电压
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
在HSB输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
I
SB2d
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
BL
T
A
注B：
注意：C ：
注意D：
注E：
I
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
I
CC2
我
CC4
需要进行相应的持续时间的平均电流
商店
周期（T
商店
) .
E
≥
V
IH
不会产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
V
CC
参考水平在整个数据表是指V
CCx中
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CCx中
所配置
连接至接地。
AC测试条件
输入脉冲电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0V至3V
输入上升和下降时间。
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ≤
5ns
输入和输出时序参考电平。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.5V
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见图1
5.0V
480欧姆
产量
255欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
电容
f
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
最大
5
7
单位
pF
pF
条件
ΔV
= 0到3V
ΔV
= 0到3V
注F：
这些参数是保证，但未经测试。
图1
:
AC输出负载
文件控制＃ ML0014版本0.3
2007年2月
3
STK14C88
SRAM读周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1, #2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
t
ELQV
t
AVAVg
t
AVQVh
t
GLQV
t
AXQXh
t
ELQX
t
EHQZi
t
GLQX
t
GHQZi
t
ELICCHf
t
EHICCLf
Alt键。
t
ACS
t
RC
t
AA
t
OE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
OLZ
t
OHZ
t
PA
t
PS
芯片使能存取时间
读周期时间
地址访问时间
输出使能到数据有效
地址变更后的输出保持
芯片使能到输出有效
芯片禁用到输出无效
输出使能输出活跃
输出禁止到输出无效
芯片使能为功耗工作
芯片禁用到备用电源
0
25
0
10
0
35
5
5
10
0
13
0
45
25
25
10
5
5
13
0
15
参数
民
最大
25
35
35
15
5
5
15
民
最大
35
45
45
20
民
最大
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK14C88-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
STK14C88-35
STK14C88-45
单位
注G： W和HSB必须在SRAM写周期SRAM中读取周期的高与低。
注H： I / O状态假设E和G <
V
IL
和
W >
V
IH
;设备被连续地选择。
注一：测量
±
200mV的从稳态输出电压。
SRAM读周期1：
地址控
G，H
2
t
AVAV
地址
5
t
AXQX
DQ （ DATA OUT ）
3
t
AVQV
数据有效
SRAM读周期＃ 2 ：
E受控
g
2
t
AVAV
地址
6
t
ELQX
1
t
ELQV
11
t
EHICCL
7
t
EHQZ
E
G
4
8
t
GLQX
DQ （ DATA OUT ）
10
t
ELICCH
活跃
数据有效
t
GLQV
9
t
GHQZ
I
CC
待机
文件控制＃ ML0014版本0.3
2007年2月，
4
STK14C88
SRAM写周期＃ 1 & ＃ 2
符号
号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ I，J
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
民
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
民
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
民
45
30
30
15
0
30
0
0
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK14C88-25
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
STK14C88-35
STK14C88-45
单位
注记者：如果W低当E变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
注K： é或W必须是
≥
V
IH
在地址转换。
注L： HSB必须在SRAM写周期高。
的SRAM写周期＃ 1：
硬件控制
K，L
12
t
AVAV
地址
14
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
20
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
数据有效
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
21
t
WHQX
SRAM写周期＃ 2 ：
E受控
K，L
12
t
AVAV
地址
18
t
AVEL
E
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
文件控制＃ ML0014版本0.3
2007年2月
5
STK14C88
是32K ×8自动存储的nvSRAM
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
■
描述
赛普拉斯STK14C88是一个256 KB的快速静态RAM与
非易失性量子阱存储元件包含在每个
存储单元。
SRAM中提供了快速访问时间和周期时间，便于
使用和无限的读，写一个正常的SRAM的耐力。
数据自动地传送到所述非易失性存储单元
当检测到断电（ STORE操作） 。上电
时，数据会自动恢复到SRAM中（ RECALL的
操作）。无论STORE和RECALL操作也
在软件控制下使用。
赛普拉斯的nvSRAM是第一个单片非易失性存储器
提供无限的写入和读取。它是最高的性能，
最可靠的非易失性存储器可用。
25 ， 35 ， 45纳秒读取和访问R / W周期时间
无限的读/写耐用性
上电时自动非易失商店
在硬件或软件控制的非易失性商店
自动恢复到SRAM上电
无限RECALL周期
100万STORE周期
100年的非易失数据保持
采用5 V单+ 10 ％电源
商业，工业，军事气温
32引脚300密耳SOIC （符合RoHS标准）
32引脚CDIP和LCC封装
fo
de
d
量子阱
512 x 512
行解码器
逻辑框图
rN
V
CCx中
V
帽
ec
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
11
A
12
A
13
A
14
DQ
0
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
DQ
7
en
商店
召回
商店/
召回
控制
HSB
om
静态RAM
ARRAY
512 x 512
m
ew
动力
控制
列I / O
COLUMN DEC
软件
检测
A
0
- A
13
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
10
G
E
W
R
输入缓冲器
N
ot
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-52038修订版* C
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的二○一一年三月三十〇日
[+ ]反馈
D
es
ig
ns
STK14C88
目录
引脚配置................................................ ........... 3
引脚说明................................................ ............... 3
绝对最大额定值............................................ 4
直流特性................................................ ........... 4
AC测试条件............................................... 5 ...........
电容................................................. ..................... 5
SRAM读周期＃ 1和＃ 2 ......................................... 6
SRAM写周期＃ 1和＃ 2 .......................................... 7
硬件模式选择............................................... 8
五金店周期............................................... 8 ....
自动存储/上电RECALL ......................................... 9
软件存储/调用模式选择.................. 10
软件控制的存储/调用循环................ 10
的nvSRAM操作................................................ ......... 11
噪声考虑................................................ ..... 11
SRAM读................................................ ..................... 11
SRAM写................................................ ..................... 11
上电RECALL ............................................... .......... 11
软件非易失STORE ......................................... 11
软件非易失RECALL ...................................... 11
自动存储模式................................................ .............. 11
自动存储禁止模式............................................... 12
HSB操作................................................ ................ 12
................................................最佳实践................. 13
防止STORES ................................................ ....... 13
硬件保护................................................ ............ 13
较低的平均有功功率............................................ 13
订购信息................................................ ...... 14
商业和工业订购信息....... 14
军事订货信息..................................... 15
包图................................................ .......... 16
与缩略语................................................. ....................... 19
文档约定................................................ 19
计量单位............................................... ........ 19
文档历史记录页............................................... .. 20
销售，解决方案和法律信息...................... 20
全球销售和设计支持....................... 20
产品................................................. ................... 20
的PSoC解决方案................................................ ......... 20
文件编号： 001-52038修订版* C
N
ot
R
ec
om
m
en
de
d
fo
rN
ew
D
es
ig
ns
第20页2
[+ ]反馈
STK14C88
销刀豆网络gurations
图1.引脚图 - 32引脚300英里SOIC / CDIP
图2.引脚图 - 32引脚450英里的LCC
A
12
A
14
A
7
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
2
A
1
A
0
DQ
0
DQ
1
DQ
2
V
SS
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
HSB
W
A
13
A
8
A
9
A
11
G
NC
A
10
E
DQ
7
DQ
6
DQ
5
DQ
4
DQ
3
A
6
A
5
A
4
A
3
NC
A
2
A
1
A
0
DQ
0
W
1
32
V
CC
HSB
V
CCx中
V
帽
V
帽
A
13
A
8
A
9
G
（ TOP）
D
es
DQ
1
DQ
2
DQ
3
DQ
4
DQ
5
DQ
6
V
SS
（ TOP）
引脚说明
引脚名称
A
14
-A
0
DQ
7
-DQ
0
E
W
G
V
CC
HSB
I / O
输入
I / O
输入
输入
输入
en
芯片使能：活动低辐射输入选择器。
供电电源： 5.0V ， + 10 ％ 。
V
帽
V
SS
NC
N
电源供应器自动存储电容器：提供电源的nvSRAM在断电时存储在SRAM数据
到非易失性存储元件。
电源接地。
无连接
未标记引脚没有内部连接。
文件编号： 001-52038修订版* C
ot
I / O
R
ec
写使能：将活性低水使上DQ管脚的数据将被写入的地址
位置锁存由大肠杆菌的下降沿
输出使能：有源低G输入使能数据输出缓冲器中读取周期。
德主张摹高造成的DQ引脚为三态。
五金店忙：当该低输出指示存储过程中。当拉低
外部的芯片时，它启动一个非易失STORE操作。弱上拉电阻保持
该引脚，如果没有连接高。 （可选连接） 。
om
数据：用于访问的nvSRAM双向8位数据总线。
m
地址： 15地址输入选择的阵列的nvSRAM中的32,768字节之一。
de
d
fo
rN
描述
ew
ig
ns
A
11
NC
A
10
E
DQ
7
第20页3
[+ ]反馈
STK14C88
绝对最大额定值
在输入相对地电压...............- 0.5 V至7.0 V
在输入相对于V电压
SS
.........- 0.6 V至（V
CC
+ 0.5 V)
在DQ电压
0-7
或HSB ....................- 0.5 V至（V
CC
+ 0.5 V)
偏压下温度-55 .............................
C
到125
C
存储温度-65 ..................................
C
150
C
功耗................................................ ............ 1 W
直流输出电流（ 1输出的时间， 1秒持续时间） .... 15毫安
记
应力大于“绝对在列
最大额定值“，可能对器件造成永久性损坏。
这是一个压力装置的唯一的评级，并且功能操作
在上述这些条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
DC特性
在整个工作范围（V
CC
= 5.0 V ± 10%)
[4]
符号
I
CC1[1]
参数
平均V
CC
当前
广告
民
–
最大
97
80
70
3
10
工业/
军事
民
–
D
es
单位
mA
mA
mA
mA
mA
3
10
2
31
26
23
mA
mA
mA
mA
mA
1
5
A
A
V
V
V
V
V
C
所有的输入
所有的输入
–
最大
100
85
70
I
CC2[2]
I
CC3[1]
平均V
CC
目前在
商店
平均V
CC
目前在T
AVAV
=
200纳秒
5V ， 25°C时，典型的
平均V
帽
目前在
自动存储周期
平均V
CC
当前
（待机，骑自行车TTL输入
级别）
V
CC
待机电流
（待机，稳定的CMOS输入
级别）
–
–
rN
–
ew
I
CC4[2]
I
SB1[3]
de
d
–
fo
–
2
–
–
m
en
–
30
25
22
I
SB2[3]
–
1.5
–
1.5
om
ec
I
ILK
I
OLK
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
BL
T
A
输入漏电流
–
–
2.2
V
SS
– .5
2.4
–
–
0
1
5
V
CC
+ 0.5
0.8
–
0.4
0.4
70
–
–
2.2
V
SS
– .5
2.4
–
–
-40/-55
N
输入逻辑“ 0 ”电压
输出逻辑“ 1 ”电压
输出逻辑“ 0 ”电压
在HSB输出逻辑“ 0 ”电压
工作温度
ot
输入逻辑“ 1 ”电压
R
断态输出漏电流
V
CC
+0.5
0.8
0.4
0.4
85/125
笔记
1. I
CC1
我
CC3
依赖于输出负载和循环率。在特定网络版值与空载输出获得。
2. I
CC2
我
CC4
所需的各个商店的周期的持续时间（吨的平均电流
商店
).
3. E
V
IH
不产生待机电流电平，直到任何非易失性周期中已超时。
4. V
CC
参考电平在本数据手册参考V
CC
如果这就是由电源连接，或V
帽
如果V
CC
被连接到地。
文件编号： 001-52038修订版* C
ig
ns
笔记
t
AVAV
= 25纳秒
t
AVAV
= 35 ns的
t
AVAV
- 45纳秒
所有的输入无关，V
CC
=
最大
W
(V
CC
– 0.2V)
所有其他骑自行车， CMOS
水平
所有的输入无关
t
AVAV
= 25纳秒，E
V
IH
t
AVAV
= 35纳秒，E
V
IH
t
AVAV
= 45纳秒，E
V
IH
E
(V
CC
– 0.2V)
所有其他V
IN
0.2V或
(V
CC
– 0.2V)
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大
V
IN
= V
SS
到V
CC
， E或G V
IH
I
OUT
= - 除了HSB 4毫安
I
OUT
除了HSB = 8毫安
I
OUT
= 3毫安
第20页4
[+ ]反馈
STK14C88
AC测试条件
输入脉冲电平............................................... ..... 0 V至3 V
输入上升和下降时间............................................. .. <5 NS
输入和输出时序参考水平....................... 1.5 V
输出负载................................................ ........见
科幻gure 3
图3. AC输出负载
5.0 V
480欧姆
产量
255欧姆
30 pF的
INCLUDING
范围和
灯具
电容
参数
[5]
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
T
A
= 25
C,
F = 1MHz时，
fo
测试条件
rN
ew
最大
5
7
单位
pF
pF
D
es
条件
V
= 0至3伏
V
= 0至3伏
第20页5
记
5.这些参数是保证，但未经测试。
文件编号： 001-52038修订版* C
N
ot
R
ec
om
m
en
de
d
ig
ns
[+ ]反馈
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推荐型号
SDR2207-560KL
S87C552-5A68
SMBJ5V0A
SSN16B1002FS7
S71WS512ND0BFWA60
SST29EE010-150-3C-E
SN74HC541DWE4
SN75188D
SGP10N60RUF
SDS120PT17B
SDA9205-2
S16A30
SPD16B1002DSLF13
S29GL032M10BCIR63
S-812C53AMC-C3H-T2
SS94A1E
SC-15-200
SCBAR05FF
ST92F150JDR9T6
SKRNPME010
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    STK14C88-NF45ITR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

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