STD5N52U
STF5N52U ， STI5N52U
N沟道525 V， 1.28
4.4 A， DPAK ， TO- 220FP ，我
2
PAK
,
UltraFASTmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STD5N52U
STF5N52U
STI5N52U
■
■
■
■
■
■
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
< 1.5
I
D
Pw
70 W
TAB
3
1
3
1
2
TAB
525 V
4.4 A
25 W
70 W
DPAK
3
12
100％的雪崩测试
出色的dv / dt能力
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
非常低R
DS （ ON）
极低吨
rr
TO-220FP
I
2
PAK
图1 。
内部原理图
D或TAB （ 2 ）
应用
■
切换应用程序
- 具体FO液晶电视高压变频器
- 照明全桥拓扑结构
电机控制
G(1)
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
开发利用UltraFASTmesh 技术，
它结合了降低导通的优势
电阻，齐纳栅保护和非常高
具有增强的快速体漏dv / dt能力
恢复二极管。
S(3)
AM01476v1
表1中。
设备简介
记号
5N52U
5N52U
5N52U
包
DPAK
TO-220FP
I
2
PAK
包装
磁带和卷轴
管
管
订货编号
STD5N52U
STF5N52U
STI5N52U
2011年9月
文档ID 15684第2版
1/18
www.st.com
18
目录
STD5N52U ， STF5N52U ， STI5N52U
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
........................... 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
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文档ID 15684第2版
STD5N52U ， STF5N52U ， STI5N52U
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
I
AR
E
AS
dv / dt的
(2)
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
J
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
峰值二极管恢复电压斜率
70
TO-220FP
± 30
4.4
2.8
17.6
25
4.4
170
20
2800
2500
70
I
2
PAK
单位
V
A
A
A
W
A
mJ
V / ns的
V
V
V
ESD （G -S ）
摹-S ESD （ HBM C = 100 pF的; R = 1.5千欧）
V
ISO
T
J
T
英镑
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2. I
SD
≤
4.4 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，峰值V
DS
≤
V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
热数据
价值
参数
DPAK
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻结到PCB
50
1.78
TO-220FP
5
62.5
我PAK
1.78
100
° C / W
° C / W
° C / W
2
单位
文档ID 15684第2版
3/18
电气特性
STD5N52U ， STF5N52U ， STI5N52U
2
电气特性
（温度上限= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
(V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 1毫安
分钟。
525
10
500
10
3
3.75
1.28
4.5
1.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
DS
= 525 V
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
= 525 V，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
529
71
13.4
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 25 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
C
O（ TR ）
R
g
V
DS
= 0 420 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 416 V，I
D
= 4.4 A,
V
GS
= 10 V
（参见图17）
-
-
-
11
6
16.9
4.2
8.4
-
-
-
pF
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
1. C
OSS EQ 。
时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 260 V，I
D
= 2.2 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（参见图16）
分钟。
典型值。
11.4
13.6
23.1
15
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
-
-
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文档ID 15684第2版
STD5N52U ， STF5N52U ， STI5N52U
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 4.4 A，V
GS
= 0
I
SD
= 4.4 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V
（参见图18）
I
SD
= 4.4 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V T，
J
= 150 °C
（参见图18）
测试条件
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
-
-
-
55
95
3.5
120
266
4.5
4.4
17.6
1.6
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ±1 MA（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
-
MAX 。 UNIT
-
V
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
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