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STF24NM60N , STI24NM60N
STP24NM60N , STW24NM60N
N沟道600 V , 0.168
17的的MDmesh II功率MOSFET
,
TO- 220FP ,我
2
PAK ,TO- 220和TO- 247
特点
订购代码
STF24NM60N
STI24NM60N
STP24NM60N
STW24NM60N
TAB
V
DSS
( @Tjmax )
650 V
650 V
650 V
650 V
R
DS ( ON)
马克斯。
< 0.19
< 0.19
< 0.19
< 0.19
I
D
17 A
1
3
2
3
12
17 A
17 A
17 A
TO-220FP
I
2
PAK
100%的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
3
1
2
2
1
3
TO-220
TO-247
应用
切换应用程序
图1 。
内部原理图
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用的第二代开发
的MDmesh 技术。这一革命性的力量
MOSFET相关联的垂直结构的
公司的带布局,产生了世界上的一个
最低的导通电阻和栅极电荷。这是
因此,适用于最苛刻的高
效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
TO-220FP
I
2
PAK
24NM60N
TO-220
TO-247
包装
订购代码
STF24NM60N
STI24NM60N
STP24NM60N
STW24NM60N
2011年8月
文档ID 18047牧师3
1/19
www.st.com
19
目录
STF24NM60N , STI24NM60N , STP24NM60N , STW24NM60N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 18
2/19
文档ID 18047牧师3
STF24NM60N , STI24NM60N , STP24NM60N , STW24NM60N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
I
2
PAK
TO-220
TO-247
单位
TO-220FP
± 30
17
11
68
125
15
2500
17
(1)
11
(1)
68
(1)
30
V
A
A
A
W
V / ns的
V
V
GS
I
D
I
D
I
DM (2)
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
J
T
英镑
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25 °C
漏电流(连续)在T
C
= 100 °C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘材料来自三个耐受电压(有效值)
通向外部散热器
(T = 1秒;吨
C
=25 °C)
工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.有限只能由最高温度允许的。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
17 A, di / dt的
400 A / μs的,峰值V
DS
V
( BR ) DSS
, V
DD
= 80% V
( BR ) DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
TO-220FP
热阻结案件
马克斯。
热阻结到环境
马克斯。
铅的最大温度
焊接用途
I
2
PAK
单位
TO-220
1
62.5
300
50
TO-247
° C / W
° C / W
°C
R
THJ情况
R
THJ - AMB
T
J
4
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流,重复或不可─
重复(脉冲宽度限制T
J
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
J
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
价值
6
300
单位
A
mJ
文档ID 18047牧师3
3/19
电气特性
STF24NM60N , STI24NM60N , STP24NM60N , STW24NM60N
2
电气特性
( TCASE = 25°C除非另有说明)
表5 。
符号
V
( BR ) DSS
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
(V
GS
= 0)
测试条件
I
D
= 1毫安
分钟。
600
1
100
100
2
3
0.168
4
0.19
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
V
DS
= 600 V
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
= 600 V ,T
C
=125 °C
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
= ± 25 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V,I
D
= 8 A
表6 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量(1)
R
g
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
分钟。
典型值。
1400
44
7.4
190
5
46
7
23
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V , F = 1MHz时,
V
GS
= 0
-
-
V
DS
= 0 480 V ,V
GS
= 0
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 480 V,I
D
= 17 A,
V
GS
= 10 V
(参见图19)
-
-
-
-
-
-
1. C
O( EFF ) 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 %的V
DS
.
4/19
文档ID 18047牧师3
STF24NM60N , STI24NM60N , STP24NM60N , STW24NM60N
电气特性
表7中。
符号
t
D(上)
t
R( V)
t
D(关闭)
t
F( I)中
开关时间
参数
导通延迟时间
电压上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 300 V,I
D
= 8.5 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
(参见图18)
分钟。
典型值。
11.5
16.5
73
37
最大单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表8 。
符号
I
SD
I
SDM (1)
V
的SD (2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17 A,V
GS
= 0
I
SD
= 17 A, di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V
(参见图20)
I
SD
= 17 A, di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V T,
J
= 150 °C
(参见图20)
测试条件
分钟。典型值。最大
-
-
-
340
4.6
27
404
5.7
28
17
68
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比1.5 %
文档ID 18047牧师3
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