MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
低漏电流5.0 μA
TO-220AB
ITO-220AB
特点
Guardring过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
??高频工作
1
2
3
1
2
3
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器，续流和使用
极性保护应用。
MBR10H150CT
MBRF10H150CT
TO-262AA
1
2
3
SB10H150CT-1
销1
3脚
销2
例
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
j
2x5A
150 V
160 A
0.72 V
175 °C
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
安装扭矩：
最大10磅
极性：
由于标
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（参见图1 ）
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR10H150CT
150
150
150
10
5
160
1.0
10
11.25
10000
- 65 + 175
1500
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / μs的
°C
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波叠加
每个二极管的额定负载
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
每个二极管的峰值非重复性反向浪涌能量（ 8/20微秒波形）
每个二极管非重复性雪崩能量在25 ° C，I
AS
= 1.5 ， L = 10毫亨
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片t为1分钟
文档编号： 88779
修订： 7月27日07
www.vishay.com
1
MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
在我
F
= 5.0 A，T
J
= 25 °C
最大瞬时
每个二极管的正向电压
(1)
在我
F
= 5.0 A，T
J
= 125 °C
在我
F
= 10 A，T
J
= 25 °C
在我
F
= 10 A，T
J
= 125 °C
最大反向电流每
在工作峰值反向二极管
电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
R
V
F
符号
价值
0.88
0.72
0.96
0.80
5.0
1.0
A
mA
V
单位
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.4
MBRF
4.5
MBRB
2.4
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
MBR10H150CT-E3/45
MBRF10H150CT-E3/45
SB10H150CT-1E3/45
单位重量（g ）
2.06
2.20
1.58
封装代码
45
45
45
基地数量
50/Tube
50/Tube
50/Tube
配送方式
管
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
12
MBR ， MBRB
10
MBRF
8
200
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
峰值正向浪涌电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
平均正向电流（ A）
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
175
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向降额曲线（总）
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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2
文档编号： 88779
修订： 7月27日07
MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
100
10000
正向电流（A ）
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
1
结电容（pF ）
1000
100
T
J
= 25 °C
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10000
100
T
J
= 175 °C
瞬时反向电流（ μA ）
1000
T
J
= 125 °C
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
MBRF
10
T
J
= 75 °C
1
MBR ， MBRB
1
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
T
J
= 25 °C
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
文档编号： 88779
修订： 7月27日07
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MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
T O服务-220AB
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.343 (8.70)
典型值。
ITO-220AB
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
DIA 。
1.21 (3.08)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.150 （ 3.80 ）直径。
0.139 (3.54)
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.193 (4.90)
0.177 (4.50)
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
0.067
（ 1.70 ）典型值。
0.331 (8.40)
典型值。
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1
0.118
（ 3.00 ）典型值。
针
2
3
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1.161 (29.48)
1.106 (28.08)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
0.320 (8.12)
0.304 (7.72)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
1
针
2
3
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.058 （ 1.47 ）最大。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
TO-262AA
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
K
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1
针
2
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
3
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
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4
文档编号： 88779
修订： 7月27日07
法律免责声明
日前，Vishay
通告
这里所显示的产品规格如有变更，恕不另行通知。日前，Vishay Intertechnology，Inc.宣布，
或任何代表其承担的任何错误或不准确承担任何责任。
本文所含信息的目的是只提供产品说明书。没有许可证，明示或暗示，由
禁止反言或其他任何知识产权授予本文件。除Vishay的规定
条款和销售此类产品的情况，日前，Vishay不承担任何责任，并免除任何明示
或暗示的担保，以销售Vishay的产品包括责任或担保有关适用性和/或使用
适用于特定用途，适销性，或不侵犯任何专利，版权或其他知识产权。
本文所展示的产品并非设计用于医疗，救生或生命维持应用。
使用或在此类应用中使用销售这些产品的客户这样做在自己的风险，并同意完全
Vishay的赔偿对此类不当使用或销售行为造成的任何损害。
文档编号： 91000
修订： 08 -APR- 05
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1
MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
低漏电流5.0 μA
TO-220AB
ITO-220AB
特点
Guardring过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
??高频工作
1
2
3
1
2
3
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器的使用，续流和
极性保护应用。
MBR10H150CT
MBRF10H150CT
TO-262AA
1
2
3
SB10H150CT-1
销1
3脚
销2
例
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须试验
安装扭矩：
最大10磅
极性：
由于标
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
2x5A
150 V
160 A
0.72 V
175 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（图1）
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR10H150CT
150
150
150
10
5
160
1.0
10
11.25
10 000
- 65 + 175
1500
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / μs的
°C
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单半正弦波叠加
每个二极管的额定载荷
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
每个二极管的峰值非重复性反向浪涌能量（ 8/20微秒波形）
每个二极管非重复性雪崩能量在25 ° C，I
AS
= 1.5 ， L = 10毫亨
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压端子（ ITO - 220AB只）到散热片T = 1分
文档编号： 88779
修订： 18 -APR- 08
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1
MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
I
F
= 5.0 A
最大正向电压PER
二极管
(1)
I
F
= 5.0 A
I
F
= 10 A
I
F
= 10 A
每个二极管的最大反向电流
工作峰值反向电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
R
V
F
符号
价值
0.88
0.72
0.96
0.80
5.0
1.0
A
mA
V
单位
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.4
MBRF
4.5
MBRB
2.4
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
MBR10H150CT-E3/45
MBRF10H150CT-E3/45
SB10H150CT-1E3/45
单位重量（g ）
2.06
2.20
1.58
封装代码
45
45
45
基地数量
50/tube
50/tube
50/tube
配送方式
管
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
12
MBR ， MBRB
200
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
平均正向电流（ A）
10
MBRF
8
峰值正向浪涌电流（ A）
150
175
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
6
4
2
0
25
50
75
100
125
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向降额曲线（总）
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
100
10 000
正向电流（A ）
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
1
结电容（pF ）
1000
100
T
J
= 25 °C
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10 000
T
J
= 175 °C
1000
T
J
= 125 °C
100
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
瞬时反向电流（ μA ）
10
MBRF
MBR ， MBRB
1
10
T
J
= 75 °C
1
0.1
T
J
= 25 °C
0.01
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
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MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
TO-220AB
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.343 (8.70)
典型值。
0.150 (3.80)
0.139 (3.54)
DIA 。
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.331 (8.40)
典型值。
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1.161 (29.48)
1.106 (28.08)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
ITO-220AB
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
DIA 。
1.21 (3.08)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.193 (4.90)
0.177 (4.50)
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
0.067 (1.70)
典型值。
针
1 2 3
0.118 (3.00)
典型值。
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
1
针
2
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
0.320 (8.12)
0.304 (7.72)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
3
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100 (2.54)
典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.058 （ 1.47 ）最大。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
TO-262AA
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
K
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1
针
2
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
3
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
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MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
双共阴极高压肖特基整流器
低漏电流5.0 μA
TO-220AB
ITO-220AB
特点
Guardring过电压保护
低功耗，高效率
低正向压降
??高频工作
1
2
3
1
2
3
浸焊260℃ 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
典型应用
对于高频率逆变器，续流和使用
极性保护应用。
MBR10H150CT
MBRF10H150CT
TO-262AA
1
2
3
SB10H150CT-1
销1
3脚
销2
例
机械数据
案例：
TO- 220AB ， ITO - 220AB ， TO- 262AA
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
j
2x5A
150 V
160 A
0.72 V
175 °C
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002B和JESD22- B102D
E3后缀为商业级
安装扭矩：
最大10磅
极性：
由于标
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流（参见图1 ）
设备总
每二极管
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
I
RRM
E
RSM
E
AS
dv / dt的
T
J
, T
英镑
V
AC
MBR10H150CT
150
150
150
10
5
160
1.0
10
11.25
10000
- 65 + 175
1500
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / μs的
°C
V
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波叠加
每个二极管的额定负载
在t重复峰值反向电流每二极管
p
= 2微秒， 1千赫
每个二极管的峰值非重复性反向浪涌能量（ 8/20微秒波形）
每个二极管非重复性雪崩能量在25 ° C，I
AS
= 1.5 ， L = 10毫亨
变化的电压率（额定V
R
)
工作结存储温度范围
隔离电压（ ITO - 220AB只）
从终端到散热片t为1分钟
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MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
测试条件
在我
F
= 5.0 A，T
J
= 25 °C
最大瞬时
每个二极管的正向电压
(1)
在我
F
= 5.0 A，T
J
= 125 °C
在我
F
= 10 A，T
J
= 25 °C
在我
F
= 10 A，T
J
= 125 °C
最大反向电流每
在工作峰值反向二极管
电压
(1)
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
T
J
= 25 °C
T
J
= 125 °C
I
R
V
F
符号
价值
0.88
0.72
0.96
0.80
5.0
1.0
A
mA
V
单位
热特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
每个二极管的典型热阻
符号
R
θJC
MBR
2.4
MBRF
4.5
MBRB
2.4
单位
° C / W
订购信息
（例）
包
TO-220AB
ITO-220AB
TO-262AA
首选的P / N
MBR10H150CT-E3/45
MBRF10H150CT-E3/45
SB10H150CT-1E3/45
单位重量（g ）
2.06
2.20
1.58
封装代码
45
45
45
基地数量
50/Tube
50/Tube
50/Tube
配送方式
管
管
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
12
MBR ， MBRB
10
MBRF
8
200
T
J
= T
J
马克斯。
8.3
毫秒单一正弦半波
峰值正向浪涌电流（ A）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1
平均正向电流（ A）
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
175
10
100
外壳温度（ ° C）
数
环，在60赫兹的
图1.正向降额曲线（总）
图2.最大非重复峰值正向浪涌
目前每二极管
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MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
100
10000
正向电流（A ）
T
J
= 175 °C
10
T
J
= 125 °C
T
J
= 75 °C
1
结电容（pF ）
1000
100
T
J
= 25 °C
0.1
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2
10
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图3.典型正向特性每二极管
图5.典型结电容每二极管
10000
100
T
J
= 175 °C
瞬时反向电流（ μA ）
1000
T
J
= 125 °C
100
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
MBRF
10
T
J
= 75 °C
1
MBR ， MBRB
1
0.1
0.01
10
20
30
40
50
60
T
J
= 25 °C
70
80
90
100
0.1
0.01
0.1
1
10
100
百分比额定峰值反向
电压
(%)
吨 - 脉冲持续时间（ S）
每二极管图4.典型的反向特性
图每二极管6.典型的瞬态热阻抗
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MBR10H150CT ， MBRF10H150CT & SB10H150CT - 1
威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
T O服务-220AB
0.055 (1.40)
0.047 (1.20)
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.343 (8.70)
典型值。
ITO-220AB
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
0.408 (10.36)
0.392 (9.96)
1.29 (3.28)
DIA 。
1.21 (3.08)
0.138 (3.50)
0.122 (3.10)
0.270 (6.88)
0.255 (6.48)
0.150 （ 3.80 ）直径。
0.139 (3.54)
0.114 (2.90)
0.106 (2.70)
0.154 (3.90)
0.138 (3.50)
0.193 (4.90)
0.177 (4.50)
0.108 (2.74)
0.092 (2.34)
0.067
（ 1.70 ）典型值。
0.331 (8.40)
典型值。
0.634 (16.10)
0.618 (15.70)
1
0.118
（ 3.00 ）典型值。
针
2
3
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1.161 (29.48)
1.106 (28.08)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.638 (16.20)
0.598 (15.20)
0.630 (16.00)
0.614 (15.60)
0.264 (6.70)
0.248 (6.50)
0.320 (8.12)
0.304 (7.72)
0.633 (16.07)
0.601 (15.67)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
1
针
2
3
0.117 (2.96)
0.101 (2.56)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.064 (1.62)
0.056 (1.42)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.396 (10.05)
0.372 (9.45)
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
0.039 (1.00)
0.024 (0.60)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.058 （ 1.47 ）最大。
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
TO-262AA
0.398 (10.10)
0.382 (9.70)
0.055 (1.40)
0.039 (1.00)
0.185 (4.70)
0.169 (4.30)
0.055 (1.40)
0.049 (1.25)
K
0.370 (9.40)
0.354 (9.00)
1
针
2
0.425 (10.80)
0.393 (10.00)
3
0.488 (12.4)
0.472 (12.00)
0.102 (2.60)
0.087 (2.20)
0.523 (13.28)
0.507 (12.88)
0.405 (10.28)
0.389 (9.88)
0.035 (0.90)
0.028 (0.70)
0.100
（ 2.54 ）典型值。
0.062 (1.57)
0.054 (1.37)
0.200 （ 5.08 ）典型值。
0.024 (0.60)
0.018 (0.45)
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文档编号： 88779
修订： 7月27日07
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修订： 08 -APR- 05
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