STGP3NB60K - STGD3NB60K
STGP3NB60KD-STGP3NB60KDFP-STGB3NB60KD
N沟道3A - 600V - TO- 220 / DPAK / D
2
PAK
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGP3NB60K
STGD3NB60K
STGP3NB60KD
STGP3NB60KDFP
STGB3NB60KD
s
s
s
s
s
s
s
V
CES
600 V
600 V
600 V
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）
（典型值） @ 125°C
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
＆ LT ;
2V
2V
2V
2V
2V
I
C
@125°C
3A
3A
3A
3A
3A
3
1
2
1
3
2
高输入阻抗（电压驱动）
低导通压降（ V
CESAT
)
低栅电荷
高电流能力
关损失包括尾电流
高频率运行
额定短路
TO-220
TO-220FP
3
3
1
1
D
2
PAK
DPAK
内部原理图
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体拥有DE-
签署IGBT的，上电先进的家庭
网孔
IGBT的，以优异的表演。
后缀“K”标识系列高优化
变频电机控制应用的短税务局局长
CUIT承受能力。
标准。版本
应用
s
高频电机控制
s
SMPS和PFC以硬开关
及谐振拓扑结构
“D”版
订购信息
销售类型
STGP3NB60K
STGD3NB60KT4
STGP3NB60KD
STGP3NB60KDFP
STGB3NB60KDT4
记号
GP3NB60K
GD3NB60K
GP3NB60KD
GP3NB60KDFP
GB3NB60KD
包
TO-220
DPAK
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
包装
管
磁带&卷轴
管
管
磁带&卷轴
2002年5月
1/14
STGP3NB60K/STGD3NB60K/STGP3NB60KD/STGP3NB60KDFP/STGB3NB60KD
绝对最大额定值
符号
参数
TO-220
D
2
PAK
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(
n
)
I
f
(1)
I
fm
(1)
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续的）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续的）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
正向电流
正向电流脉冲
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐压交流
储存温度
马克斯。工作结温
--
68
6
3
24
3
24
25
0.75
2500
- 55 150
150
--
60
价值
TO-220FP
600
20
±20
6
3
24
6
3
24
DPAK
V
V
V
A
A
A
A
A
W
W / ℃，
V
°C
单位
(
n
）脉冲宽度有限的安全工作区
只有（ 1 ）对于“D ”版
热数据
TO-220
D
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
Rthc小时
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
热阻案例散热器典型值
1.8
62.5
0.5
TO-220FP
5
DPAK
2.1
100
° C / W
° C / W
° C / W
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
主要参数
符号
V
BR （CES）上
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
C
= 250 μA ，V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
GE
= 15V,
V
GE
= 15V,
I
C
= 3 A
I
C
= 3 A， TJ = 125°C
5
2.3
1.9
分钟。
600
50
500
±100
7
2.8
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
V
2/14
STGP3NB60K/STGD3NB60K/STGP3NB60KD/STGP3NB60KDFP/STGB3NB60KD
切换参数
符号
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
TSCW
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
宙
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CE
= 25V ， IC = 3] A
V
CE
= 25V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
典型值。
2.4
218
33
5.8
14
3.3
7.5
10
14
5
520
30
122
26.5
33
100
58
85
210
66
100
120
165
195
18
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
s
ns
ns
A / μs的
J
ns
ns
ns
ns
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
V
CE
= 480V ，我
C
= 3 A,
V
GE
= 15V
V
ce
= 0.5 V
BR （CES）上
, V
GE
=15V,
TJ = 125°C ，R
G
= 10
V
CC
= 480 V，I
C
= 3 A
R
G
= 10, V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V，I
C
= 3 A R
G
=10
V
GE
= 15 V ， TJ = 125°C
V
cc
= 480 V，I
C
= 3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
TJ = 25 C
V
cc
= 480 V，I
C
= 3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
集电极 - 发射极二极管（ “D ”版）
符号
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
测试条件
I
f
= 1.5 A
I
f
= 1.5 A， TJ = 125°C
I
f
= 3 A，V
R
= 35 V,
TJ = 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
分钟。
典型值。
1.31
0.95
45
70
2.7
马克斯。
1.8
单位
V
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的最大值。结温。
（ ** ）的损失也包括尾（JEDEC标准）
3/14
STGP3NB60K/STGD3NB60K/STGP3NB60KD/STGP3NB60KDFP/STGB3NB60KD
输出特性
传输特性
跨
归集电极发射极电压上VS温度。
集电极 - 发射极电压上VS集电极电流
栅极阈值与温度
4/14
STGP3NB60K/STGD3NB60K/STGP3NB60KD/STGP3NB60KDFP/STGB3NB60KD
归一化的击穿电压与温度
电容变化
栅极电荷VS栅极 - 发射极电压
开关损耗总VS栅极电阻
开关损耗总与温度
发射极 - 集电极二极管特性
5/14
STGP3NB60KD - STGP3NB60KDFP
STGB3NB60KD
N沟道6A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / D
2
PAK
防短路的PowerMESH IGBT
TYPE
STGP3NB60KD
STGP3NB60KDFP
STGB3NB60KD
s
s
s
s
s
s
s
V
CES
600 V
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）
（最大值） @ 25°C
< 2.8 V
< 2.8 V
< 2.8 V
I
C
(#)
@100°C
6A
6A
6A
3
1
2
1
2
3
高输入阻抗（电压驱动）
低导通压降（ V
CESAT
)
低栅电荷
高电流能力
关损失包括尾电流
高频率运行
额定短路
TO-220
TO-220FP
3
1
D
2
PAK
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体拥有DE-
签署IGBT的，上电先进的家庭
网孔
IGBT的，以优异的表演。
后缀“K”标识系列高优化
变频电机控制应用的短税务局局长
CUIT承受能力。
内部原理图
应用
s
高频电机控制
s
SMPS和PFC以硬开关
及谐振拓扑结构
订购信息
销售类型
STGP3NB60KD
STGP3NB60KDFP
STGB3NB60KDT4
记号
GP3NB60KD
GP3NB60KDFP
GB3NB60KD
包
TO-220
TO-220FP
D
2
PAK
包装
管
管
磁带&卷轴
2004年3月
1/12
STGP3NB60KD-STGP3NB60KDFP-STGB3NB60KD
绝对最大额定值
符号
参数
TO-220
D
2
PAK
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C (#)
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C (#)
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐压交流
储存温度
马克斯。工作结温
50
0.4
--
- 55 150
150
600
20
±20
10
6
24
25
0.2
2500
价值
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V
°C
°C
单位
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
热数据
TO-220
D
2
PAK
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
2.5
62.5
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
主要参数
符号
V
BR （CES）上
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
I
C
= 250 μA ，V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
GE
= 15V ，我
C
= 3 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 3 A， TJ = 125°C
5
2.3
1.9
分钟。
600
50
500
±100
7
2.8
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
V
V
2/12
STGP3NB60KD-STGP3NB60KDFP-STGB3NB60KD
切换参数
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
TSCW
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
宙
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
E
ts
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
短路承受时间
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CE
= 25V ， IC = 3] A
V
CE
= 25V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
典型值。
2.4
220
50
5.8
14
3.3
7.5
10
14
5
520
30
90
20
33
100
58
85
190
54
90
130
111
195
18
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
s
ns
ns
A / μs的
J
ns
ns
ns
ns
J
J
ns
ns
ns
ns
J
J
V
CE
= 480V ，我
C
= 3 A,
V
GE
= 15V
V
ce
= 0.5 V
BR （CES）上
, V
GE
=15V,
TJ = 125°C ，R
G
= 10
V
CC
= 480 V，I
C
= 3 A
R
G
= 10, V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V，I
C
= 3 A R
G
=10
V
GE
= 15 V ， TJ = 125°C
V
cc
= 480 V，I
C
= 3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
TJ = 25 C
V
cc
= 480 V，I
C
= 3 A,
R
GE
= 10
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
集电极 - 发射极二极管
符号
I
f
I
fm
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电流
正向电流脉冲
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
f
= 1.5 A
I
f
= 1.5 A， TJ = 125°C
I
f
= 3 A，V
R
= 35 V,
TJ = 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
1.2
0.95
45
70
2.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
24
1.8
单位
A
A
V
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
（ ** ）的损失也包括尾（JEDEC标准）
（＃）根据迭代公式计算：
T
JMAX
– T
C
I
C
(
T
C
)
= --------------------------------------------------------------------------------------
R
THJ - C
×
V
CESAT
(
最大
)
(T
C
,
I
C
)
3/12
STGP3NB60KD-STGP3NB60KDFP-STGB3NB60KD
输出特性
传输特性
跨
归集电极发射极电压上VS温度。
集电极 - 发射极电压上VS集电极电流
栅极阈值与温度
4/12
STGP3NB60KD-STGP3NB60KDFP-STGB3NB60KD
归一化的击穿电压与温度
电容变化
栅极电荷VS栅极 - 发射极电压
开关损耗总VS栅极电阻
开关损耗总与温度
发射极 - 集电极二极管特性
5/12
QQ：2880707522 复制
