SENSITRON
半导体
技术参数
数据表1057 ， REV 。 -
SHD114611
SHD114611A
SHD114611B
密封功率肖特基整流器
描述：
一个30伏， 120 AMP ，密封功率肖特基整流器IN A SHD - 3 / 3A / 3B
封装。
最大额定值
等级
峰值反向电压
最大直流输出电流（阴极维护@ T
C
=100 C)
最大非重复正向浪涌电流（ T = 10ms时，正弦波）
最大结电容
(V
r
=5V)
O
所有评级ARE @ T
C
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
PIV
I
O
I
FSM
C
T
马克斯。
30
120
1650
6600
0.20
-65
+ 150
单位
伏
安培
安培
pF
° C / W
C
最大热阻（结到安装表面，阴极）
最大工作和存储温度范围
R
JC
热门/ TSTG
电气特性
特征
最大正向电压降，脉冲（I
f
= 120安培）
T
J
= 25
C
符号
马克斯。
单位
V
f
0.53
0.43
伏
T
J
= 125
C
最大反向电流（I
r
@ 30 V PIV ）
T
J
= 25
C
I
r
12
600
mA
T
J
= 125
C
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
万维网网站 - http://www.sensitron.com电子邮件地址 - sales@sensitron.com
SHD114611
SHD114611A
SHD114611B
SENSITRON
数据表1057 ， REV 。 -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.410±.010
(10.4±.254)
.550±.020
(14.0±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
.560±.020
.410±.010
(10.4±.254)
(14.2±.508)
.150±.010
(3.81±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.200±.010
(5.08 ±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.015±.005
(.381±.127)
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼盖
.020±.005 R
(.508±.127 )
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
.020±.005 R
(.508±.127 )
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼基
钼盖
钼基
（阴极）
钼阳极
.020±.002
(.508±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-3
SHD-3A
SHD-3B
221西工业苑鹿园，NY 11729-4681电话（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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半导体
技术参数
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门最新的版本
的数据表（S ） 。
2 - 在需要极高可靠性的情况下（如核电控制，航空航天，交通设备的使用，
医疗设备和安全设备），安全应该通过使用配有确保安全或由半导体器件来确保
手段，用户的故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或在任何其他原因的责任
该用户的单元，根据所述数据表（多个）操作。 Sensitron半导体公司不承担任何智力不承担任何责任
物业索赔或任何其他问题可能导致的信息，产品或在数据表中所述的电路应用。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体器件中的任何故障或造成的任何二次伤害承担责任
在使用值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，未经明确的书面许可，
Sensitron半导体。
7-产品（技术）中的数据表（S ）描述不提供给任何一方，其目的在他们的应用程序将
妨碍维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于该目的
派对。在出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合有关法律，
的规定。
221西工业苑
鹿园，NY 11729-4681
（ 631 ） 586-7600传真（ 631 ） 242-9798
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数据表1057 ， REV 。 -
SHD114611
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SHD114611B
密封功率肖特基整流器
描述：
一个30伏， 120 AMP ，密封功率肖特基整流器IN A SHD - 3 / 3A / 3B
封装。
所有评级ARE @ T
C
= 25
°C
除非另有规定ED 。
最大额定值
等级
峰值反向电压
符号
PIV
I
O
I
FSM
C
T
R
θJC
热门/ TSTG
马克斯。
30
120
1650
6600
0.20
-65
+ 150
单位
伏
安培
安培
pF
° C / W
°C
最大直流输出电流（阴极维护@ T
C
=100
O
C)
最大非重复正向浪涌电流（ T = 10ms时，正弦波）
最大结电容
(V
r
=5V)
最大热阻（结到安装表面，阴极）
最大工作和存储温度范围
电气特性
特征
最大正向电压降，脉冲（I
f
= 120安培）
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
最大反向电流（I
r
@ 30 V PIV ）
T
J
= 25
°C
T
J
= 125
°C
I
r
12
600
mA
V
f
0.53
0.43
伏
符号
马克斯。
单位
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SHD114611
SHD114611A
SHD114611B
SENSITRON
数据表1057 ， REV 。 -
机械尺寸：单位：英寸/毫米
.410±.010
(10.4±.254)
.550±.020
(14.0±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
.560±.020
(14.2±.508)
.410±.010
(10.4±.254)
.150±.010
(3.81±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.200±.010
(5.08 ±.254)
.410±.010
(10.4±.254)
.015±.005
(.381±.127)
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼盖
.020±.005 R
(.508±.127 )
铜阳极
0.090 （ 2.29 ）最大
氧化铝环
钼基
（阴极）
.015±.002
(.381±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
.020±.005 R
(.508±.127 )
0.075 （ 1.91 ）最大
氧化铝环
钼基
钼盖
钼基
（阴极）
钼阳极
.020±.002
(.508±.051)
.060±.010
(1.52±.254)
SHD-3
SHD-3A
SHD-3B
免责声明：
1本文提供的信息，包括规格和尺寸，如有更改，恕不另行通知，以提高产品
的特点。订货前，买家应联系Sensitron半导体销售部门的最新版本
数据表（ S） 。
2-在哪里极高的可靠性要求（如核电控制，航空航天，交通设备的使用情况，医疗
设备和安全设备） ，安全性应该通过使用该功能确保安全半导体器件或借助于用户的保证
故障安全防范措施或其他安排。
3-在任何情况下， Sensitron半导体对任何损害可能会导致意外事故或其他原因操作过程中的责任
根据该数据表（多个）用户的单位。 Sensitron半导体公司不承担任何知识产权的索赔或任何不负责
其它问题可能导致的信息，产品或在参数表中描述的电路的应用程序。
4-在任何情况下， Sensitron半导体是在半导体设备的任何故障或因使用产生任何二次伤害承担责任
值超过绝对最大额定值。
5没有获发牌照以任何专利或任何第三方或Sensitron半导体的其他权利的数据表（S ） 。
6数据表（S ）不得转载或复制，以任何形式，全部或部分，而不Sensitron明确的书面许可，
半导体。
7-产品（技术）的数据表中的（多个）描述不应被提供给任何一方，其目的在他们的应用程序会阻碍
维护国际和平与安全，也不是由他们的直接购买者或任何第三方适用于这一目的。当
出口这些产品（技术） ，必要的程序都将采取符合国家的有关法律法规。
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