STGP10NB60S
STGP10NB60SFP- STGB10NB60S
N沟道10A - 600V - TO- 220 / TO- 220FP / DPAK
的PowerMESH IGBT
表1 :一般特点
TYPE
STGP10NB60S
STGP10NB60SFP
STGB10NB60S
s
图1 :包装
I
C
@100°C
10 A
10 A
10 A
1
2
V
CES
600 V
600 V
600 V
V
CE ( SAT )
(最大)
@25°C
< 1.7 V
< 1.7 V
< 1.7 V
3
1
2
3
s
s
s
HIGHT输入阻抗(电压
驱动)
非常低的压降(V
CESAT
)
高电流能力
关损失包括尾电流
TO-220FP
TO-220
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局,意法半导体
设计的IGBT ,所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的,以优异的表演。
后缀“ S”标识系列优化实现
最小导通压降为低频应用程序
阳离子( <1kHz ) 。
3
1
DPAK
图2 :内部原理图
应用
s
调光器
s
静态继电器
s
电机控制
表2 :订购代码
销售类型
STGP10NB60S
STGP10NB60SFP
STGB10NB60ST4
记号
GP10NB60S
GP10NB60SFP
GB10NB60S
包
TO-220
TO-220FP
DPAK
包装
管
管
磁带&卷轴
Rev.2
2005年2月
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STGP10NB60S - STGP10NB60SFP - STGB10NB60S
表3 :绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
(1)
P
合计
V
ISO
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
反向电池保护
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续),在25 ℃下
集电极电流(连续)在100℃下
集电极电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
绝缘耐电压AC ( T = 1秒,TC = 25 ° C)
储存温度
工作结温
80
0.64
--
- 55 150
价值
TO-220/DPAK
600
20
± 20
20
10
80
25
0.20
2500
TO-220FP
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V
°C
单位
( 1 )脉冲宽度有限的最大值。结温。
表4 :热数据
分钟。
Rthj情况
热阻结案件
TO-220
DPAK
TO-220FP
Rthj - AMB
T
L
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的目的
(1.6毫米的情况下,为10秒)。
300
典型值。
马克斯。
1.56
5.0
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编)
表5 :关
符号
V
BR (CES)上
V
BR ( ECS )
I
CES
I
GES
参数
Collectro发射极
击穿电压
发射极 - 集电极
击穿电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
测试条件
I
C
= 250 μA ,V
GE
= 0
I
C
= 1mA时, V
GE
= 0
V
GE
=最大额定值, TC = 25℃
V
CE
=最大额定值, TC = 125°C
V
GE
= ± 20 V , V
CE
= 0
分钟。
600
20
10
100
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
V
A
A
nA
表6 :在
符号
V
GE (日)
V
CE ( SAT )
参数
栅极阈值电压
集电极 - 发射极
饱和电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15 V,I
C
= 5 A,
V
GE
= 15 V,I
C
= 10 A,
V
GE
= 15 V,I
C
= 10 A, TJ = 125°C
分钟。
2.5
1.15
1.35
1.25
典型值。
马克斯。
5
1.7
单位
V
V
V
V
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电气特性(续)
表7 :动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
V
CE
= 400 V,I
C
= 10 A,
V
GE
= 15 V
(参见图20)
V
钳
= 480 V
,
TJ = 150℃
R
G
= 1 k
20
测试条件
V
CE
= 25 V
,
I
C
= 10 A
V
CE
= 25 V , F = 1兆赫,V
GE
= 0
分钟。
典型值。
7
610
65
12
33
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
I
CL
闭锁电流
A
表8 :接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
EON ( 1 )
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
测试条件
V
CC
= 480 V,I
C
= 10 A R
G
=1K
V
GE
= 15 V
(参见图18)
V
CC
= 480 V,I
C
= 10 A R
G
=1K
V
GE
= 15 V , TJ = 125°C
分钟。
典型值。
0.7
0.46
8
0.6
马克斯。
单位
s
s
A / μs的
mJ
表9 :关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
电流下降时间
关断开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
电流下降时间
关断开关损耗
V
cc
= 480 V,I
C
= 10 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
T
J
= 125 °C
(参见图18)
测试条件
V
cc
= 480 V,I
C
= 10 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
(参见图18)
分钟。
典型值。
2.2
1.2
1.2
5.0
3.8
1.2
1.9
8.0
马克斯。
单位
s
s
s
mJ
s
s
s
mJ
( 1 )脉冲宽度有限的最大值。结温。
( ** )的损失也包括尾(JEDEC标准)
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STGP10NB60S - STGP10NB60SFP - STGB10NB60S
图3:输出特性
图6 :传输特性
图4:跨导
图7 :集电极 - 发射极电压上VS温
perature
图5 :集电极 - 发射极电压上VS同事
讲师电流
图8 :门Thereshold与温度
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图9 :电容变化
图12 :栅极电荷VS栅极 - 射极电压
AGE
图10 :关断损耗VS栅极电阻
图13 :关断损耗与温度
图11 :归击穿电压VS
温度
图14 :关断损耗VS集电极电流
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