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STGE50NC60VD
N沟道50A - 600V - ISOTOP
非常快的PowerMESH IGBT
特点
TYPE
STGE50NC60VD
V
CES
600V
V
CE ( SAT )
(最大)
I
C
@25°C
@100°C
2.5V
50A
高电流能力
高频率运行
低C
水库
/C
IES
比(无交叉传导
感受性
非常柔软的超快速恢复反并联二极管
ISOTOP
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局,意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭,
的PowerMESH IGBT的,以优异的
表演。后缀为“V”标识系列
对于高频优化。
图1 。
内部原理图
应用
高频逆变器
SMPS和PFC在硬开关和
谐振拓扑结构
UPS
电机驱动器
表1中。
设备简介
订货编号
记号
GE50NC60VD
ISOTOP
包装
STGE50NC60VD
2007年7月
REV 2
1/14
www.st.com
14
目录
STGE50NC60VD
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性(曲线)
............................ 7
3
4
5
测试电路
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
2/14
STGE50NC60VD
电气额定值
1
表2中。
符号
V
CES
I
C (1)
I
C (1)
I
CL (2)
V
GE
I
F
P
合计
T
英镑
Tj
电气额定值
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
集电极电流(连续)在T
C
= 25°C
集电极电流(连续)在T
C
= 100°C
集电极电流(脉冲)
栅极 - 发射极电压
在Tc = 25 ° C二极管RMS正向电流
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
-55到150
工作结温
T
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
C
CESAT
(
最大
)
C C
价值
600
80
50
200
± 20
30
260
单位
V
A
A
A
V
A
W
°C
11.根据迭代式计算:
2.脉冲宽度有限的TJMAX
表3中。
符号
Rthj情况
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻
参数
热阻结案件( IGBT )
热阻结案件(二极管)
热阻结大使
--
--
--
典型值
--
--
--
最大
0.48
1.5
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
3/14
电气特性
STGE50NC60VD
2
电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
表4 。
符号
V
BR (CES)上
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
I
CES
I
GES
g
fs
STATIC
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
I
C
= 1mA时, V
GE
= 0
分钟。
600
1.9
1.7
3.75
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
mA
nA
S
集电极 - 发射极饱和V
GE
= 15V ,我
C
= 40A
电压
V
GE
= 15V ,我
C
=40A,Tc=125°C
栅极阈值电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
正向跨导
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
CE
=最大额定值,T
C
= 25°C
V
CE
=最大额定值,T
C
= 125°C
V
GE
= ±20V, V
CE
= 0
V
CE
= 15V
,
I
C
= 20A
5.75
150
1
±100
20
表5 。
符号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
测试条件
V
CE
= 25V , F = 1MHz时,
V
GE
= 0
V
CE
= 390V ,我
C
= 40A,
V
GE
= 15V,
图17
分钟。
典型值。
4550
350
105
214
30
96
马克斯。
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
4/14
STGE50NC60VD
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
t
R( Voff时)
t
D( Voff时)
t
f
t
R( Voff时)
t
D( Voff时)
t
f
开启/关闭(感性负载)
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
CC
= 390V ,我
C
= 40A
,
R
G
= 3.3 V
GE
= 15V,
图16
V
CC
= 390V ,我
C
= 40A
,
R
G
= 3.3 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
图16
V
CC
= 390V ,我
C
= 40A
R
G
= 3.3 V
GE
= 15V,
,
图16
V
CC
= 390V ,我
C
= 40A
,
R
G
= 3.3 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
图16
分钟。
典型值。
43
17
2060
42
19
1900
25
140
45
60
170
77
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
开关能量(电感性负载)
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390V ,我
C
= 40A
,
R
G
= 3.3 V
GE
= 15V,
图18
V
CC
= 390V ,我
C
= 40A
R
G
= 3.3 V
GE
= 15V,
,
TJ = 125°C
图18
分钟。
典型值。
330
720
1050
640
1400
2040
马克斯。
450
970
1420
单位
J
J
J
J
J
J
1.宙是接通损耗时,一个典型的二极管被用在测试电路中
图18
如果IGBT提供
在一个包与助巴二极管,共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度( 25℃和125 ℃)下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
5/14
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    联系人:杨小姐
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    STGE50NC60VD
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    -
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24+
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N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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ISOTOPPARALL.
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全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
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全新原装、公司现货热卖
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