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SSM5G09TU
硅P沟道MOS型（U - MOSⅢ ） /硅外延肖特基二极管
SSM5G09TU
DC-DC变换器
结合P沟道MOSFET和肖特基二极管在一个封装内。
低R
DS （ ON）
低V
F
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C） MOSFET
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
DC
脉冲
符号
V
DS
V
GSS
I
D
I
DP
（注2 ）
P
D
（注1 ）
t
=
10s
T
ch
等级
12
±8
1.5
6.0
0.5
0.8
150
单位
V
V
A
漏极功耗
通道温度
W
°C
二极管
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C）肖特基
特征
最大（峰值）反向电压
反向电压
平均正向电流
峰值一个周期正向电流浪涌
（不重复）
结温
符号
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
T
j
等级
15
12
0.5
2（ 50赫兹）
125
单位
V
V
A
A
°C
UFV
JEDEC
JEITA
东芝
2-2R1A
重量： 7毫克（典型值）。
绝对最大额定值
（大
=
25 ° C）的MOSFET ，二极管常见
特征
储存温度
工作温度
符号
T
英镑
T
OPR
（注3）
等级
55~125
40~85
单位
°C
°C
注意：
在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著
即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对
最大额定值。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
（ “注意事项” / “降额的概念和方法” ）和个人数据的可靠性（即可靠性试验
报告与估计的故障率，等）。
注1 ：安装在FR4板
(25.4 mm
×
25.4 mm
×
1.6吨， Cu焊盘： 645毫米
2
)
注2 ：脉冲宽度有限的最大通道温度。
注3 ：工作温度限制的最大通道温度和最大结温。
1
2007-11-01
SSM5G09TU
记号
5
4
等效电路
5
4
KEP
1
2
3
1
2
3
操作注意事项
当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保
环境的保护，防止静电放电。操作人员应穿防静电工作服和使用
容器和所制成的防静电材料的其他对象。
该通道到环境热阻R
第（章-a）的
和漏极功耗P
D
根据各不相同
板材料，电路板面积，板的厚度和板面积。使用本设备时，一定要采取热
散热充分考虑。
2
2007-11-01
SSM5G09TU
MOSFET
电气特性
（大
=
25°C)
特征
栅极漏电流
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
正向转移导纳
漏源导通电阻
输入电容
反向传输电容
输出电容
开关时间
开启时间
打开-O FF时间
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSX
I
DSS
V
th
|Y
fs
|
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
RSS
C
OSS
t
on
t
关闭
测试条件
V
GS
= ±8
V, V
DS
=
0
I
D
= 1
毫安，V
GS
=
0
I
D
= 1
毫安，V
GS
=
+8 V
V
DS
= 12
V, V
GS
=
0
V
DS
= 3
V，I
D
= 0.1
mA
V
DS
= 3
V，I
D
= 0.75
A
I
D
= 0.75
A，V
GS
= 4
V
（注4 ）
（注4 ）
民
12
4
0.5
1.75
典型值。
3.5
100
130
550
155
170
34
28
最大
±1
1
1.1
130
200
单位
μA
V
μA
V
S
mΩ
pF
pF
pF
ns
I
D
= 0.75
A，V
GS
= 2.5
V（注4 ）
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DS
= 10
V, V
GS
=
0, f
=
1兆赫
V
DD
= 10
V，I
D
= 0.75
A
V
GS
=
0 -2.5 V ，R
G
=
4.7
Ω
注4 ：脉冲测量
开关时间测试电路
（ a）测试电路
0
2.5
V
10
μs
OUT
V
DD
= 10
V
R
G
=
4.7
Ω
税
＆ LT ;
1%
=
V
IN
: t
r
, t
f
＆ LT ;
5纳秒
常见的来源
Ta
=
25°C
（二）V
IN
0V
10%
90%
IN
R
G
2.5
V
V
DS （ ON）
90%
10%
t
r
t
on
（三）V
OUT
V
DD
V
DD
t
f
t
关闭
注意事项
V
th
可表示为栅极和源极之间的电压时，低工作电流值是我
D
=
100
μA
此产品。对于正常的开关操作，V
GS （上）
需要较高的电压比V
th
和V
GS （关闭）
需要较低的电压比V
th
。 （该关系，可以建立如下：V
GS （关闭）
＆ LT ;
V
th
＆ LT ;
V
GS （上） 。
)
请务必在使用该设备时要考虑到这一点。
3
2007-11-01
SSM5G09TU
肖特基二极管
电气特性
（大
=
25°C)
特征
正向电压
反向电流
总电容
符号
V
F (1)
V
F (2)
I
R
C
T
I
F
=
0.3 A
I
F
=
0.5 A
V
R
=
12 V
V
R
=
0 V，F
=
1兆赫
测试条件
民
典型值。
0.33
0.37
80
最大
0.39
0.43
100
单位
V
V
μA
pF
注意事项
该产物的肖特基势垒二极管具有大的反向电流泄漏特性进行比较，以
其他开关二极管。这个电流泄漏和不恰当的操作温度或电压可能会造成
热失控。一定要采取正向和反向的损失考虑在内，当你设计。
4
2007-11-01
SSM5G09TU
MOS电气特性图
I
D
- V
S
（ MO S FET ）
-4
I
D
- V
的s
（ MO S FET ）
常见的来源
Ta=25℃
-4.0V
-3.5
-3
漏电流I
D
（MA ）
-2.5
-
10000
-2.5V
-2.0V
常见的来源
V
DS
=-3V
-
1000
-
100
Ta=85℃
25℃
V
GS
=-1.8V
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0
-0.5
-1
漏源电压V
DS
(V)
-1.5
-2
漏电流I
D
（MA ）
-
10
-25℃
-
1
-
0.1
-
0.01
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
R
S（O N）
- I
D
（ MO S FET ）
300
0.5
R
S（O N）
- V
的s
（ MO S FET ）
常见的来源
I
D
=-0.6A
0.4
漏源导通电阻
常见的来源
Ta=25℃
漏源导通电阻
200
R
DS （ ON）
(mΩ)
R
DS （ ON）
(Ω)
-2.5V
0.3
0.2
100
25℃
Ta=85℃
V
GS
=-4.0V
0.1
-25℃
0
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-3.5
-4
漏电流I
D
(A)
0
0
-2
-4
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
-6
-8
R
S（O N）
- 钽（ MO S FET ）
300
-2
V日 - TA （ MO S FET ）
常见的来源
I
D
=-0.1mA
V
DS
=-3V
常见的来源
I
D
=-0.6A
-1.8
-1.6
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
(Ω)
-2.5V
栅极阈值电压
值Vth（ V）的
200
-1.4
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
100
-4.0V
0
-25
0
25
50
75
100
0
-25
0
25
50
75
100
AMBIENT期温度TA（ ℃ ）
AMBIENT期温度TA（ ℃ ）
5
2007-11-01
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SI-53006-F
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