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STGP7NC60H - STGD7NC60H
N沟道14A - 600V TO- 220 / DPAK
非常快的PowerMESH IGBT
表1 ：一般特点
TYPE
STGP7NC60H
STGD7NC60HT4
s
s
s
s
图1 ：包装
I
C
@100°C
14 A
14 A
3
1
V
CES
600 V
600 V
V
CE （ SAT ）
（最大）
@25°C
< 2.5 V
< 2.5 V
s
更低的导通压降（ V
CESAT
)
关损失包括尾电流
LOWER
水库
/C
IES
比
高工作频率最高为70
千赫
全新一代产品
严格的参数分布
3
1
2
TO-220
DPAK
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计的IGBT ，所述Pow-一种先进的家庭
erMESH
IGBT的，以优异的表演。
后缀"H"确定一个家庭的高优化
为了实现非常高频应用
高开关性能（降低TFALL ）联机
泰宁一低的电压降。
重量为TO- 220 ： 1.92gr ± 0.01
重量DPAK ： 0.38gr ± 0.01
图2 ：内部原理图
应用
s
高频逆变器
s
SMPS和PFC以硬开关
及谐振拓扑结构
s
电机驱动器
表2 ：订购代码
产品型号
STGP7NC60H
STGD7NC60HT4
记号
GP7NC60H
D7NC60H
包
TO-220
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
第2版
2005年6月
1/12
STGP7NC60H - STGD7NC60H
表3 ：绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
合计
T
英镑
T
j
参数
TO-220
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C (#)
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C (#)
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
工作结温
80
0.64
- 55 150
600
20
±20
25
14
50
70
0.56
价值
DPAK
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的最大。结温。
表4 ：热数据
分钟。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
L
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的
目的（1.6毫米的情况下，为10秒）。
TO-220
DPAK
TO-220
DPAK
TO-220
DPAK
300
275
典型值。
马克斯。
1.56
1.78
62.5
100
° C / W
° C / W
°C
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表5 ：主要技术参数
符号
V
BR （CES）上
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
栅极阈值电压
集电极 - 发射极
饱和电压
测试条件
I
C
= 1毫安， V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GE
= ± 20V , V
CE
= 0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 7 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 7的，TC = 125°C
3.75
1.85
1.7
分钟。
600
10
1
±100
5.75
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
mA
nA
V
V
V
（＃）根据迭代公式计算：
T
–T
JMAX
C
-
I
(
T
)
= -------------------------------------------------------------------------------------------------
C C
R
×
V
(T
,
I )
THJ - C
CESAT
(
米斧
)
C C
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STGP7NC60H - STGD7NC60H
电气特性
（续）
表6 ：动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
I
CL
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
关断SOA最低
当前
V
CE
= 390 V，I
C
= 7 A,
V
GE
= 15 V
（参见图21）
V
钳
= 480 V
,
TJ = 150℃
R
G
= 10
,
V
GE
= 15 V
50
测试条件
V
CE
= 15 V
,
I
C
= 7 A
V
CE
= 25 V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
典型值。
4.30
720
81
17
35
7
16
48
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
A
（ 1 ）脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表7 ：接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
,
V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图18）
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
,
V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图19）
分钟。
典型值。
18.5
8.5
1060
18.5
7
1000
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
ns
ns
A / μs的
表8 ：关闭
符号
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
参数
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
测试条件
V
cc
= 390 V，I
C
= 7 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
T
J
= 25 °C
（参见图19）
V
cc
= 390 V，I
C
= 7 A,
R
G
= 10
, V
GE
= 15 V
TJ = 125°C
（参见图19）
分钟。
典型值。
27
72
60
56
116
105
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表9 ：开关能量
符号
宙（2）
E
关闭
(3)
E
ts
宙（2）
E
关闭
(3)
E
ts
参数
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
,
V
GE
= 15V ， TJ = 25°C
（参见图19）
V
CC
= 390 V，I
C
= 7 A
R
G
= 10
,
V
GE
= 15V ， TJ = 125°C
（参见图19）
分钟。
典型值。
95
115
210
140
215
355
最大
125
150
275
单位
J
J
J
J
J
J
2）宙是接通损耗时，一个典型的二极管被用在测试电路在图2中如果IGBT提供一个包与助包二极管
共包二极管用作外部二极管。的IGBT &二极管是在同一温度（ 25℃和125 ℃）下
（ 3 ）关断损耗还包括集电极电流的尾部。
3/12
STGP7NC60H - STGD7NC60H
图3：输出特性
图6 ：传输特性
图4：跨导
图7 ：集电极 - 发射极电压上VS温
perature
图5 ：集电极 - 发射极电压上VS同事
讲师电流
图8 ：归栅极阈值VS温
perature
4/12
STGP7NC60H - STGD7NC60H
图9 ：归击穿电压VS
温度
图12 ：栅极电荷VS栅极 - 射极电压
AGE
图10 ：电容变化
图13 ：开关损耗总VS Temper-
ATURE
图11 ：开关损耗VS总重门
sistance
图14 ：开关损耗总VS收藏家
当前
5/12
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