STGD6NC60H
N沟道600V - 7A - DPAK
非常快的PowerMESH IGBT
一般特点
TYPE
STGD6NC60H
■
■
■
V
CES
600V
V
CE （ SAT ）
最大
@25°C
<2.5V
I
C
@100°C
7A
3
1
低电压降（V
CESAT
)
低C
水库
/ C
IES
比（无交叉传导
易感性）
高频率运行
DPAK
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH IGBT的，以优异的
表演。后缀“ H”的标识家庭
对于以高频应用进行优化
要达到非常高的开关性能
（减少TFALL ）曼塔在荷兰国际集团的低电压降。
内部原理图
应用
■
■
■
高频逆变器
SMPS和PFC以硬开关和
谐振拓扑结构
电机驱动器
订货编号
产品型号
STGD6NC60HT4
记号
GD6NC60H
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
2007年2月
REV 3
1/14
www.st.com
14
目录
STGD6NC60H
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
2/14
STGD6NC60H
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
I
C(1)
I
C(1)
I
CM(2)
V
GE
P
合计
T
英镑
T
j
T
l
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
栅极 - 发射极电压
总功耗在T
C
= 25°C
储存温度
- 55 150
工作结温
最大无铅焊接温度的目的
（为10秒1.6毫米的情况下）
T
–
T
JMAX
C
I
(
T
)
= -----------------------------------------------------------------------------------------------------
-
C C
R
×
V
(
T
,
I
)
THJ
–
C
CESAT
(
最大
)
C C
价值
600
15
7
21
±20
56
单位
V
A
A
A
V
W
°C
°C
300
11.根据迭代式计算值::
2.
脉冲宽度有限的最高结温
表2中。
符号
热阻
参数
价值
2
62.5
单位
° C / W
° C / W
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结到环境的最大
3/14
STGD6NC60H
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 3A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 25°C
（参见图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 3A
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
,
Tj=125°C
（参见图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 3A,
R
GE
= 10 V
GE
=
,
15V,T
J
=25°C
（参见图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 3A,
,
R
GE
=10 V
GE
=15V,
Tj=125°C
（参见图17）
分钟。
典型值。
12
5
612
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
导通延迟时间
电流上升时间
导通电流斜率
13
4.3
560
ns
ns
A / μs的
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
40
76
100
ns
ns
ns
关闭电压上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
60
98
124
ns
ns
ns
表6 。
符号
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
E
on(1)
E
off(2)
E
ts
开关能量（电感性负载）
参数
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
测试条件
V
CC
= 390V ，我
C
= 3A
,
R
G
= 10 V
GE
=15V,
Tj=25°C
（参见图17）
V
CC
= 390V ，我
C
= 3A
,
R
G
= 10 V
GE
= 15V,
TJ = 125°C
（参见图17）
分钟。
典型值。
20
68
88
马克斯。
单位
J
J
J
导通开关损耗
关断的开关损耗
总开关损耗
37
93
130
J
J
J
1.宙是屯通损失时一个典型的二极管被用在测试电路中
图17 。
如果IGBT提供
在一个包与助巴二极管，共包二极管被用作外部二极管。的IGBT &二极管是在
同一温度（ 25℃和125 ℃）下
2.关断损耗还包括集电极电流的尾巴
5/14
QQ：2880707522 复制
