SN74LVC2G66
双边双模拟开关
www.ti.com
SCES325H - 2001年7月 - 修订2005年7月
特点
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
1.65 V至5.5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
0.8 ns的电压为3.3 V
高开 - 关输出电压比
线性程度高
高速，一般为0.5纳秒
(V
CC
= 3 V ，C
L
= 50 pF的）
轨到轨输入/输出
低导通电阻，通常
≈6
(V
CC
= 4.5 V)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
DCT或DCU包装
（ TOP VIEW ）
1A
1B
2C
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1C
2B
2A
是的，是的， YZA ，或YZP包装
（底视图）
GND
2C
1B
1A
4 5
3 6
2 7
1 8
2A
2B
1C
V
CC
描述/订购信息
这种双重双边模拟开关是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G66可以处理模拟和数字信号。该设备允许以高达振幅信号
至5.5 V （峰值）在任一方向进行传输。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
每个切换部分都有自己的使能输入的对照（C） 。施加到C的高电平电压接通
相关的开关部分。
应用包括信号选通，剁碎，调制或解调器（调制解调器） ，以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
T
A
包
(1)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）
-40 ° C至85°C
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
(1)
(2)
3000卷
3000卷
250的卷轴
订购型号
SN74LVC2G66YEAR
SN74LVC2G66YZAR
3000卷
SN74LVC2G66YEPR
SN74LVC2G66YZPR
SN74LVC2G66DCTR
SN74LVC2G66DCUR
SN74LVC2G66DCUT
C66_ _ _
C66_
_ _ _C6_
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。
DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年，月，和序列码，和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar ， NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2005德州仪器
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双边双模拟开关
SCES325H - 2001年7月 - 修订2005年7月
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功能表
（每科）
控制
输入
(C)
L
H
开关
关闭
On
逻辑图，每个开关（正逻辑）
1A
1
2
1B
1C
7
之一的两个开关
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
I / OK
I
T
电源电压范围
(2)
输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压
范围
(2) (3) (4)
V
I
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0或V
I / O
＆ GT ; V
CC
V
I / O
= 0至V
CC
DCT包
θ
JA
封装的热阻抗
(5)
DCU包装
YEA / YZA包
YEP / YZP包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
存储温度范围
–65
控制输入钳位电流
I / O端口二极管电流
ON状态的开关电流
连续电流通过V
CC
或GND
–0.5
–0.5
–0.5
最大
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
220
227
140
102
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
这个值被限制为5.5 V，最大。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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双边双模拟开关
SCES325H - 2001年7月 - 修订2005年7月
推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I / O
电源电压
I / O端口电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IH
高电平输入电压，控制输入
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IL
低层次的输入电压，控制输入
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
控制输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
ΔT/ ΔV
输入过渡的上升/下降时间
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
0
1.65
0
V
CC
× 0.65
V
CC
× 0.7
V
CC
× 0.7
V
CC
× 0.7
V
CC
× 0.35
V
CC
× 0.3
V
CC
× 0.3
V
CC
× 0.3
5.5
20
20
10
10
85
°C
NS / V
V
V
V
最大
5.5
V
CC
单位
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
3
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双边双模拟开关
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
I
S
= 4毫安
r
on
通态电阻开关
V
I
= V
CC
或GND ，
V
C
= V
IH
（见
图1
和
图2）
I
S
= 8毫安
I
S
= 24毫安
I
S
= 32毫安
I
S
= 4毫安
r
对（p）的
峰值通态电阻
V
I
= V
CC
到GND ，
V
C
= V
IH
（见
图1
和
图2）
I
S
= 8毫安
I
S
= 24毫安
I
S
= 32毫安
I
S
= 4毫安
r
on
通态电阻的差别
交换机之间
V
I
= V
CC
到GND ，
V
C
= V
IH
（见
图1
和
图2）
V
I
= V
CC
和V
O
= GND或
V
I
= GND和V
O
= V
CC
,
V
C
= V
IL
（见
图3）
V
I
= V
CC
或GND ，V
C
= V
IH
, V
O
=打开
（见
图4）
V
C
= V
CC
或GND
V
C
= V
CC
或GND
V
C
= V
CC
– 0.6 V
I
S
= 8毫安
I
S
= 24毫安
I
S
= 32毫安
I
S（ OFF）
断态开关漏电流
V
CC
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
最小值典型值
(1)
12.5
9
7.5
6
85
22
12
7.5
最大
30
20
15
10
120
(1)
30
(1)
20
15
7
5
3
2
±1
±0.1
(1)
±1
±0.1
(1)
±1
±0.1
(1)
10
1
(1)
500
3.5
6
14
A
A
A
A
A
pF
pF
pF
单位
I
秒（上）
I
I
I
CC
I
CC
C
ic
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
(1)
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
供应电流变化
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5V
5V
5V
T
A
= 25°C
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图5）
参数
t
PD （1）
t
en
(2)
从
（输入）
A或B
C
C
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
民
2.3
2.5
最大
2
10
10.5
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
民
1.6
1.2
最大
1.2
5.6
6.9
V
CC
= 3.3 V
± 0.3 V
民
1.5
2
最大
0.8
4.4
7.2
V
CC
= 5 V
± 0.5 V
民
1.3
1.1
最大
0.6
3.9
6.3
单位
ns
ns
ns
t
DIS （ 3 ）
(1)
(2)
(3)
t
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
。传播延迟的典型的通态电阻所计算的RC时间常数
开关和指定的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
t
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
t
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
4
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双边双模拟开关
SCES325H - 2001年7月 - 修订2005年7月
模拟开关特性
T
A
= 25°C
参数
从
（输入）
TO
（输出）
测试条件
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
正弦波
（见
图6）
频率响应
（开关）
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
f
in
正弦波
（见
图6）
V
CC
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图7）
相声
(1)
（之间切换）
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图7）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
相声
（控制输入到信号输出）
C
A或B
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫（方波）
（见
图8）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图9）
穿心衰减
（开关OFF）
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图9）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
C
L
= 50 pF的，R
L
= 10 k,
f
in
= 1千赫（正弦波）
（见
图10）
正弦波失真
A或B
B或A
C
L
= 50 pF的，R
L
= 10 k,
f
in
= 10千赫（正弦波）
（见
图10）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
(1)
调整F
in
电压，以获得0 dBm的输入端。
典型值
35
120
175
195
>300
>300
>300
>300
–58
–58
–58
–58
–42
–42
–42
–42
35
50
70
100
–58
–58
–58
–58
–42
–42
–42
–42
0.1
0.025
0.015
0.01
0.15
0.025
0.015
0.01
%
dB
mV
dB
兆赫
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V
典型值
8
V
CC
= 2.5 V
典型值
9
V
CC
= 3.3 V
典型值
9.5
V
CC
= 5 V
典型值
11
单位
pF
5
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双边双模拟开关
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特点
可以在德州仪器
采用NanoStar 和NanoFree 软件包
1.65 V至5.5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
0.8 ns的电压为3.3 V
高开 - 关输出电压比
线性程度高
高速，一般为0.5纳秒
(V
CC
= 3 V ，C
L
= 50 pF的）
轨到轨输入/输出
低导通电阻，通常
≈6
(V
CC
= 4.5 V)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
DCT或DCU包装
（ TOP VIEW ）
1A
1B
2C
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1C
2B
2A
是的，是的， YZA ，或YZP包装
（底视图）
GND
2C
1B
1A
4 5
3 6
2 7
1 8
2A
2B
1C
V
CC
描述/订购信息
这种双重双边模拟开关是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G66可以处理模拟和数字信号。该设备允许以高达振幅信号
至5.5 V （峰值）在任一方向进行传输。
采用NanoStar 和NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了
模具作为包。
每个切换部分都有自己的使能输入的对照（C） 。施加到C的高电平电压接通
相关的开关部分。
应用包括信号选通，剁碎，调制或解调器（调制解调器） ，以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
T
A
包
(1)
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸起 - YEA
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.17毫米的小凸点 - YZA （无铅）
-40 ° C至85°C
采用NanoStar - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YEP
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
(1)
(2)
3000卷
3000卷
250的卷轴
订购型号
SN74LVC2G66YEAR
SN74LVC2G66YZAR
3000卷
SN74LVC2G66YEPR
SN74LVC2G66YZPR
SN74LVC2G66DCTR
SN74LVC2G66DCUR
SN74LVC2G66DCUT
C66_ _ _
C66_
_ _ _C6_
顶部端标记
(2)
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。
DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YEA / YZA ， YEP / YZP ：实际的顶部端标记有三个前述的字符来表示年，月，和序列码，和一个
下面的字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
采用NanoStar ， NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2005德州仪器
SN74LVC2G66
双边双模拟开关
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功能表
（每科）
控制
输入
(C)
L
H
开关
关闭
On
逻辑图，每个开关（正逻辑）
1A
1
2
1B
1C
7
之一的两个开关
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
I / OK
I
T
电源电压范围
(2)
输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压
范围
(2) (3) (4)
V
I
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0或V
I / O
＆ GT ; V
CC
V
I / O
= 0至V
CC
DCT包
θ
JA
封装的热阻抗
(5)
DCU包装
YEA / YZA包
YEP / YZP包
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
存储温度范围
–65
控制输入钳位电流
I / O端口二极管电流
ON状态的开关电流
连续电流通过V
CC
或GND
–0.5
–0.5
–0.5
最大
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
220
227
140
102
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
这个值被限制为5.5 V，最大。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
2
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双边双模拟开关
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推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I / O
电源电压
I / O端口电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IH
高电平输入电压，控制输入
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IL
低层次的输入电压，控制输入
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
控制输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
ΔT/ ΔV
输入过渡的上升/下降时间
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
0
1.65
0
V
CC
× 0.65
V
CC
× 0.7
V
CC
× 0.7
V
CC
× 0.7
V
CC
× 0.35
V
CC
× 0.3
V
CC
× 0.3
V
CC
× 0.3
5.5
20
20
10
10
85
°C
NS / V
V
V
V
最大
5.5
V
CC
单位
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
3
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双边双模拟开关
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
I
S
= 4毫安
r
on
通态电阻开关
V
I
= V
CC
或GND ，
V
C
= V
IH
（见
图1
和
图2）
I
S
= 8毫安
I
S
= 24毫安
I
S
= 32毫安
I
S
= 4毫安
r
对（p）的
峰值通态电阻
V
I
= V
CC
到GND ，
V
C
= V
IH
（见
图1
和
图2）
I
S
= 8毫安
I
S
= 24毫安
I
S
= 32毫安
I
S
= 4毫安
r
on
通态电阻的差别
交换机之间
V
I
= V
CC
到GND ，
V
C
= V
IH
（见
图1
和
图2）
V
I
= V
CC
和V
O
= GND或
V
I
= GND和V
O
= V
CC
,
V
C
= V
IL
（见
图3）
V
I
= V
CC
或GND ，V
C
= V
IH
, V
O
=打开
（见
图4）
V
C
= V
CC
或GND
V
C
= V
CC
或GND
V
C
= V
CC
– 0.6 V
I
S
= 8毫安
I
S
= 24毫安
I
S
= 32毫安
I
S（ OFF）
断态开关漏电流
V
CC
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
最小值典型值
(1)
12.5
9
7.5
6
85
22
12
7.5
最大
30
20
15
10
120
(1)
30
(1)
20
15
7
5
3
2
±1
±0.1
(1)
±1
±0.1
(1)
±1
±0.1
(1)
10
1
(1)
500
3.5
6
14
A
A
A
A
A
pF
pF
pF
单位
I
秒（上）
I
I
I
CC
I
CC
C
ic
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
(1)
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
供应电流变化
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5V
5V
5V
T
A
= 25°C
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图5）
参数
t
PD （1）
t
en
(2)
从
（输入）
A或B
C
C
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 1.8 V
± 0.15 V
民
2.3
2.5
最大
2
10
10.5
V
CC
= 2.5 V
± 0.2 V
民
1.6
1.2
最大
1.2
5.6
6.9
V
CC
= 3.3 V
± 0.3 V
民
1.5
2
最大
0.8
4.4
7.2
V
CC
= 5 V
± 0.5 V
民
1.3
1.1
最大
0.6
3.9
6.3
单位
ns
ns
ns
t
DIS （ 3 ）
(1)
(2)
(3)
t
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
。传播延迟的典型的通态电阻所计算的RC时间常数
开关和指定的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
t
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
t
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
4
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SN74LVC2G66
双边双模拟开关
SCES325H - 2001年7月 - 修订2005年7月
模拟开关特性
T
A
= 25°C
参数
从
（输入）
TO
（输出）
测试条件
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
正弦波
（见
图6）
频率响应
（开关）
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
f
in
正弦波
（见
图6）
V
CC
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图7）
相声
(1)
（之间切换）
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图7）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
相声
（控制输入到信号输出）
C
A或B
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫（方波）
（见
图8）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图9）
穿心衰减
（开关OFF）
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图9）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
C
L
= 50 pF的，R
L
= 10 k,
f
in
= 1千赫（正弦波）
（见
图10）
正弦波失真
A或B
B或A
C
L
= 50 pF的，R
L
= 10 k,
f
in
= 10千赫（正弦波）
（见
图10）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
(1)
调整F
in
电压，以获得0 dBm的输入端。
典型值
35
120
175
195
>300
>300
>300
>300
–58
–58
–58
–58
–42
–42
–42
–42
35
50
70
100
–58
–58
–58
–58
–42
–42
–42
–42
0.1
0.025
0.015
0.01
0.15
0.025
0.015
0.01
%
dB
mV
dB
兆赫
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V
典型值
8
V
CC
= 2.5 V
典型值
9
V
CC
= 3.3 V
典型值
9.5
V
CC
= 5 V
典型值
11
单位
pF
5
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双边双模拟开关
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特点
可以在德州仪器
NanoFree 封装
1.65 V至5.5 V V
CC
手术
输入接受电压为5.5 V
最大牛逼
pd
0.8 ns的电压为3.3 V
高开 - 关输出电压比
线性程度高
DCT包
（ TOP VIEW ）
高速，一般为0.5纳秒
(V
CC
= 3 V ，C
L
= 50 pF的）
轨到轨输入/输出
低导通电阻，通常
≈6
(V
CC
= 4.5 V)
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
YZP包装
（底视图）
DCU包装
（ TOP VIEW ）
1A
1B
2C
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1C
2B
2A
1A
1B
2C
GND
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC
1C
2B
2A
GND
2C
1B
1A
4 5
3 6
2 7
1 8
2A
2B
1C
V
CC
请参见机械图纸尺寸。
描述/订购信息
这种双重双边模拟开关是专为1.65 V至5.5 -VV
CC
操作。
该SN74LVC2G66可以处理模拟和数字信号。该设备允许与振幅信号
高达5.5V（峰值） ，以在任一方向进行传输。
NanoFree 封装技术是IC封装概念的重大突破，采用了模为
封装。
每个切换部分都有自己的使能输入的对照（C） 。施加到C的高电平电压接通
相关的开关部分。
应用包括信号选通，剁碎，调制或解调器（调制解调器） ，以及信号复用为
模拟 - 数字和数字 - 模拟转换系统。
订购信息
T
A
包
(1)
NanoFree - WCSP （ DSBGA ）
0.23毫米大的凸起 - YZP （无铅）
-40 ° C至85°C
SSOP - DCT
VSSOP - DCU
(1)
(2)
3000卷
3000卷
3000卷
250的卷轴
订购型号
SN74LVC2G66YZPR
SN74LVC2G66DCTR
SN74LVC2G66DCUR
SN74LVC2G66DCUT
顶部端标记
(2)
_ _ _C6_
C66_ _ _
C66_
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
DCT ：实际的顶部端标记有一个指定的年，月，和封装/测试网站另外三个字符。
DCU ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
YZP ：实际的顶端标记有以下三个在先字符来表示年，月，和序列码，和一个
字符来指定封装/测试网站。引脚1标识符表示焊料凸点组成（ 1 =锡铅，
=无铅） 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
NanoFree是德州仪器的商标。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2001-2007 ，德州仪器
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双边双模拟开关
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功能表
（每科）
控制
输入
(C)
L
H
开关
关闭
On
逻辑图，每个开关（正逻辑）
1A
1
2
1B
1C
7
之一的两个开关
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
民
V
CC
V
I
V
O
I
IK
I
I / OK
I
T
电源电压范围
(2)
输入电压范围
(2) (3)
开关I / O电压
范围
(2) (3) (4)
V
I
＆ LT ; 0
V
I / O
＆ LT ; 0或V
I / O
＆ GT ; V
CC
V
I / O
= 0至V
CC
DCT包
θ
JA
T
英镑
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
封装的热阻抗
(5)
存储温度范围
DCU包装
YZP包装
–65
控制输入钳位电流
I / O端口二极管电流
ON状态的开关电流
连续电流通过V
CC
或GND
–0.5
–0.5
–0.5
最大
6.5
6.5
V
CC
+ 0.5
–50
–50
±50
±100
220
227
102
150
°C
° C / W
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mA
超越那些在"absolute最大ratings"上市的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值
只，而根据"recommended操作指示的装置，在这些或超出任何其他条件的功能操作
conditions"是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
所有电压都是相对于地，除非另有规定。
如果输入和输出钳位电流额定值是所观察到的输入和输出负电压额定值可能被超过。
这个值被限制为5.5 V，最大。
封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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推荐工作条件
(1)
民
V
CC
V
I / O
电源电压
I / O端口电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IH
高电平输入电压，控制输入
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
V
IL
低层次的输入电压，控制输入
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
V
I
控制输入电压
V
CC
= 1.65 V至1.95 V
ΔT/ ΔV
输入过渡的上升/下降时间
V
CC
= 2.3 V至2.7 V
V
CC
= 3 V至3.6 V
V
CC
= 4.5 V至5.5 V
T
A
(1)
工作自由空气的温度
–40
0
1.65
0
V
CC
× 0.65
V
CC
× 0.7
V
CC
× 0.7
V
CC
× 0.7
V
CC
× 0.35
V
CC
× 0.3
V
CC
× 0.3
V
CC
× 0.3
5.5
20
20
10
10
85
°C
NS / V
V
V
V
最大
5.5
V
CC
单位
V
V
该设备的所有未使用的输入必须在V举行
CC
或GND，以确保器件正常工作。请参阅TI申请报告，
慢或浮动CMOS输入的影响，
文献编号SCBA004 。
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双边双模拟开关
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电气特性
在推荐工作的自由空气的温度范围（除非另有说明）
参数
测试条件
I
S
= 4毫安
r
on
通态电阻开关
V
I
= V
CC
或GND ，
V
C
= V
IH
（见
图1
和
图2）
I
S
= 8毫安
I
S
= 24毫安
I
S
= 32毫安
I
S
= 4毫安
r
对（p）的
峰值通态电阻
V
I
= V
CC
到GND ，
V
C
= V
IH
（见
图1
和
图2）
I
S
= 8毫安
I
S
= 24毫安
I
S
= 32毫安
I
S
= 4毫安
r
on
通态电阻的差别
交换机之间
V
I
= V
CC
到GND ，
V
C
= V
IH
（见
图1
和
图2）
V
I
= V
CC
和V
O
= GND或
V
I
= GND和V
O
= V
CC
,
V
C
= V
IL
（见
图3）
V
I
= V
CC
或GND ，V
C
= V
IH
, V
O
=打开
（见
图4）
V
C
= V
CC
或GND
V
C
= V
CC
或GND
V
C
= V
CC
– 0.6 V
I
S
= 8毫安
I
S
= 24毫安
I
S
= 32毫安
I
S（ OFF）
断态开关漏电流
V
CC
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
5.5 V
最小值典型值
(1)
12.5
9
7.5
6
85
22
12
7.5
最大
30
20
15
10
120
(1)
30
(1)
20
15
7
5
3
2
±1
±0.1
(1)
±1
±0.1
(1)
±1
±0.1
(1)
10
1
(1)
500
3.5
6
14
A
A
A
A
A
pF
pF
pF
单位
I
秒（上）
I
I
I
CC
I
CC
C
ic
C
io的（OFF）的
C
io的（上）
(1)
通态开关漏电流
控制输入电流
电源电流
供应电流变化
控制输入电容
开关量输入/输出电容
开关量输入/输出电容
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5.5 V
5V
5V
5V
T
A
= 25°C
开关特性
在推荐工作的自由空气的温度范围内（除非另有说明） （见
图5）
参数
t
PD （1）
t
en
(2)
从
（输入）
A或B
C
C
TO
（输出）
B或A
A或B
A或B
V
CC
= 1.8 V
±
0.15 V
民
2.3
2.5
最大
2
10
10.5
V
CC
= 2.5 V
±
0.2 V
民
1.6
1.2
最大
1.2
5.6
6.9
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V
民
1.5
2
最大
0.8
4.4
7.2
V
CC
= 5 V
±
0.5 V
民
1.3
1.1
最大
0.6
3.9
6.3
单位
ns
ns
ns
t
DIS （ 3 ）
(1)
(2)
(3)
t
PLH
和T
PHL
相同吨
pd
。传播延迟的典型的通态电阻所计算的RC时间常数
开关和指定的负载电容，当由一个理想电压源（零输出阻抗）驱动。
t
PZL
和T
PZH
相同吨
en
.
t
PLZ
和T
PHZ
相同吨
DIS
.
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模拟开关特性
T
A
= 25°C
参数
从
（输入）
TO
（输出）
测试条件
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
正弦波
（见
图6）
频率响应
（开关）
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
f
in
正弦波
（见
图6）
V
CC
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图7）
相声
(1)
（之间切换）
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图7）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
相声
（控制输入到信号输出）
C
A或B
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫（方波）
（见
图8）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
C
L
= 50 pF的，R
L
= 600
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图9）
穿心衰减
（开关OFF）
A或B
B或A
C
L
= 5 pF的，R
L
= 50
,
f
in
= 1兆赫（正弦波）
（见
图9）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
C
L
= 50 pF的，R
L
= 10 k,
f
in
= 1千赫（正弦波）
（见
图10）
正弦波失真
A或B
B或A
C
L
= 50 pF的，R
L
= 10 k,
f
in
= 10千赫（正弦波）
（见
图10）
2.3 V
3V
4.5 V
1.65 V
2.3 V
3V
4.5 V
(1)
调整F
in
电压，以获得0 dBm的输入端。
典型值
35
120
175
195
>300
>300
>300
>300
–58
–58
–58
–58
–42
–42
–42
–42
35
50
70
100
–58
–58
–58
–58
–42
–42
–42
–42
0.1
0.025
0.015
0.01
0.15
0.025
0.015
0.01
%
dB
mV
dB
兆赫
单位
工作特性
T
A
= 25°C
参数
C
pd
功率耗散电容
TEST
条件
F = 10MHz的
V
CC
= 1.8 V
典型值
8
V
CC
= 2.5 V
典型值
9
V
CC
= 3.3 V
典型值
9.5
V
CC
= 5 V
典型值
11
单位
pF
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