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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符S型号页 > 首字符S的型号第1076页 > STGD3NB60SD
STGD3NB60SD
N沟道3A - 600V - DPAK
的PowerMESH IGBT
TYPE
STGD3NB60SD
s
V
CES
600 V
V
CE （ SAT ）
< 1.5 V
I
C
3A
s
s
s
s
高输入阻抗（电压
驱动）
非常低的压降（V
CESAT
)
高电流能力
集成续流二极管
关损失包括尾电流
3
1
DPAK
描述
采用了最新的高电压技术的基础上
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。后缀“ S”的标识家庭
优化以达到最小导通压降为
低频应用（ <1kHz ） 。
内部原理图
应用
s
电机控制
s
气体放电灯
s
静态继电器
订购信息
销售类型
STGD3NB60SDT4
记号
GD3NB60SD
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
2004年5月
1/9
STGD3NB60SD
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
± 20
6
3
25
48
0.32
- 65 175
175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
(
q
）脉冲宽度有限的安全工作区
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
3.125
100
° C / W
° C / W
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
关闭
符号
V
BR （CES）上
I
CES
I
GES
参数
Collectro发射极击穿
电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
测试条件
I
C
= 250 μA ，V
GE
= 0
V
CE
=最大额定值，T
C
= 25 °C
V
CE
=最大额定值，T
C
= 125 °C
V
GE
= ±20V , V
CE
= 0
分钟。
600
10
100
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
V
GE
= 15V ，我
C
= 1.5 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 3 A
V
GE
= 15V ，我
C
= 7 A，T
J
=125 °C
分钟。
2.5
1
1.2
1.1
典型值。
马克斯。
4.5
1.5
单位
V
V
V
V
动态
符号
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
Q
GE
Q
GC
I
CL
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
闭锁电流
V
CE
= 480 V，I
C
= 3 A,
V
GE
= 15V
V
钳
= 380 V ， TJ = 25°C
R
G
= 1K
15
测试条件
V
CE
= 10 V
,
I
C
= 3 A
V
CE
= 25V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
1.7
典型值。
2.5
255
30
5.6
18
5.4
5.5
23
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
A
2/9
STGD3NB60SD
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
宙
参数
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
测试条件
V
CC
= 480 V，I
C
= 3 A
R
G
= 1KΩ ，V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V，I
C
= 3 A，R
G
=1K
V
GE
= 15 V ， TJ = 125°C
分钟。
典型值。
125
150
50
1100
马克斯。
单位
s
s
A / μs的
J
关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
D（上）
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
D（上）
t
f
E
关闭
(**)
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
测试条件
V
cc
= 480 V，I
C
= 3 A,
R
GE
= 1KΩ ，V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
1.8
1.0
3.4
0.72
1.15
2.8
1.45
3.6
1.2
1.8
马克斯。
单位
s
s
s
s
mJ
V
cc
= 480 V，I
C
= 3 A,
R
GE
= 1KΩ ，V
GE
= 15 V,
TJ = 125°C
s
s
s
s
mJ
集电极 - 发射极二极管
符号
I
f
I
fm
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电流
正向电流脉冲
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
f
= 3 A
I
f
= 1 A
I
f
= 3 A，V
R
= 200 V,
TJ = 125°C ，的di / dt = 100A / μs的
1.55
1.15
1700
4500
9.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
25
1.9
单位
A
A
V
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的最大值。结温。
（ ** ）的损失还包括尾（JEDEC标准）
热阻抗
3/9
STGD3NB60SD
输出特性
传输特性
跨
集电极 - 发射极电压上与温度
集电极 - 发射极电压上VS Collettor电流
栅极阈值与温度
4/9
STGD3NB60SD
归一化的击穿电压与温度
电容变化
栅极电荷VS栅极 - 发射极电压
关断损耗VS集电极电流
关断损耗与温度
关闭安全工作区
5/9
STGD3NB60SD
N沟道3A - 600V DPAK
电源MESH IGBT
初步数据
TYPE
STGD3NB60SD
s
V
CES
600 V
V
CE （ SAT ）
< 1.5 V
I
C
3A
s
s
s
s
s
高输入阻抗
（电压驱动）
非常低的压降（V
CESAT
)
高电流能力
关损失包括尾电流
集成续流二极管
表面安装DPAK （ TO- 252 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀"T4" ）
3
1
描述
使用基于最新的高电压技术
上专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的一种先进的家庭，
的PowerMESH
IGBT的，
同
优秀
perfomances 。后缀"S"确定一个家庭
优化以达到最小导通压降
对于低频应用（ <1kHz ） 。
应用
s
气体放电灯
s
静态继电器
s
电机控制
DPAK
TO-252
（后缀"T4" ）
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
I
C
I
CM
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
c
= 25
o
C
集电极电流（连续）在T
c
= 100
o
C
集电极电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
±
20
6
3
25
48
0.32
-65 175
175
单位
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2000年3月
1/8
STGD3NB60SD
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THC-汇
热阻结案件
热阻结到环境
热阻案例散热器
最大
最大
典型值
3.125
100
1.5
o
o
C / W
C / W
o
C / W
电气特性
(T
j
= 25
o
C除非另有说明）
关闭
符号
V
BR （CES）上
I
CES
I
GES
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
测试条件
I
C
= 250
A
V
GE
= 0
T
j
= 25
o
C
T
j
= 125
o
C
V
CE
= 0
分钟。
600
10
100
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
CE
=最大额定值
V
CE
=最大额定值
V
GE
=
±
20 V
开（ *）
符号
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
栅极阈值
电压
集电极 - 发射极
饱和电压
V
CE
= V
GE
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
V
GE
= 15 V
测试条件
I
C
= 250
A
I
C
= 1.5 A
I
C
= 3 A
I
C
= 3 A
T
j
= 125
o
C
分钟。
2.5
1
1.2
1.1
典型值。
马克斯。
5
单位
V
V
V
V
1.5
动态
符号
g
F小号
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
Q
GE
Q
GC
I
CL
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
闭锁电流
测试条件
V
CE
=25 V
V
CE
= 25 V
I
C
= 3 A
F = 1 MHz的
V
GE
= 0
分钟。
1.7
典型值。
2.5
255
30
5.6
18
5.4
5.5
12
330
40
7
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
A
V
CE
= 480 V
I
C
= 3 A
V
GE
= 15 V
V
钳
= 480 V
T
j
= 150
o
C
R
G
=1k
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
E
on
参数
延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关
损失
测试条件
V
CC
= 480 V
V
GE
= 15 V
V
CC
= 480 V
R
G
= 1k
T
j
= 125
o
C
I
C
= 3 A
R
G
= 1k
I
C
= 3 A
V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
125
150
50
1100
马克斯。
单位
ns
ns
A / μs的
J
2/8
STGD3NB60SD
电气特性
（续）
关闭
符号
t
c
t
r
(v
关闭
)
t
d
(
的F
)
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(v
关闭
)
t
d
(
的F
)
t
f
E
关闭
(**)
参数
测试条件
I
C
= 3 A
V
GE
= 15 V
分钟。
典型值。
1.8
1.0
3.4
0.72
1.15
2.8
1.45
3.6
1.2
1.8
马克斯。
单位
s
s
s
s
mJ
s
s
s
s
mJ
V
CC
= 480 V
交叉时间
关闭电压上升时间R
GE
= 1 k
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
V
CC
= 480 V
交叉时间
关闭电压上升时间R
GE
= 1k
延迟时间
T
j
= 125
o
C
下降时间
关断开关损耗
I
C
= 3 A
V
GE
= 15 V
集电极 - 发射极二极管
符号
I
f
I
fm
V
f
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
正向电流
正向电流脉冲
在正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
f
= 3 A
I
f
= 1 A
I
f
= 3 A
的di / dt = 100 A / μs的
V
R
=200 V
T
j
= 125
o
C
1.55
1.15
1700
4500
9.5
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
3
25
1.9
单位
A
A
V
V
ns
nC
A
（ ）脉冲宽度有限的最大值。结温
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ** ）的损失也包括尾（JEDEC标准）
热阻抗
3/8
STGD3NB60SD
输出特性
传输特性
跨
集电极 - 发射极电压上与温度
集电极 - 发射极电压上VS集电极电流
栅极阈值与温度
4/8
STGD3NB60SD
归一化的击穿电压与温度
电容变化
栅极电荷VS栅极 - 发射极电压
断开关损耗VS IC
断开关损耗VS TJ
关闭安全区操作系
5/8
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SN74LVC827ADW
S1117-33
SKY65405-11
SLA24C04
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SN54ALS09J
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    STGD3NB60SD
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    -
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    -
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ST
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