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STGB20NB41LZ
N沟道固支20A - D2PAK
内部钳位的PowerMESH IGBT
TYPE
STGB20NB41LZ
s
s
s
s
s
s
V
CES
夹
V
CE （ SAT ）
＆ LT ; 2.0 V
I
C
20 A
多晶硅栅极电压驱动
低阈值电压
低导通压降
低栅电荷
高电流能力
高电压钳位特性
3
1
DPAK
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局，意法半导体
设计了一个IGBT的先进家庭，
的PowerMESH
IGBT的，以优异的
表演。内置的集电极 - 栅极齐纳
显示出非常精确的有源钳位，而
栅极 - 发射极齐纳提供ESD保护。
内部原理图
应用
s
汽车点火
订货编号
产品型号
STGB20NB41LZT4
记号
GB20NB41LZ
包
D
2
PAK
包装
磁带&卷轴
2004年4月
1/9
STGB20NB41LZ
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
EAS
P
合计
E
SD
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流（连续）在T
C
= 25°C
集电极电流（连续）在T
C
= 100°C
集电极电流（脉冲）
单脉冲能量TC = 25℃
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
ESD（人体模型）
储存温度
工作结温
价值
夹
20
夹
40
20
80
700
200
1.33
8
- 55 175
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
W
W / ℃，
KV
°C
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
0.75
62.5
° C / W
° C / W
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
关闭
符号
BV
（CES）上
BV
（ ECR ）
BV
GE
I
CES
I
GES
R
GE
参数
钳位电压
集电极发射极击穿
电压
门发射极击穿
电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流（V
CE
= 0)
栅射极电阻
测试条件
I
C
= 2毫安， V
GE
= 0,
TC = - 40°C
÷
150°C
I
C
= 75 mA时， TC = 25℃
I
G
= - 2毫安
V
CE
= 15 V, V
GE
= 0 ,T
C
= 150 °C
V
CE
=200 V, V
GE
= 0 ,T
C
= 150°C
V
GE
= ± 10V , V
CE
= 0
± 300
10
± 660
15
分钟。
382
20
12
典型值。
412
28
14
16
10
100
±
1000
30
马克斯。
442
单位
V
V
V
A
A
A
K
为ON（1 ）
符号
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
参数
栅极阈值电压
集电极 - 发射极饱和
电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA ， TC = 25℃
V
GE
= 4.5V ，我
C
= 10 A， TC = 25℃
V
GE
= 4.5V ，我
C
= 20 A， TC = 25℃
分钟。
1
1.1
1.3
典型值。
马克斯。
2.4
1.8
2.0
单位
V
V
V
2/9
STGB20NB41LZ
动态
符号
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
栅极电荷
V
CE
= 320V ，我
C
= 20 A,
V
GE
= 5V
测试条件
V
CE
= 25 V
,
I
C
=20 A
V
CE
= 25V ， F = 1兆赫，V
GE
= 0
分钟。
典型值。
35
2300
160
25
46
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
功能特点
符号
II
U.I.S.
参数
闭锁电流
功能测试开启
次级线圈
测试条件
V
钳
= 320 V，T
C
= 125 °C
R
高夫
= 1KΩ ，V
GE
= 10 V
R
高夫
= 1KΩ ， L = 1.6mH ，
Tc=125°C
20
分钟。
典型值。
40
马克斯。
单位
A
A
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
宙
参数
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
测试条件
V
CC
= 320 V，I
C
= 20 A
R
G
= 1KΩ ，V
GE
= 5 V
V
CC
= 320 V，I
C
= 20 A
R
G
= 1KΩ ，V
GE
= 5 V
V
CC
= 320 V，I
C
= 20 A， TC = 25℃
R
G
= 1KΩ ，V
GE
= 5 V ，TC = 150℃
分钟。
典型值。
1
0.22
140
5
5.1
马克斯。
单位
s
s
A / μs的
mJ
mJ
关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
V
cc
= 320 V，I
C
= 20 A,
R
GE
= 1 KΩ ，V
GE
= 5 V
TJ = 125°C
测试条件
V
cc
= 320 V，I
C
= 20 A,
R
GE
= 1K
, V
GE
= 5 V
分钟。
典型值。
4.4
2.5
12.1
1.6
12.9
6
3.16
13.4
2.7
18.4
马克斯。
单位
s
s
s
s
mJ
s
s
s
s
mJ
（ 1 ）脉冲宽度有限的最大值。结温。
（ ** ）的损失也包括尾
3/9
STGB20NB41LZ
输出特性
传输特性
归栅极阈值电压随温度。
跨
归集电极发射极电压上VS
温度
归集电极发射极电压上VS
栅极 - 发射极电压
4/9
STGB20NB41LZ
电容变化
栅极电荷VS栅极 - 发射极电压
关断损耗VS栅极电阻
关断损耗VS集电极电流
归一化的击穿电压随温度。
归BVGE与温度
5/9
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SN74AHCT273DGVRE4
STA414A
SML-LX0402SIC-TR
SN74GTLPH306DW
SMAZ5937B
SI3441
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型号
厂家
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封装
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    STGB20NB41LZ
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ST
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D2PAK
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