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STGB20NB37LZ
N沟道固支20A - D2PAK
内部钳位的PowerMESH IGBT
TYPE
STGB20NB37LZ
s
s
s
s
s
s
s
V
CES
V
CE ( SAT )
& LT ; 2.0 V
I
C
20 A
多晶硅栅极电压驱动
低阈值电压
低导通压降
低栅电荷
高电流能力
高电压钳位特性
加后缀“ T4 ” ,供订购在磁带&
REEL
3
1
DPAK
描述
使用基于最新的高电压技术
专利带布局,意法半导体拥有DE-
签署IGBT的,上电先进的家庭
网孔
IGBT的,以优异的表演。
内置的集电极 - 栅极齐纳表现出非常预
CISE有源钳位,而栅极 - 发射极的齐纳
提供ESD保护。
内部原理图
应用
s
汽车点火
订购信息
销售类型
STGB20NB37LZT4
记号
GB20NB37LZ
D
2
PAK
包装
磁带&卷轴
2003年9月
1/8
STGB20NB37LZ
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
ECR
V
GE
I
C
I
C
I
CM
( )
EAS
P
合计
E
SD
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压(V
GS
= 0)
发射极 - 集电极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流(连续的)在T
C
= 25°C
集电极电流(连续的)在T
C
= 100°C
集电极电流(脉冲)
单脉冲能量TC = 25℃
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
ESD(人体模型)
储存温度
马克斯。工作结温
价值
20
40
20
80
700
200
1.33
8
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
mJ
W
W / ℃,
KV
°C
( )
脉冲宽度有限的安全工作区
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
0.75
62.5
° C / W
° C / W
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有说明)
关闭
符号
BV
(CES)上
参数
钳位电压
测试条件
I
C
= 2毫安, V
GE
= 0 ,TC = - 40°C
I
C
= 2毫安, V
GE
= 0 , TC = 25℃
I
C
= 2毫安, V
GE
= 0 ,TC = 150℃
BV
( ECR )
BV
GE
I
CES
I
GES
R
GE
集电极发射极击穿
电压
门发射极击穿
电压
集电极截止电流
(V
GE
= 0)
栅射极漏泄
电流(V
CE
= 0)
栅射极电阻
I
C
= 75 mA时, TC = 25℃
I
G
= - 2毫安
V
CE
= 15 V, V
GE
=0 ,T
C
=150 °C
V
CE
=200 V, V
GE
=0 ,T
C
=150°C
V
GE
= ± 10V , V
CE
= 0
± 300
10
± 660
15
20
12
375
分钟。
典型值。
405
400
395
28
14
16
10
100
± 1000
30
425
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
K
开( *)
符号
V
GE (日)
参数
栅极阈值电压
测试条件
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA ,TC = -40°C
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250μA , TC = 25℃
V
CE
=V
GE
, I
C
= 250μA , TC = 150℃
V
CE ( SAT )
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE
= 4.5V ,我
C
= 10 A, TC = 25℃
V
CE
= 4.5V ,我
C
= 10 A ,TC = 150℃
V
CE
= 4.5V ,我
C
= 20 A, TC = 25℃
V
CE
= 4.5V ,我
C
= 20 A ,TC = 150℃
分钟。
1.2
1
0.6
1.1
1.0
1.35
1.25
1.8
1.7
2.0
2.0
1.4
2
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
V
2/8
STGB20NB37LZ
动态
符号
g
fs
(1)
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
栅极电荷
V
CE
= 280V ,我
C
= 20 A,
V
GE
= 5V
测试条件
V
CE
= 25 V
,
I
C
=20 A
V
CE
= 25V , F = 1兆赫,V
GE
= 0
分钟。
典型值。
35
2300
165
28
51
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
nC
功能特点
符号
II
U.I.S.
参数
闭锁电流
功能测试开启
次级线圈
测试条件
V
= 250 V ,T
C
= 125 °C
R
高夫
= 1KΩ ,V
GE
= 4.5 V
R
高夫
= 1KΩ , L = 1.6 mH的,
Tc=125°C
分钟。
典型值。
40
20
马克斯。
单位
A
A
接通
符号
t
D(上)
t
r
( di / dt的)
on
参数
导通延迟时间
上升时间
导通电流斜率
导通开关损耗
测试条件
V
CC
= 250 V,I
C
= 20 A
R
G
= 1KΩ ,V
GE
= 4.5 V
V
CC
= 250 V,I
C
= 20 A
R
G
= 1KΩ ,V
GE
= 4.5 V
V
CC
= 250 V,I
C
= 20 A, TC = 25℃
R
G
= 1KΩ ,V
GE
= 4.5 V ,TC = 150℃
分钟。
典型值。
2.3
0.6
550
8.8
9.2
马克斯。
单位
s
s
A / μs的
mJ
mJ
关闭
符号
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
t
c
t
r
(V
关闭
)
t
d
(
关闭
)
t
f
E
关闭
(**)
参数
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
交叉时间
关闭电压上升时间
延迟时间
下降时间
关断开关损耗
V
cc
= 250 V,I
C
= 20 A,
R
GE
= 1K
, V
GE
= 4.5 V
TJ = 125°C
测试条件
V
cc
= 250 V,I
C
= 20 A,
R
GE
= 1K
, V
GE
= 4.5 V
分钟。
典型值。
4.8
2.6
2.0
11.5
11.8
7.8
3.5
3.9
12.0
17.8
马克斯。
单位
s
s
s
s
mJ
s
s
s
s
mJ
(1)
脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
( * )脉冲宽度有限的最大值。结温。
( ** )的损失也包括尾
3/8
STGB20NB37LZ
输出特性
传输特性
归栅极阈值电压随温度。
集电极 - 发射极电压上与温度
自钳位电感开关能量VS
打开次级线圈
4/8
STGB20NB37LZ
电容变化
栅极电荷VS栅极 - 发射极电压
规范B
VGEO
(齐纳栅射极)与温
perature
归一化的钳位电压VS门电阻
tance (感应开关配置)
归一化的钳位电压与温度
热阻抗
5/8
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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