晶体振荡器
高周波水晶発振器
シリーズ
½品型番（１ページを参照）
1.5 mm厚の薄型セラミックパッケージ
高密度実装で優れた耐環境特性
●
CMOS ICによる½消費電流
●
アウトプットイネーブル機½（OE）、スタンバイ機½
（ST）的
に
る½消費電流対応が可½
●
●
原 寸 大
■仕様（特性）
項目
出力周波数範囲
電源電圧
最大供給電圧
動½電圧
保存温度
温度範囲
動½温度
周波数安定度
記号
f
0
仕様
SG-710PTK
SG-710PHK
（
、 ：
×
単品での保存
、 ：
）
×
SG-710ECK
条件
P.31½品別周波数帯を参照して ださい
く
V
DD
-GND
V
DD
T
英镑
T
OPR
△f / f
0
：
×
消費電流
l
OP
ー
ー
ー
ー
ー
ー
ー
ー
×
×
ディセーブル時電流
l
OE
ー
ー
ー
ー
P.31½品別周波数帯を参照して ださい
く
B，C ： -10 + 70
-40 +85
F
0
≦ 25兆赫，无负荷
（ ECK F
0
≦ 32兆赫，无负荷）
：
F
0
≦ 50兆赫，无负荷
F
0
≦ 67兆赫，无负荷
F
0
≦ 80兆赫，无负荷
F
0
≦ 25 MHz时， OE = GND （ PTK ， PHK ）
F
0
≦ 50 MHz时， OE = GND （ PTK ， PHK ）
F
0
≦ 67 MHz时， OE = GND （ PTK ， PHK ）
F
0
≦ 80 MHz时， OE = GND （ PTK ， PHK ）
（
負荷：
負荷：
（
（
）
）
）
レベル
レベル
（
（
）
）
スタンバイ時電流
デ ュー テ ィ
“H”レベル出力電圧
“L”レベル出力電圧
出力負荷条件
（T T L ）
出力負荷条件
（ CMOS）的
“H”レベル入力電圧
“L”レベル入力電圧
出力上昇時間
出力下降時間
発振開始時間
経時変化
耐衝撃性
l
ST
t
W
/ t
V
OH
V
OL
N
C
L
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
t
OSC
f
a
S.R.
ー
ー
×
×
端子（
端子（
負荷：
→
ー
ー
）
）
レベル
ー
ー
ー
５
×
×
ー
年
負荷：
→
レベル
レベル
負荷：
→
負荷：
→
レベル
最小値動½電圧時の を とする
，
硬木上
×
×
×
初年度
回または
×
方向
■外½寸法図
#4
#3
#3
1.4 #4
（単½：
号
W
2.6
2
ピン端子
GND
） ■推奨はんだ付けパターン図
（単½：
1.8
）
1 OE或ST
3 OUT
2.0
4.2
5.08
#1
L
#2
#2
5.08
#1
4V
DD
■端子説明
5.08
OE端子
（ PTK ， PHK ， PTW ， PHW ， PCW ）
OE端子=
“H ”，“打开” OUT端子に所定の周波数を出力
or
：
OE端子=
“L”出力停止、
：
OUT端子は，イピーダンス
ハイ ン
W
4.8±0.2
5.0±0.2
H
1.3±0.1
1.4
-0.15
+0.1
H
L
＊
SG -710 * K
＊
SG -710 *宽
7.3±0.2
7.0±0.2
ST感度
（ STW ， SHW ， SCW ）
STó ？
“H ”，“打开” OUT端子に所定の周波数を出力
or
：
STó ？
“L”発振停止、
：
OUT端子は，ィプルダウ
ウ ーク
ン
ST感度
（ ECK ）
STó ？
“H ”，“打开” OUT端子に所定の周波数を出力
or
：
STó ？
“L”発振停止、
：
OUT端子は，イピーダンス
ハイ ン
37
晶体振荡器
■仕様（特性）
項目
出力周波数範囲
電源電圧
温度範囲
記号
f
O
SG-710PTW
SG-710STW
仕様
SG-710PHW
SG-710SHW
SG-710PCW
SG-710SCW
条件
P.31½品別周波数帯を参照して ださい
く
80.0001 MHz~135.0000兆赫
-0.5 V+7.0 V
最 大 供 給 電 圧 V
DD
-GND
動½電圧
V
DD
保存温度
T
英镑
動½温度
T
OPR
f / f
O
l
OE
l
ST
l
OP
67.0001 MHz的
~135.0000兆赫
周波数安定度
ディセーブル時電流
スタンバイ時電流
デ
ュ ー テ ィ
消費電流
5.0 V±0.5 V
3.3 V±0.3 V
-55
C+125 C
-20
C+70 C
-40
C+85 C
-6
-6
Ｂ:
±50
×
10 Ｃ:
±100
×
10
ー
mA（最大值） 45 。
M:
±100
×
10
28毫安最大。
P.31½品別周波数帯を参照して ださい
く
-20
C+70 C
-40
C+80 C
単品での保存
-6
t
W
/ t
V
OH
V
OL
C
L
V
IH
V
IL
t
TLH
“H”レベル出力電圧
“L”レベル出力電圧
出力负荷条件（ CMOS）的
“H”レベル入力電圧
“L”レベル入力電圧
出力上昇時間
mA（最大值） 30 。
mA（最大值） 16 。
50
A
马克斯。
40
%60 %
ー
40
%60 %
ー
V
DD
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
–
–
15 pF的
25 pF的
ST = GND （S * W）
CMOS负荷： 1 / 2V
DD
レベル
TTL负荷： 1.4 Vレベル
I
OH
= -16毫安（ * TW / * HW ） / - 8毫安（ * CW）
I
OL
= 16 MA（ * TW / * HW） / 8毫安（ * CW）
f
0
= 135兆赫
f
0
= 135兆赫
f
0
125兆赫
OE ， ST端子
OE ， ST端子
f
0
≦ 90兆赫
無負荷 (f
o
=最大。値）
OE = GND （ P * W）
5 TTL + 15 pF的
–
–
2.0 V分钟。
0.8 V最大。
2.0 ns（最大值） 。
15 pF的
–
–
15 pF的
–
0.7 V
DD
分钟。
0.2 V
DD
马克斯。
出力下降時間
発振開始時間
経時変化
耐衝撃性
t
THL
t
OSC
f
a
S.R.
4.0 ns（最大值） 。
ー
2.0 ns（最大值） 。
4.0 ns（最大值） 。
ー
ー
ー
3.0 ns（最大值） 。
ー
ー
ー
ー
3.0 ns（最大值） 。
最大10 ms 。
-6
±5
×
10 /年最大。
±20
×
10最大。
-6
3.0 ns（最大值） 。
ー
ー
3.0 ns（最大值） 。
TTL负荷： 0.8 V → 2.0 V ，C
L
=最大。
TTL负荷： 0.4 V → 2.4 V ，C
L
=最大。
CMOS负荷： 20 ％V
DD
→ 80 % V
DD
, C
L
=最大。
TTL负荷： 2.0 V → 0.8 V ，C
L
=最大。
TTL负荷： 2.4 V → 0.4 V ，C
L
=最大。
CMOS负荷： 80 ％V
DD
→ 20 % V
DD
, C
L
=最大。
最小値動½電圧のtを０とする
Ta=+25
C,
V
DD
=5 V / 3.3 V, 初年度
硬木上750
mm
×
3回または
29400米/ s的
2
×
0.3毫秒
×
1/2正弦波
×
3方向
38
晶体振荡器
高频晶体振荡器
SG -710系列
陶瓷封装用1.5毫米的厚度。
优良的耐冲击性，耐环境性能。
低电流消耗，由于使用C-MOS技术。
低电流消耗输出功能启用（OE ）或
待机功能（ ST ） 。
规格（特征）
项
输出频率范围
电源
电压
温度
范围
马克斯。电源电压
工作电压
储存温度
工作温度
符号
f
0
V
DD
-GND
V
DD
T
英镑
T
OPR
T
SOL
f/f
0
IOP
I
OE
I
ST
t
w
/ t
V
OH
V
OL
N
C
L
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
t
OSC
fa
S.R.
mA（最大值） 24 。
mA（最大值） 12 。
SG-710PTK
SG-710PHK
特定网络阳离子
SG-710ECK
备注
1.8000 MHz至
50.0000 MHz的
1.8000 MHz至
80.0000 MHz的
1.8000 MHz至
67.0000 MHz的
-0.5 V至7.0 V
5.0
V
±0.5
V
3.3
V
±0.3
V
-55 ° C至+125°C
-10
°C
+70
°C
(-40
°C
+85
°C
)
请联系我们的可用性-40
°C
+85
°C
B，C ： -10 ° C至+ 70 ° C，M ： -40°C至+ 85°C °
空载条件
OE = GND （ PTK ， PHK ）
ST = GND （ ECK ）
C- MOS负载： 1/2 V
DD
水平
TTL负载： 1.4 V电平
I
OH
= -16毫安（ PTK ， PHK ） ， - 2 MA（ ECK ）
I
OL
= 16 MA（ PTK ， PHK ） ， 2毫安（ ECK ）
焊接条件
频率稳定度
消耗电流
禁止输出电流
待机电流
税
高输出电压
低输出电压
输出负载
条件（扇出）
两次在260 ℃下10秒内
B： ± 50 ×10
-6
C： ± 100 ×10
-6
M： ± 100 ×10
-6
40毫安最大。
mA（最大值） 16 。
18毫安最大。
—
—
—
45 ％至55％的
2.4 V最小。
0.4 V最大。
10 TTL最大。
（ 15 pF的最大值）。
2.0 V分钟。
0.8 V最大。
—
5 ns（最大值） 。
—
5 ns（最大值） 。
45 ％至55％的
40％至60％的
V
DD
-0.5 V MIN 。
0.5 V MAX 。
10 TTL最大。
50 pF的最大值。
2.0 V分钟。
0.8 V最大。
5 ns（最大值） 。
—
5 ns（最大值） 。
—
最大10 ms 。
±5 x 10
-6
/年最大。
±10 x 10
-6
马克斯。
10
μA（最大值） 。
40％至60％的
—
0.9
x
V
DD
分钟。
0.1
x
V
DD
马克斯。
—
15 pF的最大值。
0.7× V
DD
分钟。
0.3× V
DD
马克斯。
6 ns（最大值） 。
6 ns（最大值） 。
TTL
C-MOS
输出启用/禁用输入电压
输出上升时间
C-MOS级
TTL电平
C-MOS级
输出下降时间
TTL电平
振荡启动时间
老化
耐冲击性
OE
终奌站
（ PTK ， PHK ）
ST
终奌站
（ ECK ）
C- MOS负载： 10
%→
90
%
V
DD
TTL负载： 0.4 V
→
2.4 V
C- MOS负载： 90
%→
10
%
V
DD
TTL负载： 2.4 V
→
0.4 V
_
最低工作电压的时间是0秒
TA = 25 ° C，V
DD
= 5.0 V / 3.3 V （ ECK ）
三滴上750毫米的硬板
与29400米/ s或激发试验
2
×0.3毫秒X
在3个方向的1 / 2sine波
外形尺寸
底部视图
#4
#3
#1
1.4
#2
（单位：毫米）
号
引脚端子
1 OE或ST
2
GND
3
OUT
4
V
DD
推荐焊接模式
1.8
（单位：毫米）
2.6
E
40.000
W
HC724A
L
1.5
马克斯。
L
W
4.2
#1
#2
#4
5.08
#3
PTK / PHK / ECK
7.5最大。 5.0最大。
W
7.2最大。 5.2最大。
5.08
5.08
37
2.0
实际尺寸
规格（特征）
项
输出频率范围
符号
f
0
SG-710PTW/STW
SG-710PHW/SHW
特定网络阳离子
SG-710PCW/SCW
66.6667 MHz至
135.0000 MHz的
备注
80.0001 MHz至135.0000 MHz的
电源
马克斯。电源电压
V
DD
-GND
V
DD
电压
工作电压
T
英镑
温度
储存温度
T
OPR
范围
工作温度
T
SOL
焊接条件（铅部分）
频率稳定度
消耗电流
禁止输出电流
禁止输出电流
C-MOS级
税
TTL电平
输出电压
f/f
0
IOP
Io
E
I
ST
TW / T
V
OH
V
OL
C
L
V
IH
V
IL
t
TLH
t
THL
t
OSC
fa
S.R.
输出负载条件下（扇出）
OUTPUT ENABLE
禁止输入电压
C-MOS级
产量
TTL电平
上升时间
C-MOS级
产量
TTL电平
下降时间
振荡启动时间
老化
耐冲击性
-0.5 V至7.0 V
5.0
V±0.5 V
3.3
V±0.3 V
-55 ° C至+125°C
-20
°C
+70
°C
-40
°C
+85
°C
两次下260
°
C
在10秒或在230
°
C
在3分钟内。
B: ±50
x 10
-6
C: ±100
x 10
-6
M: ±100
x 10
-6
mA（最大值） 45 。
28毫安最大。
mA（最大值） 30 。
mA（最大值） 16 。
50
A
马克斯。
—
40％至60％的
40％至60％的
—
V
DD
-0.4 V MIN 。
0.4 V最大。
15 pF的最大值。
0.7 V
DD
分钟。
2.0 V分钟。
0.2 V
DD
马克斯。
0.8 V最大。
3 ns（最大值） 。
—
3 ns（最大值） 。
—
4 ns（最大值） 。
—
3 ns（最大值） 。
—
3 ns（最大值） 。
—
4 ns（最大值） 。
—
最大10 ms 。
±5 x 10
-6
/年最大。
±20 x 10
-6
马克斯。
-20 ° C至+ 70°C
-40 ° C至+85°C
空载条件
OE = GND （ P * W）
ST = GND （S * W）
C- MOS负载： 1 / 2V
DD
TTL负载： 1.4 V
I
OH
= -16
m
A（ * TW / HW ） / - 8毫安（
* CW）
I
OL
= -16
m
A（ * TW / HW） / 8毫安（
* CW）
OE ， ST
OE ， ST
C- MOS负载： 20 ％ → 80 ％V
DD
TTL负载： 0.4 V → 2.4 V
C- MOS负载： 80 ％ → 20 ％V
DD
TTL负载： 2.4 V → 0.4 V
在4.5 V的时间是0秒
TA = + 25 ° C，V
DD
=5 V
三滴在硬板750毫米
与29400米/ s的激发试验
2
×0.3毫秒（1/2）
在3个方向的正弦波
工作条件和频带
工作条件
频率稳定度： B
（ -20至+70
°C)
5 V±0.5
V
频率稳定度：C
（ -20至+70
°C)
频率稳定度：M
（ -40 + 85
°C)
频率稳定度： B
（ -20至+70
°C)
3.3 V±0.3
V
频率稳定度：C
（ -20至+70
°C)
频率稳定度：M
（ -40 + 85
°C)
1兆赫
1.8
SG-710PTK
1.8
SG-710PTK
1.8
SG-710PTK
1.8
26
SG-710ECK
1.8
26
SG-710ECK
1.8
26
SG-710ECK
67
SG-710PCW/SCW
67
SG-710PCW/SCW
135
50
SG-710PHK
67
SG-710PCW/SCW
135
135
50
SG-710PHK
80
50兆赫
50
SG-710PHK
80
SG-710PTW/STW/PHW/SHW
80
SG-710PTW/STW/PHW/SHW
135
100兆赫
150兆赫
135
38
QQ：2881677436 复制
