STF10N62K3 ， STFI10N62K3 ，
STI10N62K3 ， STP10N62K3
N沟道620 V， 0.68
（典型值） ， 8.4 SuperMESH3
采用TO- 220FP ， IPAKFP ， IPAK功率MOSFET ， TO- 220封装
数据表
生产数据
特点
TYPE
STF10N62K3
STFI10N62K3
STI10N62K3
STP10N62K3
1.限制由包
■
■
■
■
■
■
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
I
D
8.4 A
(1)
P
w
3
30 W
TAB
1
2
1
2
3
TO-220FP
TAB
620 V
< 0.75
8.4 A
125 W
IPAKFP
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
改进的二极管的反向恢复
特征
齐纳保护
图1 。
IPAK
3
12
3
TO-220
1
2
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
这些SuperMESH3 功率MOSFET的
的施加到改善的结果
意法半导体的超网技术，
结合了新的优化的垂直结构。
这些器件具有极低的导通
性，卓越的动态性能和
高雪崩能力，使它们适合
为要求最苛刻的应用程序。
表1中。
设备简介
订购代码
STF10N62K3
STFI10N62K3
STI10N62K3
STP10N62K3
记号
10N62K3
10N62K3
10N62K3
10N62K3
包
TO-220FP
IPAKFP
管
IPAK
TO-220
包装
AM01476v1
2012年9月
这是在满负荷生产一个产品信息。
文档ID 15640牧师4
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17
目录
STF10N62K3 ， STFI10N62K3 ， STI10N62K3 ， STP10N62K3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
........................... 6
3
4
5
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
文档ID 15640牧师4
STF10N62K3 ， STFI10N62K3 ， STI10N62K3 ， STP10N62K3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
TO-220FP
IPAKFP
620
± 30
8.4
(1)
5.2
(1)
33.6
(1)
30
8
220
12
2.5
8.4
5.2
33.6
125
IPAK
TO-220
V
V
A
A
A
W
A
mJ
V / ns的
kV
单位
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
dv / dt的
(4)
ESD
漏源电压
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
在重复或单脉冲最大电流
雪崩（脉冲宽度限制T
JMAX
)
单脉冲雪崩能量
(3)
峰值二极管恢复电压斜率
栅源人体模型（ R = 1.5 kΩ的
,
= 100 pF的）
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
工作结温
储存温度
2500
V
ISO
T
j
T
英镑
V
-55到150
°C
1.通过限制最高结温
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V
4. I
SD
≤
8.4 A， di / dt的= 400 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
, V
DS高峰
≤
V
（ BR ） DSS
表3中。
热数据
价值
符号
参数
TO-220FP
IPAKFP
4.17
62.5
IPAK
TO-220
1.00
单位
R
THJ情况
Rt
HJ- AMB
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
° C / W
° C / W
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电气特性
STF10N62K3 ， STFI10N62K3 ， STI10N62K3 ， STP10N62K3
2
电气特性
（ TCASE = 25°C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
620
1
50
±10
3
3.75
0.68
4.5
0.75
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
零栅极电压
V
DS
= 620 V
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
= 620 V，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 4 A
表5 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
(2)
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
当量
电容能源
相关
门输入电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 4 A
分钟。
-
典型值。
6
1250
138
16
马克斯。
-
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
C
O（ TR ）
V
DS
= 0 496 V ，V
GS
= 0
-
56
-
pF
C
o(er)(3)
V
DS
= 0 496 V ，V
GS
= 0
F = 1 MHz的栅极的直流偏压为0测试
信号电平= 20 mV的开路
漏
V
DD
= 496 V，I
D
= 8 A,
V
GS
= 10 V
（见
图18）
-
38
-
pF
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
-
3.5
42
7.4
23
-
nC
nC
nC
-
-
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
3. C
OSS EQ 。
能量相关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量作为
C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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文档ID 15640牧师4
STF10N62K3 ， STFI10N62K3 ， STI10N62K3 ， STP10N62K3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 310 V，I
D
= 4 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图17）
分钟。
典型值。
14.5
15
41
31
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 8 A，V
GS
= 0
I
SD
= 8 A， di / dt的= 100A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图22）
I
SD
= 8 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图22）
测试条件
分钟。
-
-
-
320
2
13
410
2.9
14
典型值。
MAX 。 UNIT
8.4
33.6
1.5
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
门源稳压二极管
参数
电压（ID = 0）的
测试条件
IGS = ± 1毫安
分钟。
30
典型值。
-
MAX 。 UNIT
V
V
（ BR ）， GSO
栅源击穿
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
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