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硅保护电路
在单极芯片级封装的TVS雪崩二极管阵列
SP0504BAC ， SP0508BAC ， SP0516BAC
这家雪崩二极管阵列是专为ESD保护
并提出在一个超小型芯片级封装。
多通道设备用于帮助保护敏感的数字或
上的数据，信号或控制线路与单极性电压模拟输入电路
等级达到5VDC 。
国家的最先进的结构设计为抑制ESD和其他
瞬态过电压事件来满足国际电工
兼容性（EMC瞬态抗扰度stantards IEC 61000-4-2的
静电放电要求） 。
单片硅器件是由专门设计的
结构瞬态电压抑制（ TVS ） 。的大小和
这些结构的形状已被专为瞬态保护。
低电容和钳位电压非常适合高速信号
线路保护。
新
订购信息
部分
数
SP0504BACT
SP0508BACT
SP0516BACT
二极管
渠道BUMPS
4
8
16
6
10
20
CS套餐
尺寸（mm ）
1.804 x 1.154
3.104 x 1.154
3.104 x 2.454
QUANTITY
每卷
3500
3500
3500
5
特点
4个，8个和16个雪崩二极管的超小型芯片级的数组
包装（ 0.65毫米凸块间距）
每个HBM ESD标准能力
- IEC 61000-4-2 ，直接排放............................... 25千伏（4级）
硅保护
电路
注：凸块间距为0.65毫米
概要
SP0504BAC
B1
B2
B3
SP0516BAC
D1
D2
D3
D4
D5
- IEC 61000-4-2 ，空气放电30kV的.................................... （ 4级）
- MIL STD 833D （方法3015.7 ） .......................................... .... 30kV的
应用达5VDC信号线路保护
快速的响应时间.............................................. ............................. < 1ns的
低输入电容.............................................. ............ 39pF的典型
低钳位电压.............................................. .................... 12V典型
A1
A2
A3
低输入漏.............................................. .......................为10uA最大
C1
C2
C3
C4
C5
工作温度范围............................................- 40 ° C至85°C
B1
B2
B3
B4
B5
SP0508BAC
R1
R2
R3
R4
R5
应用
手机手机
个人数字助理（ PDA ）
便携式手持设备（笔记本电脑，掌上电脑）
计算机端口，键盘（ USB1.1 ）
A1
A2
A3
A4
A5
机顶盒（音频和视频端口）
PCMCIA卡
A1
A2
A3
A4
A5
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
199
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硅保护电路
在单极芯片级封装的TVS雪崩二极管阵列
SP0504BAC ， SP0508BAC ， SP0516BAC
电气规格
T
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
反向断态电压
反向隔离泄漏电流
信号钳位电压
积极
负
在ESD钳位电压
MIL- STD- 883D方法3015
8kV的正
8kV的负
ESD测试等级
IEC- 61000-4-2 ，接触放电
MIL- STD- 883D法3015 （ HBM ）
电容
开/关时间
温度范围
操作
存储
- 40
- 65
85
150
°C
°C
2.5VDC @ 1MHz的
25
30
39
<1
kV
kV
pF
ns
12
-8
V
V
I = 10毫安
I = 10毫安
5.6
- 1.2
6.6
- 0.8
8.0
- 0.4
V
V
测试条件
I = 10μA
V = 5.5V
民
± 5.5
典型
-
最大
-
10
单位
V
A
典型的回流焊温度曲线（免洗助焊剂）
250
EXH
PH
Z2
Z3
Z4
Z
RF
CD
EXH
印刷电路板推荐
在PCB焊盘尺寸
垫形
垫定义
0.300mm
圆
非阻焊
定义垫
（ NSMD ）
0.350mm
0.152mm
0.360毫米（ SQ）
50/50
免洗
OSP （恩泰克铜
加106A ）
225
200
温度（
o
C)
175
150
125
100
75
50
25
0
48
97
145
194
242
290
339
387
435
阻焊层开口
焊锡模板的厚度
焊膏丝网通光孔径开幕
焊剂比
锡膏
电路板走线完成
时间（s）
200
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
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在单极芯片级封装的TVS雪崩二极管阵列
SP0504BAC ， SP0508BAC ， SP0516BAC
外形图
SP0504BAC
3.104mm
(.071")
0.65mm
(.026")
0.252mm
(.010")
0.65mm
(.026")
B
A
0.35毫米直径
(.014")
1.154mm
(.045")
1
2
3
0.252mm
(.010")
0.381毫米（ 0.015" ）
0.643毫米（ 0.025" ）
SP0508BAC
3.104mm
(.122")
0.65mm
(.026")
5
硅保护
电路
1.154mm
(.045")
0.381毫米（ 0.015" ）
0.643毫米（ 0.025" ）
2.454mm
(.096")
0.381毫米（ 0.015" ）
0.643毫米（ 0.025" ）
201
0.252mm
(.010")
0.65mm
(.026")
B
A
1
0.35毫米直径颠簸
(.014")
2
3
4
5
0.252mm
(.010")
SP0516BAC
3.104mm
(.122")
0.252mm
(.010")
0.65mm
(.026")
0.65mm
(.026")
B
A
1
0.35毫米直径颠簸
(.014")
2
3
4
5
0.252mm
(.010")
W W瓦特升I T T E升F美即C 0米
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