STP22NM60 - STF22NM60
STB22NM60 - STB22NM60-1 - STW22NM60
N沟道600V - 0.19
- 22A TO- 220 / FP / D
2
PAK / I
2
PAK/TO-247
的MDmesh 功率MOSFET
高级数据
TYPE
STP22NM60
STF22NM60
STB22NM60
STB22NM60-1
STW22NM60
s
s
s
s
s
V
DSS
600
600
600
600
600
V
V
V
V
V
R
DS ( ON)
& LT ; 0.25
& LT ; 0.25
& LT ; 0.25
& LT ; 0.25
& LT ; 0.25
R
DS ( ON)
*Q
g
7.6
7.6
7.6
7.6
7.6
Ω * NC
Ω * NC
Ω * NC
Ω * NC
Ω * NC
I
D
22
22
22
22
22
A
A
A
A
A
3
1
2
1
3
2
TO-220
3
2
1
TO-220FP
典型
DS
(上) = 0.19Ω
高dv / dt和雪崩CAPABILITIES
100%的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-247
3
12
3
1
I
2
PAK
D
2
PAK
描述
的MDmesh 的这是基于这样的改进版本
在多个排水过程代表了新的基准测试
马克在高电压的MOSFET 。将所得产物
展品导通电阻更低,赫然高
dv / dt和优异的雪崩特性。该
采用本公司专有的带技术
产生整体性能是显著好
比同类竞争产品。
应用
在的MDmesh 系列是非常适合增加
高电压转换器允许系功率密度
统的小型化和更高的效率。
国内
原理图
订购信息
销售类型
STP22NM60
STF22NM60
STB22NM60
STB22NM60-1
STW22NM60
记号
P22NM60
F22NM60
B22NM60T4
B22NM60-1
W22NM60
包
TO-220
TO-220FP
D
PAK
I
PAK
TO-247
包装
管
管
磁带&卷轴
管
管
2003年6月
1/11
STP22NM60 / STF22NM60 / STB22NM60 / STB22NM60-1 - STW22NM60
绝对最大额定值
符号
参数
STP22NM60
STB22NM60/1
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
( )
P
合计
dv/dt(1)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压(V
GS
= 0)
漏,栅极电压(R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流(连续)在T
C
= 25°C
漏电流(连续)在T
C
= 100°C
漏电流(脉冲)
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘Winthstand电压(DC )
储存温度
马克斯。工作结温
--
22
12.6
80
192
1.2
价值
STF22NM60
600
600
±30
22 (*)
12.6 (*)
80(*)
45
0.36
15
2500
-65到150
150
--
22
12.6
80
210
1.2
STW22NM60
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃,
V / ns的
V
°C
°C
单位
( )
脉冲宽度有限的安全工作区;
(1) I
SD
≤22A,
的di / dt
≤400A/s,
V
DD
≤
V
( BR ) DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
(*)限定仅由最大允许温度
热数据
TO-220/D
2
PAK / I
2
PAK/TO-247
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件
热阻结到环境
最大无铅焊接温度的
用途
最大
最大
0.65
62.5
300
TO-220FP
2.8
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
MAX )
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25 ° C,I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
11
650
单位
A
mJ
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明)
开/关
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值,T
C
= 125 °C
V
GS
= ±30 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V,I
D
= 11 A
3
4
0.19
分钟。
600
1
10
±100
5
0.25
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
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STP22NM60 / STF22NM60 / STB22NM60 / STB22NM60-1 - STW22NM60
电气特性
(续)
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ 。
(2)
R
g
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
& GT ;我
D(上)
个R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 11 A
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
= 0
分钟。
典型值。
待定
1590
803
52
130
1.6
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至400V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
( 1 )脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
(*) C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 %的V
DSS
.
接通
符号
t
D(上)
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 200 V,I
D
= 11 A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10 V
(见测试电路,图3 )
V
DD
= 400 V,I
D
= 22 A,
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
25
20
40
11
25
71
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R( Voff时)
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 480 V,I
D
= 22 A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10 V
(见测试电路,图5 )
分钟。
典型值。
13
15
26
马克斯。
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(2)
V
SD
(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 22 A,V
GS
= 0
I
SD
= 22 A, di / dt的= 100 A / μs的,
V
DD
= 100 V,T
j
= 25°C
(见测试电路,图5 )
I
SD
= 22 A, di / dt的= 100 A / μs的,
V
DD
= 100 V,T
j
= 150°C
(见测试电路,图5 )
416
5.6
27
544
7.3
28
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
20
80
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
注: 1。脉冲:脉冲宽度= 300微秒,占空比为1.5% 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
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STP22NM60 / STF22NM60 / STB22NM60 / STB22NM60-1 - STW22NM60
图。 1 :
非钳位电感负载测试电路
图。 2 :
非钳位感应波形
图。 3 :
开关时间测试电路
阻性负载
图。 4 :
栅极电荷测试电路
图。 5 :
测试电路感应负载开关
和二极管恢复时间
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STP22NM60 / STF22NM60 / STB22NM60 / STB22NM60-1 - STW22NM60
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
A
C
D1
L2
F1
D
G1
E
DIA 。
L5
L7
L6
L4
P011C
L9
F2
F
G
H2
5/11