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Si4544DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.050 @ V
GS
= 4.5 V
0.045 @ V
GS
= –10 V
I
D
(A)
"6.5
"5.4
"5.7
"4.0
P沟道
–30
0.090 @ V
GS
= –4.5 V
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
1
D
G
2
S
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
N沟道
30
"20
"6.5
"5.4
"20
1.7
2.4
1.5
P沟道
–30
"20
"5.7
"4.0
"20
–1.7
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70768
S- 56944 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
符号
R
thJA
N或P通道
52
单位
° C / W
1
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
＆ QUOT ;
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
a
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= -10 V，I
D
= –5.7 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.4 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –4.0 A
正向跨导
a
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.5 A
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= – 5.7 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
–20
5
–5
0.027
0.036
0.038
0.060
15
9
0.75
–0.75
1.2
–1.2
V
S
0.035
0.045
0.050
0.090
W
A
1.0
V
–1.0
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
m
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= –15 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –5.7 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= ± 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
t
rr
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
18
19
4.2
nC
4.5
3.5
3.6
13
13
12
15
31
37
10
14
30
35
30
30
30
30
60
70
30
30
70
70
ns
35
40
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
文档编号： 70768
S- 56944 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
2
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通5 V
4V
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
16
20
N沟道
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
–55_C
0
4
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.06
1500
电容
C
国际空间站
1200
0.05
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
0.04
900
0.03
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0
0.02
0.01
0.00
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.5 A
1.8
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.5 A
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70768
S- 56944 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.12
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
I S - 源电流（ A）
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.09
I
D
= 6.5 A
T
J
= 150_C
0.06
T
J
= 25_C
0.03
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
1
3
5
7
9
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
I
D
= 250
mA
0.3
V GS （ TH）方差（V ）
32
40
单脉冲功率
功率（W）的
0.0
24
–0.3
16
–0.6
8
–0.9
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
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S
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4
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Si4544DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通5 V
20
P沟道
传输特性
16
I D - 漏电流（ A）
16
I D - 漏电流（ A）
12
4V
8
12
8
T
C
= 125_C
4
25_C
–55_C
0
4
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.16
1500
电容
C
国际空间站
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
1200
- 电容（pF ）
0.12
900
0.08
V
GS
= 4.5 V
600
C
OSS
300
C
RSS
V
GS
= 10 V
0.04
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.7 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.7 A
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70768
S- 56944 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
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S
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5
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.050 @ V
GS
= 4.5 V
0.045 @ V
GS
= –10 V
I
D
(A)
"6.5
"5.4
"5.7
"4.0
P沟道
–30
0.090 @ V
GS
= –4.5 V
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
1
D
G
2
S
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
N沟道
30
"20
"6.5
"5.4
"20
1.7
2.4
1.5
P沟道
–30
"20
"5.7
"4.0
"20
–1.7
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
文档编号： 70768
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S
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符号
R
thJA
N或P通道
52
单位
° C / W
1
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
＆ QUOT ;
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
a
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= -10 V，I
D
= –5.7 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.4 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –4.0 A
正向跨导
a
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.5 A
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= – 5.7 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
–20
5
–5
0.027
0.036
0.038
0.060
15
9
0.75
–0.75
1.2
–1.2
V
S
0.035
0.045
0.050
0.090
W
A
1.0
V
–1.0
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
m
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= –15 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –5.7 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= ± 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
t
rr
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
18
19
4.2
nC
4.5
3.5
3.6
13
13
12
15
31
37
10
14
30
35
30
30
30
30
60
70
30
30
70
70
ns
35
40
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
文档编号： 70768
S- 56944 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
2
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通5 V
4V
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
16
20
N沟道
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
–55_C
0
4
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.06
1500
电容
C
国际空间站
1200
0.05
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
0.04
900
0.03
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0
0.02
0.01
0.00
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.5 A
1.8
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.5 A
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70768
S- 56944 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
www.vishay.com
S
FaxBack 408-970-5600
3
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.12
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
I S - 源电流（ A）
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.09
I
D
= 6.5 A
T
J
= 150_C
0.06
T
J
= 25_C
0.03
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
1
3
5
7
9
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
I
D
= 250
mA
0.3
V GS （ TH）方差（V ）
32
40
单脉冲功率
功率（W）的
0.0
24
–0.3
16
–0.6
8
–0.9
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
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S
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4
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S- 56944 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通5 V
20
P沟道
传输特性
16
I D - 漏电流（ A）
16
I D - 漏电流（ A）
12
4V
8
12
8
T
C
= 125_C
4
25_C
–55_C
0
4
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.16
1500
电容
C
国际空间站
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
1200
- 电容（pF ）
0.12
900
0.08
V
GS
= 4.5 V
600
C
OSS
300
C
RSS
V
GS
= 10 V
0.04
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.7 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.7 A
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70768
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Si4544DY
Vishay Siliconix公司
N和P通道30 - V（D -S）的MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
N沟道
30
r
DS （ ON）
(W)
0.035 @ V
GS
= 10 V
0.050 @ V
GS
= 4.5 V
0.045 @ V
GS
= –10 V
I
D
(A)
"6.5
"5.4
"5.7
"4.0
P沟道
–30
0.090 @ V
GS
= –4.5 V
S
2
SO-8
S
1
G
1
S
2
G
2
1
2
3
4
顶视图
8
7
6
5
D
D
D
D
G
1
D
G
2
S
1
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
I
D
I
DM
I
S
符号
V
DS
V
GS
N沟道
30
"20
"6.5
"5.4
"20
1.7
2.4
1.5
P沟道
–30
"20
"5.7
"4.0
"20
–1.7
单位
V
A
W
_C
-55到150
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
笔记
一。表面安装在FR4板，T
v
10秒。
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S- 56944 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
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符号
R
thJA
N或P通道
52
单位
° C / W
1
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= V
GS
, I
D
= –250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"20
V
＆ QUOT ;
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
= –30 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 10 V
通态漏电流
a
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –10 V
I
D（上）
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
DS
w
–5 V, V
GS
= –4.5 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
漏源导通电阻
a
V
GS
= -10 V，I
D
= –5.7 A
r
DS （ ON）
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 5.4 A
V
GS
= -4.5 V，I
D
= –4.0 A
正向跨导
a
V
DS
= 15 V，I
D
= 6.5 A
g
fs
V
DS
= -15 V，I
D
= – 5.7 A
I
S
= 1.7 A，V
GS
= 0 V
V
SD
I
S
= -1.7 A，V
GS
= 0 V
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
20
–20
5
–5
0.027
0.036
0.038
0.060
15
9
0.75
–0.75
1.2
–1.2
V
S
0.035
0.045
0.050
0.090
W
A
1.0
V
–1.0
"100
"100
1
–1
5
–5
mA
m
nA
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
门体漏
I
GSS
二极管的正向电压
a
动态
b
N沟道
总栅极电荷
Q
g
N沟道
V
DS
= 15 V, V
GS
= 10 V，I
D
= 6.5 A
栅极 - 源电荷
Q
gs
P沟道
V
DS
= –15 V, V
GS
= -10 V，I
D
= –5.7 A
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
导通延迟时间
t
D（上）
N沟道
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
V
DD
= ± 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
-1 A，V
根
= -10 V ，R
G
= 6
W
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
P沟道
N沟道
下降时间
源极 - 漏极
反向恢复时间
t
f
I
F
= 1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
t
rr
I
F
= -1.7 A， di / dt的= 100 A / MS
P沟道
N沟道
P沟道
18
19
4.2
nC
4.5
3.5
3.6
13
13
12
15
31
37
10
14
30
35
30
30
30
30
60
70
30
30
70
70
ns
35
40
栅极 - 漏极电荷
Q
gd
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
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FaxBack 408-970-5600
文档编号： 70768
S- 56944 -REV 。 C， 23 - NOV- 98
2
Si4544DY
Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通5 V
4V
16
I D - 漏电流（ A）
I D - 漏电流（ A）
16
20
N沟道
传输特性
12
12
8
8
T
C
= 125_C
4
25_C
–55_C
0
4
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.06
1500
电容
C
国际空间站
1200
0.05
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
V
GS
= 4.5 V
- 电容（pF ）
0.04
900
0.03
V
GS
= 10 V
600
C
OSS
300
C
RSS
0
0.02
0.01
0.00
0
4
8
12
16
20
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 15 V
I
D
= 6.5 A
1.8
1.6
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
8
V
GS
= 10 V
I
D
= 6.5 A
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 70768
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Vishay Siliconix公司
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
20
0.12
N沟道
导通电阻与栅极至源极电压
I S - 源电流（ A）
10
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
0.09
I
D
= 6.5 A
T
J
= 150_C
0.06
T
J
= 25_C
0.03
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
0.00
1
3
5
7
9
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.6
I
D
= 250
mA
0.3
V GS （ TH）方差（V ）
32
40
单脉冲功率
功率（W）的
0.0
24
–0.3
16
–0.6
8
–0.9
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
30
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
占空比= 0.5
标准化的有效瞬态
热阻抗
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
P
DM
t
1
t
2
1.占空比D =
t
1
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 52 ° C / W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
方波脉冲持续时间（秒）
1
10
30
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典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
20
V
GS
= 10直通5 V
20
P沟道
传输特性
16
I D - 漏电流（ A）
16
I D - 漏电流（ A）
12
4V
8
12
8
T
C
= 125_C
4
25_C
–55_C
0
4
3V
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.16
1500
电容
C
国际空间站
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
1200
- 电容（pF ）
0.12
900
0.08
V
GS
= 4.5 V
600
C
OSS
300
C
RSS
V
GS
= 10 V
0.04
0.00
0
4
8
12
16
20
0
0
6
12
18
24
30
I
D
- 漏极电流（ A）
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
栅极电荷
10
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.7 A
V GS - 栅极 - 源极电压（ V）
R DS（ON ） - 导通电阻（
W
)
（归一化）
8
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
导通电阻与结温
V
GS
= 10 V
I
D
= 5.7 A
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
–25
0
25
50
75
100
125
150
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
T
J
=结温（ ° C）
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SMBZ5256B
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SAA5297H
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    -
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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21500
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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2443+
23000
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