STB20N95K5 ， STF20N95K5
STP20N95K5 ， STW20N95K5
N沟道950 V， 0.275
Ω
17.5超网5 功率MOSFET
,
在DPAK ，TO- 220FP ，TO- 220和TO- 247封装
数据表 - 生产数据
特点
订购代码
STB20N95K5
STF20N95K5
STP20N95K5
STW20N95K5
■
■
■
■
■
TAB
V
DSS
R
DS （ ON）
最大
I
D
P
W
250 W
3
1
950 V
< 0.330
Ω
17.5 A
40 W
250 W
TAB
3
1
2
DPAK
TO-220FP
TO- 220的全球最佳R
DS （ ON）
世界范围内最好的FOM （品质因数）
超低栅极电荷
100％的雪崩测试
齐纳保护
图1 。
内部原理图
D(2,TAB)
1
2
3
2
1
3
TO-220
TO-247
应用
■
切换应用程序
描述
这些器件是N沟道功率MOSFET
使用超网 5技术开发。
这一革命性的，雪崩坚固，高
电压功率MOSFET技术是基于
一个创新的专有垂直结构。该
结果是大幅度减少导通电阻和
应用超低栅极电荷而
需要卓越的功率密度和高
EF网络效率。
表1中。
设备简介
记号
包
DPAK
TO-220FP
20N95K5
STP20N95K5
STW20N95K5
TO-220
TO-247
管
包装
磁带和卷轴
G(1)
S(3)
AM01476v1
订购代码
STB20N95K5
STF20N95K5
2012年6月
这是在满负荷生产一个产品信息。
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目录
STB20N95K5 ， STF20N95K5 ， STP20N95K5 ， STW20N95K5
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 19
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电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
DPAK
TO-220
TO-247
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
I
AR
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
在重复或单最大电流
脉冲雪崩
（脉冲宽度限制T
JMAX
)
单脉冲雪崩能量
（起始物为
J
= 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
= 50 V)
栅源人体模型
（ R = 1.5 kΩ的，C = 100 pF的）
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
峰值二极管恢复电压斜率
工作结温
储存温度
6
-55到150
250
6
± 30
17.5
11
70
40
V
A
A
A
W
A
STF20N95K5
单位
E
AS
ESD
200
2
mJ
kV
V
ISO
dv / dt的
(2)
T
j
T
英镑
2500
V
V / ns的
°C
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2. I
SD
≤
17.5 A， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
PEAK
≤
V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
DPAK
的TO-220 TO-247 TO- 220FP
0.5
62.5
30
50
3.1
62.5
° C / W
° C / W
° C / W
单位
Rthj外壳热阻结案件最大
Rthj - AMB热阻结磁悬浮最大
RthJ -PCB
热阻结到PCB最大
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电气特性
STB20N95K5 ， STF20N95K5 ， STP20N95K5 ， STW20N95K5
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
导通电阻
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DS
= 950 V,
V
DS
= 950 V ，TC = 125°C
V
GS
= ± 20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 9 A
3
4
分钟。
950
1
50
±10
5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
Ω
0.275 0.330
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
o(tr)(1)
C
O（ ER ）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
(2)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效电容时
相关
等效电容
能源相关
内在的栅极电阻
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS
= 0, V
DS
= 0 760 V
-
F = 1MHz的漏极开路
V
DD
= 760 V，I
D
= 9 A
V
GS
=10 V
（见
图19）
-
-
65
3.5
40
8
25
-
-
-
pF
Ω
nC
nC
nC
-
V
DS
= 100 V，F = 1兆赫，V
GS
=0
-
测试条件
分钟。
典型值。
1500
80
5
170
-
-
马克斯。
单位
pF
pF
pF
pF
1.时间有关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当
V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
2.能源有关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 475 V，I
D
= 9 A,
R
G
=4.7
Ω,
V
GS
=10 V
（见
图21）
分钟。
典型值。
17
12
70
20
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 17.5 A，V
GS
=0
I
SD
= 17.5 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，
（见
图20）
I
SD
= 17.5 A，V
DD
= 60 V
的di / dt = 100 A / μs的，
TJ = 150 ° C（见
图20）
测试条件
分钟。
-
-
-
530
12
44
650
14
44
典型值。
马克斯。
17.5
70
1.5
单位
mA
A
V
ns
μC
A
ns
μC
A
-
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
表8 。
符号
门源稳压二极管
参数
测试条件
分钟。
30
典型值。
-
马克斯。
-
单位
V
V
（ BR ）， GSO
栅源击穿电压的Ig ± 1mA时， （我
D
= 0)
内置的背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
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