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STB70NFS03L
N沟道30V - 0.008Ω - 70A D2PAK
的STripFET MOSFET PLUS肖特基整流器
主要产品特性
MOSFET
V
DSS
30 V
肖特基
I
F（ AV ）
3A
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.01
V
RRM
30 V
I
D
70 A
V
F（ MAX）的
3
1
0.51 V
D2PAK
描述
该产品相关联的功率MOSFET
意法半导体独有的“了正弦第三genaration
GLE功能尺寸“带为基础的工艺和低
降的肖特基二极管。该晶体管表现出最佳的
导通电阻和栅极电荷之间的权衡。
用作降压型稳压器低压侧，该产品是
中的导通损耗和空间方面的溶液
节约。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
(
q
)
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
30
30
±
20
70
50
280
100
0.67
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
°C
°C
内部原理图
(
q
）脉冲宽度LIMI泰德由安全工作区
肖特基绝对最大额定值
符号
V
RRM
I
F（ RMS ）
I
F（ AV ）
I
FSM
dv / dt的
参数
反向重复峰值电压
RMS正向电流
平均正向电流
浪涌不重复正向电流
关键的增长速度反向电压
TL = 125°C
δ
= 0.5
TP = 10毫秒
正弦
价值
20
20
3
75
10000
单位
V
A
A
A
V / μs的
2001年4月
1/9
STB70NFS03L
热数据
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
1.5
62.5
300
° C / W
° C / W
°C
雪崩特性
符号
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25
°C,
I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
最大值
35
450
单位
A
mJ
电气特性
（ TCASE = 25
°C
除非另有规定编）
关闭
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
测试条件
I
D
= 250
A,
V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值，T
C
= 125
°C
V
GS
=
±
20V
分钟。
30
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
为ON（1 ）
符号
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
参数
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 35 A
V
GS
= 5V ，我
D
= 18 A
分钟。
1
0.008
0.015
0.01
0.018
典型值。
马克斯。
单位
V
动态
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 25V
,
I
D
= 35 A
V
DS
= 25V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
分钟。
典型值。
40
1470
490
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
2/9
STB70NFS03L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A
R
G
= 4.7 V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
V
DD
= 24V ，我
D
= 46A,
V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
20
350
35
5
10
45
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
关断延迟时间
下降时间
测试康迪特离子
V
DD
= 15V ，我
D
= 35A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 4.5V
（见测试电路，图3 ）
分钟。
典型值。
35
65
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
(1)
V
SD
(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 70A ，V
GS
= 0
I
SD
= 70A ，的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
75
110
2.9
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
70
280
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
注： 1。脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比为1.5％ 。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
安全工作区
热阻抗
3/9
STB70NFS03L
输出特性
传输特性
跨
静态漏源导通电阻
栅极电荷VS栅源电压
电容变化
4/9
STB70NFS03L
归一化门Thereshold电压随温度。
归一通电阻与温度
源极 - 漏极二极管的正向特性
5/9
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SSN16A1002FP13
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