【STF13NK50ZSTP13NK50Z ， STW13NK50ZN沟道500 V ， 0.40,1】,IC型号STF13NK50Z,STF13NK50Z PDF资料,STF13NK50Z经销商,ic,电子元器件-51电子网

STF13NK50Z

STP13NK50Z ， STW13NK50Z

N沟道500 V ， 0.40

11 A TO - 220 ， TO- 220FP ， TO- 247

齐纳保护超网

功率MOSFET

特点

TYPE

STF13NK50Z

STP13NK50Z

STW13NK50Z

■

DSS

500 V

DS （ ON）

最大

30 W

140 W

TO-220

<0.48

11 A

<0.48

11 A

<0.48

11 A

TO-220FP

DV dt能力极高/

100％的雪崩测试

栅极电荷最小化

非常低的固有电容

很不错的重复性制造

图1 。

内部原理图

TO-247

应用

■

开关应用

描述

在超网系列是通过获得

ST的极端优化完善的

条形基础的PowerMESH 布局。此外

推导通电阻显著下来，特别

被小心确保很好的dv / dt

能力要求最苛刻的应用程序。

这种系列的补充ST全系列高

电压的MOSFET 。

表1中。

设备简介

订货编号

记号

F13NK50Z

P13NK50Z

W13NK50Z

包

TO-220FP

TO-220

TO-247

包装

管

STF13NK50Z

STP13NK50Z

STW13NK50Z

2009年3月

REV 2

1/15

www.st.com

STx13NK50Z

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

............................ 6

测试电路

................................................ 9

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 14

2/15

STx13NK50Z

电气额定值

表2中。

符号

DM(2)

合计

dv / dt的

(3)

ISO

英镑

绝对最大额定值

价值

参数

的TO-220 ，TO- 247

漏源电压（V

= 0)

栅源电压

漏电流（连续）

在T

= 25 °C

漏电流（连续）

在T

=100 °C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 °C

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

绝缘耐受电压（有效值）

来自所有三个导到外部的热罪

（T = 1秒;吨

= 25 °C)

工作结温

储存温度

-55到150

6.93

140

1.12

4.5

2500

500

± 30

(1)

6.93

(1)

0.24

TO-220FP

W / ℃，

V / ns的

单位

°C

1.有限只能由最高允许温度

2.脉冲宽度有限的安全工作区

3. I

≤

11 A， di / dt的

≤

200 A / μs的，V

≤

80% V

（ BR ） DSS

表3中。

符号

THJ情况

THJ -A

热数据

价值

参数

TO-220

热阻结案件最大

热阻结到环境

最大

铅的最大温度

焊接用途

62.5

0.89

300

TO-247

TO-220FP

4.17

62.5

° C / W

°C

单位

表4 。

符号

雪崩特性

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度有限的TJ最大值）

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25 ° C，I

= I

, V

= 50 V)

价值

240

单位

3/15

电气特性

STx13NK50Z

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

表5 。

符号

（ BR ） DSS

开/关状态

参数

漏源击穿

电压

零栅压漏

电流（V

= 0)

门体漏电流

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= 1毫安， V

= 0

=最大额定值，

=125 °C

= ± 20 V

= V

, I

= 100 A

= 10 V，I

= 6.5 A

3.75

0.4

分钟。

500

典型值。

马克斯。

单位

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

4.5

0.48

表6 。

符号

飞秒（1）

国际空间站

OSS

RSS

OSS

(2)

动态

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

等效输出

电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

内在的栅极电阻

测试条件

= 15 V，I

= 6.5 A

= 25 V ， F = 1MHz时，

分钟。

典型值。

8.5

1600

200

2.3

马克斯。

单位

=0, V

= 0 V至400 V

= 400 V，I

= 13 A

=10 V

图20

F = 1 MHz的漏极开路

1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％

2. C

OSS EQ 。

被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C

OSS

当V

增加了从0到80 ％的V

DSS

表7中。

符号

D（上）

D（关闭）

开关时间

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 400 V，I

=6.5 A,

=4.7

=10 V

图19

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

4/15

STx13NK50Z

电气特性

表8 。

符号

SDM(1)

SD(2)

RRM

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 11 A，V

=6.5 A,

的di / dt = 100 A / μs的，

= 40 V ， TJ = 25°C

图21

=6.5 A,

的di / dt = 100 A / μs的，

= 40 V ， TJ = 150℃

图21

380

3.4

425

3.9

18.5

测试条件

民

典型值。

最大

1.6

单位

1.脉冲宽度有限的安全工作区

2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％

表9 。

符号

门源稳压二极管

参数

测试条件

IGS = ± 1毫安

（漏极开路）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

GSO （1）

栅源击穿电压

1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的

ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会

从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和

具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免

使用外部元件。

5/15

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