【SSM6P36FE东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型SSM6P36FE○电源管理开关1.5 -V驱动】,IC型号SSM6P36FE,SSM6P36FE PDF资料,SSM6P36FE经销商,ic,电子元器件-51电子网

SSM6P36FE

东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS型

SSM6P36FE

○

电源管理开关

1.5 -V驱动器

低导通电阻：

= 3.60

（最大值）（ @V

= -1.5 V)

= 2.70

（最大值）（ @V

= -1.8 V)

= 1.60

（最大值）（ @V

= -2.8 V)

= 1.31

（最大值）（ @V

= -4.5 V)

单位：mm

1.6±0.05

1.2±0.05

1.6±0.05

1.0±0.05

0.5 0.5

绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）

（常见于Q1 ， Q2 ）

特征

漏源电压

栅源电压

漏电流

漏极功耗

通道温度

存储温度范围

脉冲

符号

DSS

GSS

(Note1)

英镑

等级

-20

±8

-330

-660

150

单位

0.2±0.05

0.12±0.05

°C

0.55±0.05

1.Source1

2.Gate1

4.Source2

5.Gate2

6.Drain1

注：在重负载下连续使用（例如应用

高温/电流/电压和在显著变化

温度等）可能会导致此产品在减少

可靠性显著即使工作条件下（即

工作温度/电流/电压等）内的

绝对最大额定值。

请在审查设计相应的可靠性

东芝半导体可靠性手册（ “处理

注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人

可靠性数据（即可靠性测试报告和估计故障率等）。

注1 ：总的评价

安装在FR4板

(25.4 mm

25.4 mm

1.6毫米， Cu焊盘： 0.135毫米

ES6

JEDEC

JEITA

东芝

3.Drain2

―

2-2N1D

重量： 3.0毫克（典型值）。

记号

等效电路

（ TOP VIEW ）

操作注意事项

当处理单个设备（其尚未安装在电路板），确保环境是

防止静电。操作人员应穿防静电服装和容器以及随之而来的其他对象

与设备直接接触，应采用防静电材料。

使用注意事项

设V

是栅极和源极之间施加的电压，导致漏电流（I

）以下（ -1毫安的

SSM6P36FE ）。然后，进行正常的开关操作，V

GS （ ON）

必须高于V更高

TH ，

和V

GS （ OFF ）

必须小于

钍。

这种关系可表示为：V

GS （ OFF ）

＆ LT ; V

GS （上）。

使用设备时考虑到这一点。

2008-06-05

SSM6P36FE

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ Q1 ， Q2公用）

特征

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

正向转移导纳

符号

（ BR ） DSS

（ BR ） DSX

DSS

GSS

测试条件

-1毫安，V

0 V

-1毫安，V

8 V

-16 V, V

0 V

= ±8

V, V

0 V

-3 V，I

-1毫安

-3 V，I

-100mA

-100mA ，V

-4.5 V

漏源导通电阻

DS （ ON）

-80mA ，V

-2.8 V

-40mA ，V

-1.8 V

-30mA ，V

-1.5 V

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开关时间

开启时间

打开-O FF时间

国际空间站

OSS

RSS

关闭

DSF

= -10 V，I

= -330mA

= -4 V

-10 V，I

-100mA

0至-2.5 V ，R

50Ω

=330mA,

0 V

(Note2)

-10 V, V

0 V，F

1兆赫

(Note2)

民

-20

-12

-0.3

190

典型值。

0.95

1.22

1.80

2.23

10.3

6.1

1.2

0.85

0.35

200

0.88

最大

-10

±1

-1.0

1.31

1.60

2.70

3.60

1.2

单位

μA

漏源正向电压

注2 ：脉冲测试

开关时间测试电路

（ a）测试电路

2.5

90%

OUT

（二）V

10%

2.5V

μs

（三）V

OUT

DS （ ON）

90%

10%

关闭

= 10

税

≤

: t

, t

＆ LT ;

5纳秒

OUT

Ω)

常见的来源

25°C

2008-06-05

SSM6P36FE

– V

-700

-600

常见的来源

25 °C

-8V

-4.5V

-2.8V

-2.5V

-1000

常见的来源

VDS

-3 V

– V

（MA ）

-500

-1.8 V

-400

-300

（MA ）

-100

100 °C

-10

漏电流

-1.5 V

-1

25 °C

-200

-100

VGS = -1.2 V

-0.1

-0.5

-1.0

-1.5

-0.01

-1.0

-2.0

漏源电压

(V)

栅源电压

(V)

DS （ ON）

– V

=-100mA

常见的来源

25°C

DS （ ON）

– I

漏源导通电阻

DS （ ON）

(

)

漏源导通电阻

DS （ ON）

(

)

25°C

-1.5 V

-1.8 V

-2.8 V

VGS = -4.5 V

25 °C

100 °C

25 °C

-2

-4

-6

-8

-100

-200

-300

-400

-500

-600

-700

栅源电压

(V)

漏电流

（MA ）

DS （ ON）

- TA

-1.0

- TA

(V)

常见的来源

VDS

-3 V

-1毫安

漏源导通电阻

DS （ ON）

(

)

常见的来源

-40mA / -1.8 V

-80mA / -2.8 V

-30mA / -1.5V

栅极阈值电压

-0.5

-100mA / VGS

-4.5 V

100

150

100

150

环境温度

(°C)

环境温度

(°C)

2008-06-05

SSM6P36FE

（女士）

1000

常见的来源

VDS

-3 V

25°C

300

| – I

（MA ）

– V

1000

常见的来源

VGS

0 V

100

正向转移导纳

反向漏电流

TA = 100℃

100

25 °C

°C

0.1

-1

-10

-100

-1000

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

漏电流

（MA ）

漏源电压

(V)

100

- V

10000

吨 - 我

常见的来源

VDD

-10 V

VGS

0至-2.5 V

25 °C

50Ω

（PF ）

西塞

（纳秒）

1000

花花公子

电容

科斯

CRSS

常见的来源

25°C

1兆赫

VGS

0 V

-1

-10

-100

开关时间

百吨

-0.1

-1

-10

-100

-1000

漏源电压

(V)

漏电流

（MA ）

动态输入特性

(V)

-0.33 A

25°C

-6

- TA

250

（ mW）的

-8

常见的来源

安装在FR4板。

（ 25.4毫米× 25.4毫米× 1.6毫米，铜垫： 0.135毫米

200

漏极功耗

150

VDD = - 16 V

100

150

-40

栅源电压

-4

VDD = -10V

-2

-20

100 120

140 160

总栅极电荷

（ NC ）

*：总分

环境温度

(°C)

2008-06-05

SSM6P36FE

限制产品使用

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规格，数据表和应用笔记产品的注意事项和条件中所规定的“TOSHIBA

半导体可靠性手册“和（b）对于该产品将具有或所使用的应用程序的说明。客户

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使用此类设计或应用该产品的适当性; （ b）评价和确定的任何适用性

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产品适用于一般电子设备的应用程序（使用例如，计算机，个人设备，办公设备，测量

设备，工业机器人和家用电子电器），或针对特定应用本文件中的明确规定。

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电力，装备财务相关领域。不要使用产品的误用，除非在此特别许可

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2008-06-05