STD7N52DK3
STF7N52DK3 ， STP7N52DK3
N沟道525 V， 0.95
Ω
6 A， DPAK ， TO- 220FP ， TO- 220
,
SuperFREDmesh3 功率MOSFET
特点
订购代码
STD7N52DK3
STF7N52DK3
STP7N52DK3
V
DSS
R
DS （ ON）
马克斯。
< 1.15
Ω
I
D
6A
6 A
(1)
6A
Pw
1
3
525 V
90 W
25 W
90 W
DPAK
1.限制由包
■
■
■
■
■
■
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
改进的二极管的反向恢复
特征
齐纳保护
D(2)
1
3
2
3
1
2
TO-220
TO-220FP
图1 。
内部原理图
应用
切换应用程序
描述
这些器件是N-沟道
SuperFREDmesh3 ，一种新的功率MOSFET
通过改进中获得的技术
适用于意法半导体的SuperMESH3
技术。所得到的产物具有
极低的导通电阻，优异的动态
高性能，高雪崩能力和快速
体 - 漏恢复二极管，使得它特别
适用于最苛刻的应用。
表1中。
设备简介
记号
7N52DK3
7N52DK3
7N52DK3
G(1)
S(3)
AM01476v1
订购代码
STD7N52DK3
STF7N52DK3
STP7N52DK3
包
DPAK
TO-220FP
TO-220
包装
磁带和卷轴
管
管
2010年10月
文档ID 16387第2版
1/16
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16
目录
STD7N52DK3 ， STF7N52DK3 ， STP7N52DK3
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
.............................................. 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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文档ID 16387第2版
STD7N52DK3 ， STF7N52DK3 ， STP7N52DK3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
I
AR
E
AS
V
ESD （G -S ）
dv / dt的
(3)
的di / dt
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50 V)
门源ESD（ HBM -C = 100 pF的，
R = 1.5千欧）
峰值二极管恢复电压斜率
二极管的反向恢复电流斜率
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
-55到150
150
6
4
24
90
3
100
2500
20
400
2500
DPAK
525
± 30
6
(1)
4
(1)
24
(1)
25
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
A
mJ
V
V / ns的
A / μs的
V
°C
°C
单位
1.限制由包
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
6 A，峰值V
DS
＆ LT ; V
（ BR ） DSS 。
表3中。
符号
R
THJ情况
热数据
价值
参数
TO-220
热阻结案件最大
1.39
50
62.5
300
62.5
300
DPAK
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
° C / W
°C
单位
R
THJ -PCB （ 1 ）
热阻结到PCB最大
R
THJ - AMB
T
l
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
1.当安装在1inch FR-4板， 2盎司铜
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电气特性
STD7N52DK3 ， STF7N52DK3 ， STP7N52DK3
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
525
1
50
± 10
3
3.75
0.95
4.5
1.15
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
Ω
零栅极电压
V
DS
=最大额定值
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 20 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 50 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 3 A
表5 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
(1)
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
当量
电容时间
相关
当量
电容能源
相关
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 0 525 V ，V
GS
= 0
-
74
-
pF
测试条件
分钟。
典型值。
870
70
13
马克斯。
单位
pF
pF
pF
V
DS
= 50 V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
-
-
C
O（ TR ）
-
53
-
pF
C
o(er)(2)
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 420 V，I
D
= 6 A,
V
GS
= 10 V
（见
图20）
-
3.5
33
5
19
-
Ω
nC
nC
nC
-
-
1. C
OSS EQ 。
时间相关的被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
2. C
OSS EQ 。
能量相关的被定义为一个常数等效电容给出相同存储的能量作为
C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
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STD7N52DK3 ， STF7N52DK3 ， STP7N52DK3
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 260 V，I
D
= 3 A,
R
G
= 4.7
Ω,
V
GS
= 10 V
（见
图19）
分钟。
典型值。
12
12
37
19
最大
单位
ns
ns
ns
ns
-
-
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 6 A，V
GS
= 0
I
SD
= 6 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图24 ）
I
SD
= 6 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图24 ）
测试条件
分钟。
-
-
-
110
440
8
140
680
10
典型值。
MAX 。 UNIT
6
24
1.5
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
-
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表8 。
符号
BV
GSO
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ±1 MA（漏极开路）
分钟。
30
典型值。
-
MAX 。 UNIT
V
所述内置的后端到背部的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅
该器件的ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变
这可能偶尔会从栅极施加到源极。在这方面的齐纳电压是
适合于实现一个高效和具有成本效益的干预措施，以保护设备的
诚信。这些集成稳压二极管从而避免了外部元件的使用情况。
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