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Si7902EDN
初步信息
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET ，共漏极
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
8.3
8.0
6.7
r
DS （ ON）
(W)
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 3.7 V
0.043 @ V
GS
= 2.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
D
3000 -V ESD保护
应用
D
保护开关1-2锂离子/ LiP的电池
D
D
PowerPAKt 1212-8
3.30 mm
S1
1
2
3
G1
S2
3.30 mm
1.8千瓦
G2
4
1.8千瓦
G
2
G
1
D
8
7
6
5
D
D
D
S
1
N沟道
N沟道
S
2
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"12
8.3
稳定状态
单位
V
5.6
4.0
40
A
1.3
1.5
0.79
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
6.0
2.7
3.2
1.7
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
30
65
1.9
最大
38
82
2.4
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
此数据表包含初步的规范，也可能会改变。
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
www.vishay.com
1
Si7902EDN
Vishay Siliconix公司
初步信息
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 3.7 V，I
D
= 8.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.3 A
I
S
= 2.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.023
0.025
0.035
26
0.75
1.2
0.028
0.030
0.043
S
V
W
0.60
"1
"10
1
20
V
mA
mA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.3 A
10
2.3
2.4
0.9
1.5
2.5
2.5
1.5
2.5
4.0
4.0
ms
m
15
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅极电流与栅源电压
0.8
1000
栅电流与栅源电压
100
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
0.6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
10
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.1
0.01
0.4
0.2
0.0
0
3
6
9
12
15
0.001
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
www.vishay.com
2
Si7902EDN
初步信息
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
2.5 V
18
I
D
- 漏极电流（ A）
24
30
Vishay Siliconix公司
传输特性
18
12
12
T
C
= 125_C
6
25_C
–55_C
6
2V
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.08
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
V
DS
= 15 V
I
D
= 8.3 A
栅极电荷
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
4
0.06
3
0.04
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 3.7 V
2
0.02
V
GS
= 4.5 V
1
0.00
0
6
12
18
24
30
0
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏极电流（ A）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与结温
1.8
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 8.3 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
www.vishay.com
3
Si7902EDN
Vishay Siliconix公司
初步信息
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.08
I
D
= 3 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.06
10
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
I
D
= 8.3 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
40
50
单脉冲功率， Juncion到环境
–0.0
30
–0.2
20
–0.4
10
–0.6
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
www.vishay.com
4
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
Si7902EDN
初步信息
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
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5
Si7902EDN
初步信息
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET ，共漏极
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
8.3
8.0
6.7
r
DS （ ON）
(W)
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 3.7 V
0.043 @ V
GS
= 2.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
D
3000 -V ESD保护
应用
D
保护开关1-2锂离子/ LiP的电池
D
D
PowerPAKt 1212-8
3.30 mm
S1
1
2
3
G1
S2
3.30 mm
1.8千瓦
G2
4
1.8千瓦
G
2
G
1
D
8
7
6
5
D
D
D
S
1
N沟道
N沟道
S
2
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"12
8.3
稳定状态
单位
V
5.6
4.0
40
A
1.3
1.5
0.79
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
6.0
2.7
3.2
1.7
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
30
65
1.9
最大
38
82
2.4
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
此数据表包含初步的规范，也可能会改变。
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
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1
Si7902EDN
Vishay Siliconix公司
初步信息
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 3.7 V，I
D
= 8.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.3 A
I
S
= 2.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.023
0.025
0.035
26
0.75
1.2
0.028
0.030
0.043
S
V
W
0.60
"1
"10
1
20
V
mA
mA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.3 A
10
2.3
2.4
0.9
1.5
2.5
2.5
1.5
2.5
4.0
4.0
ms
m
15
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅极电流与栅源电压
0.8
1000
栅电流与栅源电压
100
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
0.6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
10
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.1
0.01
0.4
0.2
0.0
0
3
6
9
12
15
0.001
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
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2
Si7902EDN
初步信息
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
2.5 V
18
I
D
- 漏极电流（ A）
24
30
Vishay Siliconix公司
传输特性
18
12
12
T
C
= 125_C
6
25_C
–55_C
6
2V
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.08
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
V
DS
= 15 V
I
D
= 8.3 A
栅极电荷
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
4
0.06
3
0.04
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 3.7 V
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0.02
V
GS
= 4.5 V
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0
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0
2
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I
D
- 漏极电流（ A）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与结温
1.8
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 8.3 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
www.vishay.com
3
Si7902EDN
Vishay Siliconix公司
初步信息
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.08
I
D
= 3 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.06
10
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
I
D
= 8.3 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
40
50
单脉冲功率， Juncion到环境
–0.0
30
–0.2
20
–0.4
10
–0.6
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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4
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
Si7902EDN
初步信息
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
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Si7902EDN
初步信息
Vishay Siliconix公司
双N通道30 -V （D -S ）的MOSFET ，共漏极
产品概述
V
DS
(V)
30
特点
I
D
(A)
8.3
8.0
6.7
r
DS （ ON）
(W)
0.028 @ V
GS
= 4.5 V
0.030 @ V
GS
= 3.7 V
0.043 @ V
GS
= 2.5 V
D
TrenchFETr功率MOSFET
D
新的低热阻PowerPAKt
低1.07毫米封装简介
D
3000 -V ESD保护
应用
D
保护开关1-2锂离子/ LiP的电池
D
D
PowerPAKt 1212-8
3.30 mm
S1
1
2
3
G1
S2
3.30 mm
1.8千瓦
G2
4
1.8千瓦
G
2
G
1
D
8
7
6
5
D
D
D
S
1
N沟道
N沟道
S
2
底部视图
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
= 150_C)
a
_
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
a
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
T
A
= 25_C
T
A
= 85_C
符号
V
DS
V
GS
10秒]
30
"12
8.3
稳定状态
单位
V
5.6
4.0
40
A
1.3
1.5
0.79
-55到150
W
_C
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
英镑
6.0
2.7
3.2
1.7
热电阻额定值
参数
t
v
10秒
最大结点到环境
a
最大结至外壳（漏）
稳定状态
稳定状态
R
thJA
R
thJC
符号
典型
30
65
1.9
最大
38
82
2.4
单位
° C / W
C / W
笔记
一。表面装在1 “×1” FR4板。
此数据表包含初步的规范，也可能会改变。
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S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
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Si7902EDN
Vishay Siliconix公司
初步信息
MOSFET规格（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
V
GS （ TH）
I
GSS
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
mA
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"4.5
V
V
DS
= 0 V, V
GS
=
"12
V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
a
I
DSS
I
D（上）
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 85_C
V
DS
w
5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.3 A
漏源导通电阻
a
r
DS （ ON）
V
GS
= 3.7 V，I
D
= 8.0 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 3.0 A
正向跨导
a
二极管的正向电压
a
g
fs
V
SD
V
DS
= 15 V，I
D
= 8.3 A
I
S
= 2.7 A，V
GS
= 0 V
30
0.023
0.025
0.035
26
0.75
1.2
0.028
0.030
0.043
S
V
W
0.60
"1
"10
1
20
V
mA
mA
mA
m
A
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DD
= 15 V ，R
L
= 15
W
I
D
^
1 ，V
根
= 4.5 V ，R
G
= 6
W
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8.3 A
10
2.3
2.4
0.9
1.5
2.5
2.5
1.5
2.5
4.0
4.0
ms
m
15
nC
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
B 。通过设计保证，不受生产测试。
典型特征（ 25_C除非另有说明）
栅极电流与栅源电压
0.8
1000
栅电流与栅源电压
100
I
GSS
- 栅极电流（mA ）
0.6
I
GSS
- 栅电流（
毫安）
10
T
J
= 150_C
1
T
J
= 25_C
0.1
0.01
0.4
0.2
0.0
0
3
6
9
12
15
0.001
0
3
6
9
12
15
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
文档编号： 71801
S- 05696 -REV 。 A， 18 -FEB -02
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Si7902EDN
初步信息
典型特征（ 25_C除非另有说明）
输出特性
30
V
GS
= 5通2 V
24
I
D
- 漏极电流（ A）
2.5 V
18
I
D
- 漏极电流（ A）
24
30
Vishay Siliconix公司
传输特性
18
12
12
T
C
= 125_C
6
25_C
–55_C
6
2V
1.5 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
导通电阻与漏电流
0.08
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
5
V
DS
= 15 V
I
D
= 8.3 A
栅极电荷
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
4
0.06
3
0.04
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 3.7 V
2
0.02
V
GS
= 4.5 V
1
0.00
0
6
12
18
24
30
0
0
2
4
6
8
10
I
D
- 漏极电流（ A）
Q
g
- 总栅极电荷（ NC）
导通电阻与结温
1.8
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 8.3 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W)
（归一化）
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
T
J
=结温（ ° C）
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初步信息
典型特征（ 25_C除非另有说明）
源极 - 漏极二极管正向电压
30
0.08
I
D
= 3 A
r
DS （ ON）
- 导通电阻（
W
)
I
S
- 源电流（ A）
0.06
10
导通电阻与栅极至源极电压
T
J
= 150_C
I
D
= 8.3 A
0.04
T
J
= 25_C
0.02
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0
1
2
3
4
5
V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
阈值电压
0.4
I
D
= 250
mA
0.2
V
GS （ TH）
方差（ V）
功率（W）的
40
50
单脉冲功率， Juncion到环境
–0.0
30
–0.2
20
–0.4
10
–0.6
–50
0
–25
0
25
50
75
100
125
150
0.01
0.1
1
时间（秒）
10
100
600
T
J
- 温度（ _C ）
归瞬态热阻抗，结到环境
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
0.2
注意事项：
0.1
0.1
0.05
t
1
P
DM
0.02
t
2
1.占空比D =
2.每单位基础= R
thJA
= 65 ° C / W
t
1
t
2
单脉冲
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
方波脉冲持续时间（秒）
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA （T ）
4.表层嵌
10
100
600
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初步信息
典型特征（ 25_C除非另有说明）
归瞬态热阻抗，结至外壳
2
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
Vishay Siliconix公司
0.2
0.1
0.1
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
方波脉冲持续时间（秒）
10
–1
1
文档编号： 71801
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