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STD6N52K3
STF6N52K3
N沟道525 V， 1
5 A ， DPAK ， TO- 220FP
,
SuperMESH3 功率MOSFET
初步数据
特点
TYPE
STD6N52K3
STF6N52K3
V
DSS
525 V
525 V
R
DS （ ON）
最大
＆ LT ; 1.2
＆ LT ; 1.2
I
D
5A
5 A
(1)
Pw
70 W
25 W
3
1
2
1
3
1.限制由包
■
■
■
■
■
■
100％的雪崩测试
DV dt能力极高/
栅极电荷最小化
非常低的固有电容
改进的二极管的反向恢复
特征
齐纳保护
图1 。
TO-220FP
DPAK
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
获得新SuperMESH3 系列
通过进一步的微调的组合
ST的确立带钢为主的PowerMESH
与垂直的一个新的优化布局
结构。除了降低导通电阻
显著相比上一代，特别
注意已采取保证了很好的
dv / dt能力和故障毛利率较高
电压为要求最苛刻的应用程序。
表1中。
设备简介
记号
6N52K3
6N52K3
包
DPAK
TO-220FP
包装
磁带和卷轴
管
订购代码
STD6N52K3
STF6N52K3
2008年9月
REV 1
1/12
www.st.com
12
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
目录
STD6N52K3 - STF6N52K3
目录
1
2
3
4
5
6
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
.............................................. 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
2/12
STD6N52K3 - STF6N52K3
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
价值
参数
DPAK
漏源电压（V
GS
= 0)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
绝缘从所有的耐压（ RMS）
3导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
= 25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
--
-55到150
150
5
3.15
20
70
0.56
9
2500
525
± 30
5
(1)
3.15
(1)
20
(1)
25
0.2
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
V
°C
°C
单位
1.限制由包
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
6.3 A， di / dt的=待定，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS 。
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -PCB
R
THJ - AMB
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到PCB最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的
用途
DPAK
1.79
50
--
300
TO-220FP
5
--
62.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AR
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不重复
（脉冲宽度限制T
j
MAX ）
单脉冲雪崩能量
（起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= I
AR
, V
DD
= 50V)
最大值
待定
待定
单位
A
mJ
3/12
电气特性
STD6N52K3 - STF6N52K3
2
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （上
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
分钟。
525
1
50
± 10
3
3.75
1.0
4.5
1.2
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
A
V
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值，T
C
=125 °C
门体漏
电流（V
DS
= 0)
V
GS
= ± 30 V
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
, I
D
= 100 A
静态漏源
阻力
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.5 A
表6 。
符号
g
fs
(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS EQ （ 1 ）
R
G
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
内在门
阻力
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 2.5 A
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 50 V ， F = 1兆赫，V
GS
= 0
V
GS
= 0, V
DS
= 0至240 V
F = 1 MHz的漏极开路
V
DD
= 240 V，I
D
= 5 A,
V
GS
= 10 V
（见
图3）
1. C
OSS EQ
。被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
D
S
增加了从0到80 ％的V
DSS
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
关断延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 150 V，I
D
= 3.15 A,
R
G
= 4.7
,
V
GS
= 10 V
（见
图2）
分钟。
典型值。
待定
待定
待定
待定
最大
单位
ns
ns
ns
ns
4/12
STD6N52K3 - STF6N52K3
电气特性
表8 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 5 A，V
GS
= 0
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V （见
图7）
I
SD
= 5 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 60 V ，T
j
= 150 °C
（见
图7）
待定
待定
待定
待定
待定
待定
测试条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
6.3
25
1.6
A
A
V
ns
nC
A
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
表9 。
符号
BV
GSO(1)
门源稳压二极管
参数
栅源击穿
电压
测试条件
IGS = ±1 MA（漏极开路）
民
30
典型值
最大单位
V
1.内置背到背的齐纳二极管已经专门设计用于增强不仅设备的
ESD能力，同时也让他们安全地吸收可能的电压瞬变，可能偶尔会
从门适用于源头。在这方面的齐纳电压是适当的，以实现高效和
具有成本效益的干预措施，以保护设备的完整性。这些集成稳压二极管从而避免
外部元件的使用情况
5/12
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