【SRA2211EPNP硅晶体管说明开关应用接口电路和驱动电路中的应用引脚连接OUT特点利用内置的偏置】,IC型号SRA2211E,SRA2211E PDF资料,SRA2211E经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SRA2211E

PNP硅晶体管

说明

开关应用

接口电路和驱动电路中的应用

引脚连接

OUT

特点

利用内置的偏置电阻

简化电路设计

减少零件的数量和

制造工艺

高密度封装

OUT

IN

常见

IN

R

1

R

1

= 10KΩ

订购信息

键入不

SRA2211E

记号

DR

□

①

②

设备

CODE

②

Year&Week码

封装代码

SOT-523

绝对最大额定值

特征

输出电压

输入电压

输出电流

功耗

结温

存储温度范围

(Ta=25°C)

符号

V

O

V

I

I

O

P

D

T

J

T

英镑

等级

-50

-30, 5

-100

150

150

-55 ~ 150

单位

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

特征

输出截止电流

直流电流增益

输出电压

输入电压（ ON）的

输入电压（OFF）的

跃迁频率

输入电流

输入电阻（输入为基础）

(Ta=25°C)

符号

I

O（关）

G

I

V

O（上）

V

我（上）

V

我（关闭）

f

T

*

I

I

R

1

测试条件

V

O

=-50V, V

I

=0

V

O

= -5V ，我

O

=-10mA

I

O

= -10mA ，我

I

=-0.5mA

V

O

= -0.2V ，我

O

=-5mA

V

O

= -5V ，我

O

=-0.1mA

V

O

= -10V ，我

O

= -5mA ， F = 1MHz的

V

I

= -5V ，我

O

=0

-

分钟。典型值。马克斯。

-

120

-

-

-0.3

-

-

7

-

-

-0.1

-0.9

-0.55

200

-

10

-500

-

-0.3

-1.4

-

-

-0.88

13

单位

nA

-

V

V

V

兆赫

mA

KΩ

* ：晶体管的特性，只有

KSD-R5E039-000

1

SRA2211E

电气特性曲线

图。 1 P

D

- TA

图。 2我

O

- V

我（上）

图。 3我

O

- V

我（关闭）

图。的4G

I

- I

O

KSD-R5E039-000

2

SRA2211E

外形尺寸

※推荐

PCB焊盘[单位：mm ]

KSD-R5E039-000

3

SRA2211E

该AUK公司产品用于使用在一般的电子元件

设备（办公室和通信设备，测量设备，家用

设备等）。

请确保您与我们协商，然后再使用这些AUK公司产品前

在需要较高的质量和/或可靠性，设备和在设备，而

可能主要影响到人类生活的福利（原子能控制，飞机，

飞船，运输，燃烧控制，所有类型的安全装置，等等）。 AUK

公司不承担责任，以可能发生的情况下，这些AUK公司的任何损害

产品使用在上述设备不与AUK事先协商

公司..

本出版物中提到的规格如有变更，恕不另行通知。

KSD-R5E039-000

4

半导体

SRA2211E

PNP硅晶体管

说明

开关应用

接口电路和驱动电路中的应用

特点

利用内置的偏置电阻

简化电路设计

减少部件数量和制造工艺的数量

高密度封装

订购信息

键入不

SRA2211E

记号

DR

封装代码

SOT-523

外形尺寸

1.60±0.1

.

0.80±0.1

.

单位：

■

等效电路

C（ OUT ）

mm

1

1.00 BSC

1.60±0.1

3

0.2~0.3

B（中）

R

1

2

R

1

= 10K

E（ COMMON ）

0.15分钟。

0.70±0.1

0~0.1

0.1分钟。

引脚连接

1.基地

2.辐射源

3.收集

KSR-4031-000

1

SRA2211E

绝对最大额定值

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

功耗

结温

储存温度

(Ta=25°C)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

D

T

J

T

英镑

评级

-50

-50

-5

-100

150

150

-55

150

单位

V

V

V

mA

mW

°C

°C

电气特性

特征

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

输入阻抗

(Ta=25°C)

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE （ SAT ）

f

T

*

R

1

测试条件

V

CB

= -50V ，我

E

=0

V

EB

= -5V ，我

C

=0

V

CE

= -5V ，我

C

=-1mA

I

C

= -10mA ，我

B

=-0.5mA

V

CE

= -10V ，我

C

=-5mA

-

分钟。典型值。马克斯。

-

-

120

-

-

-

-

-

-

-0.1

250

10

-500

-500

-

-0.3

-

-

单位

nA

nA

-

V

兆赫

K

* ：晶体管的特性，只有

电气特性曲线

图。 1小时

FE

- I

C

图。 2 V

CE （ SAT ）

- I

C

KSR-4031-000

2

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