STD60N55-1
STD60N55
N沟道55V - 8.0mΩ - 65A - DPAK - IPAK
的MDmesh 低电压功率MOSFET
初步数据
一般特点
TYPE
STD60N55
STD60N55-1
■
■
V
DSS
55V
55V
R
DS （ ON）
<10.5m
<10.5m
I
D
65A
65A
Pw
110W
110W
3
1
标准阈DRIVE
100％的雪崩测试
DPAK
3
2
1
IPAK
描述
这n沟道增强型功率
MOSFET是最新的细化
意法半导体独有的“单一特征尺寸 ”
条形基础的过程，那么关键aligment
步骤，因此，显着的制造
重现。由此产生的晶体管显示
极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
低栅电荷
.
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD60N55
STD60N55-1
记号
D60N55
D60N55-1
包
DPAK
IPAK
包装
磁带&卷轴
管
2006年7月
REV 1
1/12
www.st.com
12
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
目录
STD60N55 - STD60N55-1
目录
1
2
3
4
5
6
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
测试电路
................................................ 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
2/12
STD60N55 - STD60N55-1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
价值
55
± 20
65
46
260
110
0.73
8
390
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
dv / dt的
(2)
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
E
的AS （3）
T
j
T
英镑
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
I
SD
<65A ， di / dt的<300A /微秒，V
DD
＆ LT ; V
（ BR ） DSS 。
TJ < TJMAX
3.启动TJ = 25°C ，ID = 32A ， VDD = 40V
表2中。
符号
Rthj情况
热阻
参数
热阻结案件最大
价值
1.36
50
275
单位
° C / W
° C / W
°C
RthJ -PCB
(1)
热阻结到环境最大
T
l
最大无铅焊接温度的目的
1.当安装在FR-4板1inch的， 2盎司铜
3/12
电气特性
STD60N55 - STD60N55-1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
STATIC
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 32A
2
8.0
MIN 。 TYP 。 MAX 。 UNIT
55
10
100
±
200
V
A
A
nA
V
m
4
10.5
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V ，我
D
=32A
民
典型值。马克斯。单位
50
2200
500
25
33.5
12.5
9.5
45
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
V
DD
= 27V ，我
D
= 65A
V
GS
=10V
（参见图2）
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
4/12
STD60N55 - STD60N55-1
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开启/关闭（感性负载）
参数
导通延迟时间
上升时间
测试条件
V
DD
= 27V ，我
D
= 32A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图3）
V
DD
= 27V ，我
D
= 32A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
（参见图3）
分钟。
典型值。
20
50
马克斯。
单位
ns
ns
打开-O FF延迟时间
下降时间
35
11.5
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
SD
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 65A ，V
GS
= 0
I
SD
= 65A ，V
DD
= 30V
的di / dt = 100A / μs的，
TJ = 150 ° C（见
图5）
47
87
3.7
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
65
260
1.5
单位
A
A
V
ns
nC
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
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QQ：2881677436 复制
