STD50NH02L
STD50NH02L-1
N沟道24V - 0.0085Ω - 50A - DPAK / IPAK
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD50NH02L-1
STD50NH02L
■
■
■
■
■
V
DSS
24V
24V
R
DS （ ON）
<0.0105
<0.0105
I
D
50A
50A
2
1
3
1
3
逻辑电平器件
R
DS （ ON）
* Q
g
行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值DRIVE
IPAK
DPAK
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这是适合FOT最苛刻的DC- DC
转换器应用中的高效率，是
来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD50NH02L-1
STD50NH02LT4
记号
D50NH02L
D50NH02L
包
IPAK
DPAK
包装
管
磁带&卷轴
2006年7月
第七版
1/16
www.st.com
16
目录
STD50NH02L - STD50NH02L - 1
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
6
7
测试电路
................................................ 8
附录A 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
2/16
STD50NH02L - STD50NH02L - 1
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
尖峰（1）
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM(2)
P
合计
E
的AS （3）
T
英镑
T
j
绝对最大额定值
参数
漏源电压额定值
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
单脉冲雪崩能量
储存温度
-55至175
马克斯。工作结温
°C
价值
30
24
24
± 20
50
36
200
60
0.4
280
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
mJ
1. Garanted当外部R
g
=4.7
和T
f
＆ LT ;吨
FMAX
.
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3.起始物为
j
= 25 ° C，I
D
= 19A ，V
DD
= 18V
表2中。
Rthj情况
Rthj - AMB
T
J
热数据
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
2.5
100
275
° C / W
° C / W
°C
3/16
电气特性
STD50NH02L - STD50NH02L - 1
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流（V
GS
= 0)
门体漏
电流（V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25毫安，V
GS
=0
V
DS
= 20V
V
DS
= 20V ，T
C
= 125°C
V
GS
= ± 20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 25A
V
GS
= 5V ，我
D
= 12.5A
1
1.8
0.0085
0.012
0.0105
0.020
分钟。
24
1
10
±100
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
前锋
跨
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试条件
V
DS
= 15V
,
I
D
= 25A
分钟。
典型值。
27
1400
400
55
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
F = 1 MHz的门
DC偏压= 0测试信号
等级= 20 mV的开放
漏
V
DD
= 10V ，我
D
= 25A
R
G
= 4.7 V
GS
= 10V
（见
图13）
V
DD
=
10V ，我
D
= 50A,
V
GS
= 10V ，R
G
= 4.7
（见
图14）
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
R
G
门输入电阻
1
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(2)
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
10
130
27
16
24
5
3.5
9.5
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
2. QOSS =科斯* Δ输入电压，科斯= Cgd的+光盘。看
第4章：附录A
4/16
STD50NH02L - STD50NH02L - 1
电气特性
表5 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
I
SD
= 25A ，V
GS
= 0
36
36
2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
200
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
反向恢复时间
I
SD
= 50A ，的di / dt = 100A / μs的，
反向恢复电荷V
DD
= 20V ，T
j
= 150°C
反向恢复电流（见
图15）
1.脉冲宽度有限的安全工作区。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
5/16
STD50NH02L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS （ 5 ）
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
测试条件
I
D
= 25 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 10 V I
D
= 50 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
10
130
24
5
3.4
9.4
32
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 16 V
V
GS
= 0 V
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 25 A
V
DD
= 10 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
27
16
马克斯。
21.6
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
V
SD （4）
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 25 A
V
GS
= 0
36
36
2
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
50
200
1.3
单位
A
A
V
ns
nC
A
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 50 A
V
DD
= 20 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(1)
Garanted当外部RG = 4.7
和T
f
＆ LT ;吨
FMAX
.
(2)
脉冲宽度有限的安全工作区
(
3
）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 25A ，V
DD
= 15V
(4)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(5)
Q
OSS =
C
OSS
* V
中，
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
见附录A
.
.
安全工作区
热阻抗
3/12
QQ：2880707522 复制
