【N沟道75V - 0.009- 75A 2PAK / I2PAK/TO-220的STripFET I】,IC型号STB75NF75L-1,STB75NF75L-1 PDF资料,STB75NF75L-1经销商,ic,电子元器件-51电子网

N沟道75V - 0.009

- 75A

PAK / I

PAK/TO-220

的STripFET II功率MOSFET

TYPE

STB75NF75L/-1

STP75NF75L

STB75NF75L STB75NF75L - 1

DSS

75 V

DS （ ON）

<0.011

75 A

典型

（上） = 0.009Ω

DV dt能力EXCEPTIONAL /

100％的雪崩测试

低阈值DRIVE

PAK

TO-263

PAK

TO-262

描述

这实现了与意法半导体MOSFET系列产品

独特的STripFET进程专门设计

以减少输入电容和栅极电荷。这是

因此适合作为先进的高初级开关

效率，高频隔离型DC- DC转换器

电信和计算机应用。它也意

与低栅极驱动要求的任何应用程序

TO-220

内部原理图

应用

电磁阀和继电器驱动器

直流电机控制

DC- DC转换器

汽车环境

绝对最大额定值

符号

DGR

()

合计

dv / dt的

(1)

AS （2）

英镑

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

单脉冲雪崩能量

储存温度

马克斯。工作结温

价值

± 15

300

680

-55至175

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

（），通过封装电流限制

()

脉冲宽度有限的安全工作区。

2002年4月

(1) I

≤

75A ， di / dt的

≤

500A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

JMAX 。

（ 2 ）起始物为

= 25

C，我

= 37.5A ，V

= 30V

1/11

STB75NF75L / -1 STP75NF75L

热数据

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

典型值

0.5

62.5

300

° C / W

°C

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250 A

= 0

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

=最大额定值

=最大额定值牛逼

= 125°C

= ± 15 V

GSS

(*)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 5 V

= 250 A

= 37.5 A

分钟。

0.009

0.010

典型值。

马克斯。

2.5

0.011

0.013

单位

动态

符号

飞秒（*）

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

DS =

15 V

= 37.5 A

分钟。

典型值。

120

4300

660

205

马克斯。

单位

= 25V ， F = 1兆赫，V

= 0

2/11

STB75NF75L / -1 STP75NF75L

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 37.5 A

= 40 V

= 4.7

= 4.5 V

（阻性负载，图3 ）

= 60V我

= 75 A V

= 5V

分钟。

典型值。

150

马克斯。

单位

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 37.5 A

= 40 V

= 4.7,

= 4.5 V

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

110

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM （）

SD （*）

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 75 A

= 0

100

380

7.5

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

300

1.3

单位

的di / dt = 100A / μs的

= 75 A

= 20 V

= 150°C

（见测试电路，图5 ）

(*)

脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％。

(

)

脉冲宽度有限的安全工作区。

安全工作区

热阻抗

3/11

STB75NF75L / -1 STP75NF75L

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/11

STB75NF75L / -1 STP75NF75L

归栅极阈值电压与温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

归一化的击穿电压与温度的关系。

5/11

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