【STD20N06N - 沟道增强型“超高密度”功率MOS晶体管初步数据TYPESTD20N06ss】,IC型号STD20N06,STD20N06 PDF资料,STD20N06经销商,ic,电子元器件-51电子网

STD20N06

N - 沟道增强型

“超高密度”功率MOS晶体管

初步数据

TYPE

STD20N06

DSS

60 V

DS （ ON）

< 0.03

20 A (*)

典型

DS （ ON）

= 0.026

雪崩坚固的技术

100％的雪崩测试

重复性雪崩数据的AT 100

高电流能力

175°C工作温度

高dv / dt坚固

通孔IPAK （ TO- 251 ）电源

包装管内（后缀“ -1” ）

表面安装DPAK （ TO- 252 ）

电源包装在磁带& REEL

（后缀“ T4 ” ）

IPAK

TO-251

（后缀“-1” ）

DPAK

TO-252

（后缀“ T4 ” ）

描述

该系列功率MOSFET的代表

最新开发的低电压技术。

超高密度的细胞过程（ UHD ） produ-

土木工程署与先进的设备精细几何

提供设备非常低R

DS （ ON）

以及

良好的开关性能和高雪崩

能量的能力。

应用

大电流，高开关速度

电动机控制

DC-DC & DC- AC转换器

SYNCRONOUS纠偏

绝对最大额定值

符号

D M

()

合计

英镑

参数

漏源电压（V

= 0)

漏极 - 栅极电压（R

= 20 k)

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25

漏电流（连续）在T

= 100

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 C

降额因子

储存温度

马克斯。工作结温

内部原理图

价值

0.4

-65 175

175

单位

（ * ）电流限制由包

（）脉冲宽度有限的安全工作区（ * ）

1995年3月

1/10

STD20N06

热数据

THJ - CAS é

thj- AMB

热阻结案件

热阻结到环境

热阻案例散热器

最大无铅焊接温度的目的

最大

典型值

2.5

100

1.5

300

C / W

雪崩特性

符号

A R

参数

雪崩电流，重复或不重复

（脉冲宽度限制T

最大，

＆ LT ; 1％）的

单脉冲雪崩能量

（起始物为

= 25

C，我

= I

, L = 330

= 25 V)

（见波形，图2）

重复性雪崩能量

（脉冲宽度限制T

最大，

＆ LT ; 1％）的

雪崩电流，重复或不重复

= 100

C，脉冲宽度为T的限制

最大，

＆ LT ; 1％）的

最大值

单位

A R

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DS S

摹SS

参数

漏源

击穿电压

测试条件

= 250

的s

= 0

分钟。

250

1000

100

典型值。

马克斯。

单位

零栅极电压

=最大额定值

漏电流（V

= 0) V

=最大额定值×0.8

门体漏

电流（V

= 0)

20 V

= 125

开（ *）

符号

的s （次）

DS （ ON）

D（上）

参数

栅极阈值电压V

= V

静态漏源

阻力

在国家漏极电流

测试条件

= 250

= 100

分钟。

典型值。

0.026

马克斯。

0.03

0.06

单位

= 10V我

= 10 A

= 10V我

= 10 A

＆ GT ;我

D（上）

个R

S（上）最大

= 10 V

动态

符号

()

国际空间站

OSS

RSS

参数

前锋

跨

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

＆ GT ;我

D（上）

个R

S（上）最大

= 25 V

F = 1 MHz的

= 10 A

的s

= 0

分钟。

典型值。

2000

350

2800

450

120

马克斯。

单位

2/10

STD20N06

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

（ di / dt的）

参数

开启时间

上升时间

导通电流斜率

测试条件

= 30 V

= 10 A

= 10 V

= 50

（见测试电路，图3 ）

= 48 V

= 20 A

= 50

= 10 V

（见测试电路，图5 ）

= 40 V

= 20 A

= 10 V

分钟。

典型值。

280

240

马克斯。

380

单位

A / μs的

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

关闭

符号

R（ VOF F）

参数

关闭电压上升时间

下降时间

交叉时间

测试条件

= 48 V I

= 20 A

= 50

= 10 V

（见测试电路，图5 ）

分钟。

典型值。

125

200

马克斯。

170

270

单位

源漏二极管

符号

S.D。

SDM

()

S.D。

()

RRM

参数

源极 - 漏极电流

（脉冲的）

正向电压上

反向恢复

时间

反向恢复

收费

反向恢复

当前

= 20 A

的s

= 0

0.3

= 20 A的di / dt = 100 A / μs的

= 30 V

= 150

（见测试电路，图5 ）

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

1.5

单位

（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300

占空比1.5 ％

（）脉冲宽度有限的安全工作区

安全工作区

热阻抗

3/10

STD20N06

降额曲线

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

4/10

STD20N06

电容变化

归栅极阈值电压VS

温度

归一通电阻与温度

导通电流斜率

关断漏源电压斜率

交叉时间

5/10

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ST【原装正品】

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