Si91845/6
Vishay Siliconix公司
150 - mA的超低噪声LDO稳压器
有了错误标志和排放方案
特点
D
超低压差- 130毫伏，在150 mA负载
D
超低噪声-30
mV
（ RMS）
（ 10赫兹至100千赫兹
带宽）
D
外的调节错误标志（电源良好）
D
关断控制
D
只有110毫安接地电流为150 mA的负载
D
快速启动（ 50
女士）
D
1.5 ％，保证输出电压精度
D
300 mA峰值输出电流能力
D
使用低ESR陶瓷电容器
D
快速电压和负载瞬态响应（V 30
女士）
D
1 mA最大关断电流
D
输出电流限制
D
Si91845 ：输出，自动放电在关断模式
D
Si91846 ：输出，不放电的关断模式
D
固定的1.8 ， 2.0 ，2.2， 2.5 ，2.6 ，2.7 ，2.8 ，2.85 ，2.9 ，3.0 ，3.3 ，
3.5 ， 3.6 ， 5.0 V输出电压选项
D
内置短路保护和热保护
D
反向电池保护
D
薄SOT23-6封装
应用
D
移动电话，无线手机
D
对噪声敏感的电子系统，笔记本电脑和
掌上电脑
D
掌上电脑
D
数码相机
D
寻呼机
D
MP3播放器
D
无线调制解调器
描述
该Si91845 / 6是150毫安的CMOS LDO （低压差）稳压
调节器。它是低电压，低功耗的完美选择
应用程序。超低接地电流和超快速的开启
使电池供电的系统这部分的吸引力。
该Si91845 / 6还提供超低压降电压，以延长
电池寿命的便携式电子产品。需要一个安静的系统
电压源将从Si91845 / 6的低输出中获益
噪声。该Si91845 / 6可保持稳压，而
提供300 mA峰值电流，从而使其非常适用于系统
具有当打开一个高的浪涌电流。
为了更好的瞬态响应和调控，积极
下拉电路内置于Si91845 / 6夹住输出
电压，当它上升超过正常调节。该Si91845
通过将自动放电的输出电压
输出到地通过一个100 -W n沟道MOSFET时
该设备被置于关断模式。
该Si91845 / 6功能反向电池保护，以限制
反向电流流动，以大约1毫安的事件
反向电池被施加在输入端，从而防止
损坏IC 。
该Si91845 / 6可在标准和铅（Pb ） - 免费
包。
典型应用电路
Si91845/6
V
IN
1
mF
2
GND
错误
5
1
V
IN
V
OUT
6
51千瓦
V
OUT
1
mF
错误
SD
3
SD
BP
4
10 nF的
超薄SOT - 23 ， 6引脚
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
绝对最大额定值
输入电压V
IN
到GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.0
以6.5 V
错误，V
SD
（见详细说明）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
IN
输出电流，I
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
短路保护功能
输出电压V
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
IN
+ 0.3 V
封装功耗（P
d
)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 440毫瓦
封装热阻（Q
JA
)
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 180_C / W
最高结温，T
J（下最大）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
贮藏温度，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
65_C
至150℃
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.5毫瓦/ _C牛逼以上
A
= 70_C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 V至6 V
输入电压V
SD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
IN
C
IN
= C
OUT
= 1
mF
（陶瓷）
的C最大ESR
OUT
: 0.4
W
工作环境温度，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40_C
至85℃
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
输入电压范围
输出电压精度
线路调整率（V
OUT
v
3 V)
线路调整
（ 3.0 V < V
OUT
v3.6
V)
线路调整（ 5 V版）
DV
OUT
DV
IN
100
从V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
V
OUT （ NOM ）
从V
IN
= 5.5 V至6 V
I
OUT
= 1毫安
d,
降V LT
D
吨电压
摹
(V
OUT （ NOM ）
w
2.6 V)
范围
40
至85℃
符号
V
IN
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V，I
OUT
= 1毫安，
C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
MF，
V
SD
= 1.5 V
温度
a
满
民
b
2
1.5
2.5
0.06
0
0
典型值
c
最大
b
6
单位
V
%
1毫安
v
I
OUT
v
150毫安
房间
满
满
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
1
1
1.5
2.5
0.18
0.3
0.4
%/V
1
45
50
130
65
190
100
110
110
120
300
30
60
40
30
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
dB
80
90
180
220
100
120
250
300
150
180
200
230
170
200
200
230
mA
MV（ RMS）
mA
mV
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
GND
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
O（峰）
e
N
V
OUT
w
0.95 x垂直
OUT （ NOM ）
. t
PW
= 2毫秒
V
喃
= 2.6 V ，BW = 10赫兹至100千赫兹，
0毫安
t
I
OUT
t
150毫安
F = 1千赫
I
OUT
= 150毫安
F = 10千赫
F = 100千赫
V
IN
V
OUT
输入输出电压差
D，G
(V
OUT （ NOM ）
t
2.6 V, V
IN
w
2 V)
(
)
接地引脚电流
E，G
(V
OUT （ NOM ）
v
3 V)
(
)
接地引脚电流
E，G
(V
OUT （ NOM ）
u
3 V)
(
)
峰值输出电流
输出噪声电压
纹波抑制
pp
j
DV
OUT
/ DV
IN
www.vishay.com
2
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
动态线路调整
动态负载调节
热关断结
温度
热滞
反向电流
短路电流
范围
40
至85℃
符号
DV
O（ LINE ）
DV
O（ LOAD ）
T
J（下S / D ）
T
HYST
I
R
I
SC
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V，I
OUT
= 1毫安，
C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
MF，
V
SD
= 1.5 V
温度
a
房间
房间
房间
房间
民
b
典型值
c
20
25
150
20
1
700
最大
b
单位
V
IN
: V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
t
r
/t
f
= 2
女士，
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
1 mA至150毫安，T
r
/t
f
= 2
ms
mV
_C
C
mA
mA
V
IN
=
6.0
V
V
OUT
= 0 V
房间
房间
关闭
关断电源电流
SD引脚输入电压
自动放电电阻
SD引脚输入电流
f
SD迟滞
V
OUT
开启时间
I
CC （OFF）的
V
SD
R_DIS
I
中（SD）的
V
HYST （ SD ）
t
ON
V
SD
（参见图1）中，我
负载
= 100毫安
V
SD
= 0 V
高=稳压器ON （瑞星）
低=稳压器关闭（下降沿）
Si91845只有
V
SD
= 1.5 V, V
IN
= 6 V
房间
满
满
房间
房间
满
房间
100
0.7
150
50
1.5
0.1
1
V
IN
0.4
mA
V
W
mA
mV
mS
错误输出
ERROR高漏
ERROR低电压
误差电压阈值
误差电压阈值
迟滞
误差电压阈值
误差电压阈值
迟滞
I
关闭
V
OL
V
错误
V
HYST （ ERROR ）
V
错误
V
HYST （ ERROR ）
错误
v
V
IN
. V
OUT
在监管
I
SINK
- 0.5毫安
V
OUT
低于V
OUT （ NOM ）
V
OUT
落，我
OUT
= 1毫安， V
OUT （ NOM ）
u
2 V
V
OUT
u
2 V
V
OUT
低于V
OUT （ NOM ）G
V
OUT
落，我
OUT
= 1毫安， V
OUT （ NOM ）
t
2 V
V
OUT
t
2 V
g
满
满
满
房间
房间
房间
2
4
1.5
1
0.4
6
mA
V
%
10
4
笔记
一。房间= 25_C ，全部=
40
至85℃ 。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。电压差定义为输入，输出差分电压，当输出电压降到2％以下， 1 -V测得的输出电压
差，其前提是V
IN
不不低于2.0 V.
。接地电流被指定为正常运行以及“辍学”的操作。
f.
该器件的关断引脚具有典型的2兆瓦内部下拉电阻接地。
克。 V
OUT （ NOM ）
为V
OUT
当与1 V differiential到V测量
IN 。
时序波形
V
IN
V
SD
t
r
v
1
mS
0V
t
ON
V
喃
0.95 V
喃
V
OUT
图1 。
时序图进行加电
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
引脚配置
引脚说明
超薄SOT - 23 ， 6引脚
V
IN
1
6
V
OUT
PIN号
1
2
3
4
名字
V
IN
GND
SD
BP
错误
V
OUT
功能
输入电源引脚。绕过这个引脚1 μF的陶瓷电容或钽电容到地
接地引脚。为了获得更好的散热效果，直接连接到大接地平面
通过施加小于0.4 V至该引脚，该装置将被关断。将此引脚连接到
V
IN
如果未使用
噪声旁路引脚。对于低噪声应用，一个0.01
mF
陶瓷电容应
从这个引脚连接到地面。
开漏输出错误标志输出变低时， V
OUT
下降4 ％
低于其额定电压。
输出电压。连接
OUT
与此引脚与地之间。
GND
SD
2
5
4
错误
BP
3
5
6
订购信息Si91845
产品型号
Si91845DT-18-T1
Si91845DT-20-T1
Si91845DT-22-T1
Si91845DT-25-T1
Si91845DT-26-T1
Si91845DT-27-T1
Si91845DT-28-T1
Si91845DT-285-T1
Si91845DT-29-T1
Si91845DT-30-T1
Si91845DT-33-T1
Si91845DT-35-T1
Si91845DT-36-T1
Si91845DT-50-T1
注： LL =批次编号
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91845DT-18-T1—E3
Si91845DT-20-T1—E3
Si91845DT-22-T1—E3
Si91845DT-25-T1—E3
Si91845DT-26-T1—E3
Si91845DT-27-T1—E3
Si91845DT-28-T1—E3
Si91845DT-285—E3
Si91845DT-29-T1—E3
Si91845DT-30-T1—E3
Si91845DT-33-T1—E3
Si91845DT-35-T1—E3
Si91845DT-36-T1—E3
Si91845DT-50-T1—E3
记号
G0LL
H1LL
H2LL
H3LL
H4LL
H5LL
H6LL
H7LL
H8LL
H9LL
H0LL
I1LL
I2LL
I3LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄SOT23-6
订购信息Si91846
产品型号
Si91846DT-18-T1
Si91846DT-20-T1
Si91846DT-22-T1
Si91846DT-25-T1
Si91846DT-26-T1
Si91846DT-27-T1
Si91846DT-28-T1
Si91846DT-285-T1
Si91846DT-29-T1
Si91846DT-30-T1
Si91846DT-33-T1
Si91846DT-35-T1
Si91846DT-36-T1
Si91846DT-50-T1
注： LL =批次编号
www.vishay.com
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91846DT-18-T1—E3
Si91846DT-20-T1—E3
Si91846DT-22-T1—E3
Si91846DT-25-T1—E3
Si91846DT-26-T1—E3
Si91846DT-27-T1—E3
Si91846DT-28-T1—E3
Si91846DT-285-—E3
Si91846DT-29-T1—E3
Si91846DT-30-T1—E3
Si91846DT-33-T1—E3
Si91846DT-35-T1—E3
Si91846DT-36-T1—E3
Si91846DT-50-T1—E3
记号
I4LL
I5LL
I6LL
I7LL
I8LL
I9LL
I0LL
J1LL
J2LL
J3LL
J4LL
J5LL
J6LL
J7LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄SOT23-6
4
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
0.30
0.15
0.00
0.15
0.30
0.45
0.60
0.75
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
V
OUT
(%)
归一化输出电压与负载电流
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
0.4
0.2
归V
OUT
与温度的关系
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
I
OUT
= 0毫安
输出电压（％）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
40
I
OUT
= 75毫安
I
OUT
= 150毫安
15
10
35
60
85
环境温度（ ℃）
150
接地电流与负载电流
V
OUT
= 3.0 V
V
IN
= 4.0 V
300
250
200
I
GND
(
毫安）
150
100
无负载GND引脚电流与输入电压
85_C
125
25_C
I
GND
(
毫安）
100
40_C
75
50
50
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
0
2
3
4
5
6
7
输入电压（ V）
85_C
25_C
40_C
0
电源抑制
C
IN
= 1
mF
C
OUT
= 1
mF
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 3.0 V
I
SC
（MA ）
750
725
700
输出短路电流与温度的关系
V
OUT
= 2.6 V
20
增益（dB ）
40
675
650
60
625
80
10
600
40
100
1000
10000
100000
1000000
15
10
35
60
85
频率（Hz）
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
AmbientTemperature （ _C ）
www.vishay.com
5
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
150 - mA的超低噪声LDO稳压器
有了错误标志和排放方案
特点
D
超低压差- 130毫伏，在150 mA负载
D
超低噪声-30
mV
（ RMS）
（ 10赫兹至100千赫兹
带宽）
D
外的调节错误标志（电源良好）
D
关断控制
D
只有110毫安接地电流为150 mA的负载
D
快速启动（ 50
女士）
D
1.5 ％，保证输出电压精度
D
300 mA峰值输出电流能力
D
使用低ESR陶瓷电容器
D
快速电压和负载瞬态响应（V 30
女士）
D
1 mA最大关断电流
D
输出电流限制
D
Si91845 ：输出，自动放电在关断模式
D
Si91846 ：输出，不放电的关断模式
D
固定的1.8 ， 2.0 ，2.2， 2.5 ，2.6 ，2.7 ，2.8 ，2.85 ，2.9 ，3.0 ，3.3 ，
3.5 ， 3.6 ， 5.0 V输出电压选项
D
内置短路保护和热保护
D
反向电池保护
D
薄SOT23-6封装
应用
D
移动电话，无线手机
D
对噪声敏感的电子系统，笔记本电脑和
掌上电脑
D
掌上电脑
D
数码相机
D
寻呼机
D
MP3播放器
D
无线调制解调器
描述
该Si91845 / 6是150毫安的CMOS LDO （低压差）稳压
调节器。它是低电压，低功耗的完美选择
应用程序。超低接地电流和超快速的开启
使电池供电的系统这部分的吸引力。
该Si91845 / 6还提供超低压降电压，以延长
电池寿命的便携式电子产品。需要一个安静的系统
电压源将从Si91845 / 6的低输出中获益
噪声。该Si91845 / 6可保持稳压，而
提供300 mA峰值电流，从而使其非常适用于系统
具有当打开一个高的浪涌电流。
为了更好的瞬态响应和调控，积极
下拉电路内置于Si91845 / 6夹住输出
电压，当它上升超过正常调节。该Si91845
通过将自动放电的输出电压
输出到地通过一个100 -W n沟道MOSFET时
该设备被置于关断模式。
该Si91845 / 6功能反向电池保护，以限制
反向电流流动，以大约1毫安的事件
反向电池被施加在输入端，从而防止
损坏IC 。
该Si91845 / 6可在标准和铅（Pb ） - 免费
包。
典型应用电路
Si91845/6
V
IN
1
mF
2
GND
错误
5
1
V
IN
V
OUT
6
51千瓦
V
OUT
1
mF
错误
SD
3
SD
BP
4
10 nF的
超薄SOT - 23 ， 6引脚
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
www.vishay.com
1
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
绝对最大额定值
输入电压V
IN
到GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.0
以6.5 V
错误，V
SD
（见详细说明）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
IN
输出电流，I
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
短路保护功能
输出电压V
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
IN
+ 0.3 V
封装功耗（P
d
)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 440毫瓦
封装热阻（Q
JA
)
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 180_C / W
最高结温，T
J（下最大）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
贮藏温度，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
65_C
至150℃
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.5毫瓦/ _C牛逼以上
A
= 70_C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 V至6 V
输入电压V
SD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
IN
C
IN
= C
OUT
= 1
mF
（陶瓷）
的C最大ESR
OUT
: 0.4
W
工作环境温度，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40_C
至85℃
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
输入电压范围
输出电压精度
线路调整率（V
OUT
v
3 V)
线路调整
（ 3.0 V < V
OUT
v3.6
V)
线路调整（ 5 V版）
DV
OUT
DV
IN
100
从V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
V
OUT （ NOM ）
从V
IN
= 5.5 V至6 V
I
OUT
= 1毫安
d,
降V LT
D
吨电压
摹
(V
OUT （ NOM ）
w
2.6 V)
范围
40
至85℃
符号
V
IN
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V，I
OUT
= 1毫安，
C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
MF，
V
SD
= 1.5 V
温度
a
满
民
b
2
1.5
2.5
0.06
0
0
典型值
c
最大
b
6
单位
V
%
1毫安
v
I
OUT
v
150毫安
房间
满
满
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
1
1
1.5
2.5
0.18
0.3
0.4
%/V
1
45
50
130
65
190
100
110
110
120
300
30
60
40
30
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
dB
80
90
180
220
100
120
250
300
150
180
200
230
170
200
200
230
mA
MV（ RMS）
mA
mV
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
GND
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
O（峰）
e
N
V
OUT
w
0.95 x垂直
OUT （ NOM ）
. t
PW
= 2毫秒
V
喃
= 2.6 V ，BW = 10赫兹至100千赫兹，
0毫安
t
I
OUT
t
150毫安
F = 1千赫
I
OUT
= 150毫安
F = 10千赫
F = 100千赫
V
IN
V
OUT
输入输出电压差
D，G
(V
OUT （ NOM ）
t
2.6 V, V
IN
w
2 V)
(
)
接地引脚电流
E，G
(V
OUT （ NOM ）
v
3 V)
(
)
接地引脚电流
E，G
(V
OUT （ NOM ）
u
3 V)
(
)
峰值输出电流
输出噪声电压
纹波抑制
pp
j
DV
OUT
/ DV
IN
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2
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
动态线路调整
动态负载调节
热关断结
温度
热滞
反向电流
短路电流
范围
40
至85℃
符号
DV
O（ LINE ）
DV
O（ LOAD ）
T
J（下S / D ）
T
HYST
I
R
I
SC
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V，I
OUT
= 1毫安，
C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
MF，
V
SD
= 1.5 V
温度
a
房间
房间
房间
房间
民
b
典型值
c
20
25
150
20
1
700
最大
b
单位
V
IN
: V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
t
r
/t
f
= 2
女士，
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
1 mA至150毫安，T
r
/t
f
= 2
ms
mV
_C
C
mA
mA
V
IN
=
6.0
V
V
OUT
= 0 V
房间
房间
关闭
关断电源电流
SD引脚输入电压
自动放电电阻
SD引脚输入电流
f
SD迟滞
V
OUT
开启时间
I
CC （OFF）的
V
SD
R_DIS
I
中（SD）的
V
HYST （ SD ）
t
ON
V
SD
（参见图1）中，我
负载
= 100毫安
V
SD
= 0 V
高=稳压器ON （瑞星）
低=稳压器关闭（下降沿）
Si91845只有
V
SD
= 1.5 V, V
IN
= 6 V
房间
满
满
房间
房间
满
房间
100
0.7
150
50
1.5
0.1
1
V
IN
0.4
mA
V
W
mA
mV
mS
错误输出
ERROR高漏
ERROR低电压
误差电压阈值
误差电压阈值
迟滞
误差电压阈值
误差电压阈值
迟滞
I
关闭
V
OL
V
错误
V
HYST （ ERROR ）
V
错误
V
HYST （ ERROR ）
错误
v
V
IN
. V
OUT
在监管
I
SINK
- 0.5毫安
V
OUT
低于V
OUT （ NOM ）
V
OUT
落，我
OUT
= 1毫安， V
OUT （ NOM ）
u
2 V
V
OUT
u
2 V
V
OUT
低于V
OUT （ NOM ）G
V
OUT
落，我
OUT
= 1毫安， V
OUT （ NOM ）
t
2 V
V
OUT
t
2 V
g
满
满
满
房间
房间
房间
2
4
1.5
1
0.4
6
mA
V
%
10
4
笔记
一。房间= 25_C ，全部=
40
至85℃ 。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。电压差定义为输入，输出差分电压，当输出电压降到2％以下， 1 -V测得的输出电压
差，其前提是V
IN
不不低于2.0 V.
。接地电流被指定为正常运行以及“辍学”的操作。
f.
该器件的关断引脚具有典型的2兆瓦内部下拉电阻接地。
克。 V
OUT （ NOM ）
为V
OUT
当与1 V differiential到V测量
IN 。
时序波形
V
IN
V
SD
t
r
v
1
mS
0V
t
ON
V
喃
0.95 V
喃
V
OUT
图1 。
时序图进行加电
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
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Si91845/6
Vishay Siliconix公司
引脚配置
引脚说明
超薄SOT - 23 ， 6引脚
V
IN
1
6
V
OUT
PIN号
1
2
3
4
名字
V
IN
GND
SD
BP
错误
V
OUT
功能
输入电源引脚。绕过这个引脚1 μF的陶瓷电容或钽电容到地
接地引脚。为了获得更好的散热效果，直接连接到大接地平面
通过施加小于0.4 V至该引脚，该装置将被关断。将此引脚连接到
V
IN
如果未使用
噪声旁路引脚。对于低噪声应用，一个0.01
mF
陶瓷电容应
从这个引脚连接到地面。
开漏输出错误标志输出变低时， V
OUT
下降4 ％
低于其额定电压。
输出电压。连接
OUT
与此引脚与地之间。
GND
SD
2
5
4
错误
BP
3
5
6
订购信息Si91845
产品型号
Si91845DT-18-T1
Si91845DT-20-T1
Si91845DT-22-T1
Si91845DT-25-T1
Si91845DT-26-T1
Si91845DT-27-T1
Si91845DT-28-T1
Si91845DT-285-T1
Si91845DT-29-T1
Si91845DT-30-T1
Si91845DT-33-T1
Si91845DT-35-T1
Si91845DT-36-T1
Si91845DT-50-T1
注： LL =批次编号
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91845DT-18-T1—E3
Si91845DT-20-T1—E3
Si91845DT-22-T1—E3
Si91845DT-25-T1—E3
Si91845DT-26-T1—E3
Si91845DT-27-T1—E3
Si91845DT-28-T1—E3
Si91845DT-285—E3
Si91845DT-29-T1—E3
Si91845DT-30-T1—E3
Si91845DT-33-T1—E3
Si91845DT-35-T1—E3
Si91845DT-36-T1—E3
Si91845DT-50-T1—E3
记号
G0LL
H1LL
H2LL
H3LL
H4LL
H5LL
H6LL
H7LL
H8LL
H9LL
H0LL
I1LL
I2LL
I3LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄SOT23-6
订购信息Si91846
产品型号
Si91846DT-18-T1
Si91846DT-20-T1
Si91846DT-22-T1
Si91846DT-25-T1
Si91846DT-26-T1
Si91846DT-27-T1
Si91846DT-28-T1
Si91846DT-285-T1
Si91846DT-29-T1
Si91846DT-30-T1
Si91846DT-33-T1
Si91846DT-35-T1
Si91846DT-36-T1
Si91846DT-50-T1
注： LL =批次编号
www.vishay.com
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91846DT-18-T1—E3
Si91846DT-20-T1—E3
Si91846DT-22-T1—E3
Si91846DT-25-T1—E3
Si91846DT-26-T1—E3
Si91846DT-27-T1—E3
Si91846DT-28-T1—E3
Si91846DT-285-—E3
Si91846DT-29-T1—E3
Si91846DT-30-T1—E3
Si91846DT-33-T1—E3
Si91846DT-35-T1—E3
Si91846DT-36-T1—E3
Si91846DT-50-T1—E3
记号
I4LL
I5LL
I6LL
I7LL
I8LL
I9LL
I0LL
J1LL
J2LL
J3LL
J4LL
J5LL
J6LL
J7LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄SOT23-6
4
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
0.30
0.15
0.00
0.15
0.30
0.45
0.60
0.75
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
V
OUT
(%)
归一化输出电压与负载电流
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
0.4
0.2
归V
OUT
与温度的关系
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
I
OUT
= 0毫安
输出电压（％）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
40
I
OUT
= 75毫安
I
OUT
= 150毫安
15
10
35
60
85
环境温度（ ℃）
150
接地电流与负载电流
V
OUT
= 3.0 V
V
IN
= 4.0 V
300
250
200
I
GND
(
毫安）
150
100
无负载GND引脚电流与输入电压
85_C
125
25_C
I
GND
(
毫安）
100
40_C
75
50
50
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
0
2
3
4
5
6
7
输入电压（ V）
85_C
25_C
40_C
0
电源抑制
C
IN
= 1
mF
C
OUT
= 1
mF
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 3.0 V
I
SC
（MA ）
750
725
700
输出短路电流与温度的关系
V
OUT
= 2.6 V
20
增益（dB ）
40
675
650
60
625
80
10
600
40
100
1000
10000
100000
1000000
15
10
35
60
85
频率（Hz）
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
AmbientTemperature （ _C ）
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5
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
150 - mA的超低噪声LDO稳压器
有了错误标志和排放方案
特点
D
超低压差- 130毫伏，在150 mA负载
D
超低噪声-30
mV
（ RMS）
（ 10赫兹至100千赫兹
带宽）
D
外的调节错误标志（电源良好）
D
关断控制
D
只有110毫安接地电流为150 mA的负载
D
快速启动（ 50
女士）
D
1.5 ％，保证输出电压精度
D
300 mA峰值输出电流能力
D
使用低ESR陶瓷电容器
D
快速电压和负载瞬态响应（V 30
女士）
D
1 mA最大关断电流
D
输出电流限制
D
Si91845 ：输出，自动放电在关断模式
D
Si91846 ：输出，不放电的关断模式
D
固定的1.8 ， 2.0 ，2.2， 2.5 ，2.6 ，2.7 ，2.8 ，2.85 ，2.9 ，3.0 ，3.3 ，
3.5 ， 3.6 ， 5.0 V输出电压选项
D
内置短路保护和热保护
D
反向电池保护
D
薄SOT23-6封装
应用
D
移动电话，无线手机
D
对噪声敏感的电子系统，笔记本电脑和
掌上电脑
D
掌上电脑
D
数码相机
D
寻呼机
D
MP3播放器
D
无线调制解调器
描述
该Si91845 / 6是150毫安的CMOS LDO （低压差）稳压
调节器。它是低电压，低功耗的完美选择
应用程序。超低接地电流和超快速的开启
使电池供电的系统这部分的吸引力。
该Si91845 / 6还提供超低压降电压，以延长
电池寿命的便携式电子产品。需要一个安静的系统
电压源将从Si91845 / 6的低输出中获益
噪声。该Si91845 / 6可保持稳压，而
提供300 mA峰值电流，从而使其非常适用于系统
具有当打开一个高的浪涌电流。
为了更好的瞬态响应和调控，积极
下拉电路内置于Si91845 / 6夹住输出
电压，当它上升超过正常调节。该Si91845
通过将自动放电的输出电压
输出到地通过一个100 -W n沟道MOSFET时
该设备被置于关断模式。
该Si91845 / 6功能反向电池保护，以限制
反向电流流动，以大约1毫安的事件
反向电池被施加在输入端，从而防止
损坏IC 。
该Si91845 / 6可在标准和铅（Pb ） - 免费
包。
典型应用电路
Si91845/6
V
IN
1
mF
2
GND
错误
5
1
V
IN
V
OUT
6
51千瓦
V
OUT
1
mF
错误
SD
3
SD
BP
4
10 nF的
超薄SOT - 23 ， 6引脚
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
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1
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
绝对最大额定值
绝对最大额定值
输入电压V
IN
到GND
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
6.0
以6.5 V
错误，V
SD
（见详细说明）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.3
V到V
IN
输出电流，I
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
短路保护功能
输出电压V
OUT 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
0.3
V到V
IN
+ 0.3 V
封装功耗（P
d
)
b
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 440毫瓦
封装热阻（Q
JA
)
a
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 180_C / W
最高结温，T
J（下最大）
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150_C
贮藏温度，T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
65_C
至150℃
笔记
一。设备安装与焊接或焊接到印刷电路板的所有线索。
B 。减免5.5毫瓦/ _C牛逼以上
A
= 70_C
超出“绝对最大额定值”，强调可能会造成永久性损坏设备。这些仅仅是极限参数，功能和操作
该设备在这些或超出了规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
推荐工作范围
输入电压V
IN
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2 V至6 V
输入电压V
SD
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 V至V
IN
C
IN
= C
OUT
= 1
mF
（陶瓷）
的C最大ESR
OUT
: 0.4
W
工作环境温度，T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
40_C
至85℃
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
输入电压范围
输出电压精度
线路调整率（V
OUT
v
3 V)
线路调整
（ 3.0 V < V
OUT
v3.6
V)
线路调整（ 5 V版）
DV
OUT
DV
IN
100
从V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
V
OUT （ NOM ）
从V
IN
= 5.5 V至6 V
I
OUT
= 1毫安
d,
降V LT
D
吨电压
摹
(V
OUT （ NOM ）
w
2.6 V)
范围
40
至85℃
符号
V
IN
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V，I
OUT
= 1毫安，
C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
MF，
V
SD
= 1.5 V
温度
a
满
民
b
2
1.5
2.5
0.06
0
0
典型值
c
最大
b
6
单位
V
%
1毫安
v
I
OUT
v
150毫安
房间
满
满
满
满
房间
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
房间
满
满
房间
房间
房间
房间
1
1
1.5
2.5
0.18
0.3
0.4
%/V
1
45
50
130
65
190
100
110
110
120
300
30
60
40
30
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
dB
80
90
180
220
100
120
250
300
150
180
200
230
170
200
200
230
mA
MV（ RMS）
mA
mV
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
GND
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 150毫安
I
O（峰）
e
N
V
OUT
w
0.95 x垂直
OUT （ NOM ）
. t
PW
= 2毫秒
V
喃
= 2.6 V ，BW = 10赫兹至100千赫兹，
0毫安
t
I
OUT
t
150毫安
F = 1千赫
I
OUT
= 150毫安
F = 10千赫
F = 100千赫
V
IN
V
OUT
输入输出电压差
D，G
(V
OUT （ NOM ）
t
2.6 V, V
IN
w
2 V)
(
)
接地引脚电流
E，G
(V
OUT （ NOM ）
v
3 V)
(
)
接地引脚电流
E，G
(V
OUT （ NOM ）
u
3 V)
(
)
峰值输出电流
输出噪声电压
纹波抑制
pp
j
DV
OUT
/ DV
IN
www.vishay.com
2
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
特定网络阳离子
测试条件除非指定
参数
动态线路调整
动态负载调节
热关断结
温度
热滞
反向电流
短路电流
范围
40
至85℃
符号
DV
O（ LINE ）
DV
O（ LOAD ）
T
J（下S / D ）
T
HYST
I
R
I
SC
T
A
= 25 ° C，V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V，I
OUT
= 1毫安，
C
IN
= 1
MF，
C
OUT
= 1.0
MF，
V
SD
= 1.5 V
温度
a
房间
房间
房间
房间
民
b
典型值
c
20
25
150
20
1
700
最大
b
单位
V
IN
: V
OUT （ NOM ）
+ 1 V到V
OUT （ NOM ）
+ 2 V
t
r
/t
f
= 2
女士，
I
OUT
= 150毫安
I
OUT
1 mA至150毫安，T
r
/t
f
= 2
ms
mV
_C
C
mA
mA
V
IN
=
6.0
V
V
OUT
= 0 V
房间
房间
关闭
关断电源电流
SD引脚输入电压
自动放电电阻
SD引脚输入电流
f
SD迟滞
V
OUT
开启时间
I
CC （OFF）的
V
SD
R_DIS
I
中（SD）的
V
HYST （ SD ）
t
ON
V
SD
（参见图1）中，我
负载
= 100毫安
V
SD
= 0 V
高=稳压器ON （瑞星）
低=稳压器关闭（下降沿）
Si91845只有
V
SD
= 1.5 V, V
IN
= 6 V
房间
满
满
房间
房间
满
房间
100
0.7
150
50
1.5
0.1
1
V
IN
0.4
mA
V
W
mA
mV
mS
错误输出
ERROR高漏
ERROR低电压
误差电压阈值
误差电压阈值
迟滞
误差电压阈值
误差电压阈值
迟滞
I
关闭
V
OL
V
错误
V
HYST （ ERROR ）
V
错误
V
HYST （ ERROR ）
错误
v
V
IN
. V
OUT
在监管
I
SINK
- 0.5毫安
V
OUT
低于V
OUT （ NOM ）
V
OUT
落，我
OUT
= 1毫安， V
OUT （ NOM ）
u
2 V
V
OUT
u
2 V
V
OUT
低于V
OUT （ NOM ）G
V
OUT
落，我
OUT
= 1毫安， V
OUT （ NOM ）
t
2 V
V
OUT
t
2 V
g
满
满
满
房间
房间
房间
2
4
1.5
1
0.4
6
mA
V
%
10
4
笔记
一。房间= 25_C ，全部=
40
至85℃ 。
B 。代数公约由此最负的值是最小值和最积极的最大值。
。典型值是用于辅助设计参考，不保证也不提供生产测试。
。电压差定义为输入，输出差分电压，当输出电压降到2％以下， 1 -V测得的输出电压
差，其前提是V
IN
不不低于2.0 V.
。接地电流被指定为正常运行以及“辍学”的操作。
f.
该器件的关断引脚具有典型的2兆瓦内部下拉电阻接地。
克。 V
OUT （ NOM ）
为V
OUT
当与1 V differiential到V测量
IN 。
时序波形
V
IN
V
SD
t
r
v
1
mS
0V
t
ON
V
喃
0.95 V
喃
V
OUT
图1 。
时序图进行加电
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
www.vishay.com
3
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
引脚配置
引脚说明
超薄SOT - 23 ， 6引脚
V
IN
1
6
V
OUT
PIN号
1
2
3
4
名字
V
IN
GND
SD
BP
错误
V
OUT
功能
输入电源引脚。绕过这个引脚1 μF的陶瓷电容或钽电容到地
接地引脚。为了获得更好的散热效果，直接连接到大接地平面
通过施加小于0.4 V至该引脚，该装置将被关断。将此引脚连接到
V
IN
如果未使用
噪声旁路引脚。对于低噪声应用，一个0.01
mF
陶瓷电容应
从这个引脚连接到地面。
开漏输出错误标志输出变低时， V
OUT
下降4 ％
低于其额定电压。
输出电压。连接
OUT
与此引脚与地之间。
GND
SD
2
5
4
错误
BP
3
5
6
订购信息Si91845
产品型号
Si91845DT-18-T1
Si91845DT-20-T1
Si91845DT-22-T1
Si91845DT-25-T1
Si91845DT-26-T1
Si91845DT-27-T1
Si91845DT-28-T1
Si91845DT-285-T1
Si91845DT-29-T1
Si91845DT-30-T1
Si91845DT-33-T1
Si91845DT-35-T1
Si91845DT-36-T1
Si91845DT-50-T1
注： LL =批次编号
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91845DT-18-T1—E3
Si91845DT-20-T1—E3
Si91845DT-22-T1—E3
Si91845DT-25-T1—E3
Si91845DT-26-T1—E3
Si91845DT-27-T1—E3
Si91845DT-28-T1—E3
Si91845DT-285—E3
Si91845DT-29-T1—E3
Si91845DT-30-T1—E3
Si91845DT-33-T1—E3
Si91845DT-35-T1—E3
Si91845DT-36-T1—E3
Si91845DT-50-T1—E3
记号
G0LL
H1LL
H2LL
H3LL
H4LL
H5LL
H6LL
H7LL
H8LL
H9LL
H0LL
I1LL
I2LL
I3LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄SOT23-6
订购信息Si91846
产品型号
Si91846DT-18-T1
Si91846DT-20-T1
Si91846DT-22-T1
Si91846DT-25-T1
Si91846DT-26-T1
Si91846DT-27-T1
Si91846DT-28-T1
Si91846DT-285-T1
Si91846DT-29-T1
Si91846DT-30-T1
Si91846DT-33-T1
Si91846DT-35-T1
Si91846DT-36-T1
Si91846DT-50-T1
注： LL =批次编号
www.vishay.com
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
铅（Pb ） - 免费
产品型号
Si91846DT-18-T1—E3
Si91846DT-20-T1—E3
Si91846DT-22-T1—E3
Si91846DT-25-T1—E3
Si91846DT-26-T1—E3
Si91846DT-27-T1—E3
Si91846DT-28-T1—E3
Si91846DT-285-—E3
Si91846DT-29-T1—E3
Si91846DT-30-T1—E3
Si91846DT-33-T1—E3
Si91846DT-35-T1—E3
Si91846DT-36-T1—E3
Si91846DT-50-T1—E3
记号
I4LL
I5LL
I6LL
I7LL
I8LL
I9LL
I0LL
J1LL
J2LL
J3LL
J4LL
J5LL
J6LL
J7LL
电压
1.8
2.0
2.2
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.3
3.5
3.6
5.0
温度
范围
包
40
至85℃
薄SOT23-6
4
Si91845/6
Vishay Siliconix公司
典型特征（内部调节， 25_C除非另有说明）
0.30
0.15
0.00
0.15
0.30
0.45
0.60
0.75
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
V
OUT
(%)
归一化输出电压与负载电流
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
0.4
0.2
归V
OUT
与温度的关系
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1 V
I
OUT
= 0毫安
输出电压（％）
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
40
I
OUT
= 75毫安
I
OUT
= 150毫安
15
10
35
60
85
环境温度（ ℃）
150
接地电流与负载电流
V
OUT
= 3.0 V
V
IN
= 4.0 V
300
250
200
I
GND
(
毫安）
150
100
无负载GND引脚电流与输入电压
85_C
125
25_C
I
GND
(
毫安）
100
40_C
75
50
50
0
25
50
75
100
125
150
负载电流（mA ）
0
2
3
4
5
6
7
输入电压（ V）
85_C
25_C
40_C
0
电源抑制
C
IN
= 1
mF
C
OUT
= 1
mF
I
负载
= 150毫安
V
OUT
= 3.0 V
I
SC
（MA ）
750
725
700
输出短路电流与温度的关系
V
OUT
= 2.6 V
20
增益（dB ）
40
675
650
60
625
80
10
600
40
100
1000
10000
100000
1000000
15
10
35
60
85
频率（Hz）
文档编号： 71733
S- 40591 -REV 。 B， 29 -MAR -04
AmbientTemperature （ _C ）
www.vishay.com
5
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