STD15N06
N - 沟道增强型
功率MOS晶体管
TYPE
STD15N06
s
s
s
s
s
s
s
s
V
DSS
60 V
R
DS （ ON）
＆ LT ; 0.1
I
D
15 A
s
s
典型
DS （ ON）
= 0.075
雪崩坚固的技术
100％的雪崩测试
重复性雪崩数据的AT 100
o
C
低栅电荷
高电流能力
175
o
C的工作温度
面向应用
表征
通孔IPAK （ TO- 251 ）电源
包装管内（后缀“ -1” ）
表面安装DPAK （ TO- 252 ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
3
1
IPAK
TO-251
（后缀“-1” ）
2
1
DPAK
TO-252
3
（后缀“ T4 ” ）
应用
s
大电流，高开关速度
s
电磁阀和继电器驱动器
s
稳压器
s
DC-DC & DC- AC转换器
s
电机控制，音频放大器
s
汽车环境（注射，
ABS ，气囊， LAMPDRIVERS ，等等）
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
S
V
DG
V
GS
I
D
I
D
I
D M
()
P
合计
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏极 - 栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅源电压
漏电流（连续）在T
c
= 25
o
C
漏电流（连续）在T
c
= 100
o
C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
c
= 25
o
C
降额因子
储存温度
马克斯。工作结温
价值
60
60
±
20
15
10
60
50
0.33
-65 175
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W/
o
C
o
o
C
C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
1995年2月
1/10
STD15N06
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
（ di / dt的）
on
参数
开启时间
上升时间
导通电流斜率
测试条件
V
DD
= 30 V I
D
= 7.5 A
V
GS
= 10 V
R
G
= 47
（见测试电路图）
V
DD
= 40 V I
D
= 15 A
R
G
= 47
V
GS
= 10 V
（见测试电路图）
V
DD
= 48 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
40
170
170
马克斯。
60
250
单位
ns
ns
A / μs的
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
23
10
8
34
nC
nC
nC
关闭
符号
t
R（ VOF F）
t
f
t
c
参数
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 48 V I
D
= 15 A
R
GS
= 47
V
GS
= 10 V
（见测试电路图）
分钟。
典型值。
50
70
130
马克斯。
70
100
170
单位
ns
ns
ns
源漏二极管
符号
I
S.D。
I
SDM
()
V
S.D。
()
t
rr
Q
rr
I
RRM
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流
（脉冲的）
正向电压上
反向恢复
时间
反向恢复
收费
反向恢复
当前
I
SD
= 15 A
V
的s
= 0
60
0.16
5
I
SD
= 15 A的di / dt = 100 A / μs的
V
DD
= 25 V T，
j
= 150
o
C
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
15
60
1.5
单位
A
A
V
ns
C
A
（ * ）脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
安全工作区
热阻抗
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