SC420A
高速，组合式感
TM
，同步
对于移动应用的功率MOSFET驱动器
电源管理
描述
该SC420A是一种符合成本效益的双MOSFET驱动器，在 -
法人化升特公司专利的组合式感
TM
技
术，专为开关高低压侧功率
在降压MOSFET的开关稳压器。 30ns的最大值
电源管理
传播延迟从输入过渡到栅极
功率FET的保障工作在高开关
频率。内部的重叠保护电路可防止
直通从VIN至GND在主要和同步的
理性的MOSFET。
降低开关损耗在高频无
造成对驾驶员的热应力。
特点
u
高效率
u
关断模式，以节省电力增加
u
快速的上升和下降时间（ 10ns的典型与3000pF的
u
u
u
负载）
5V栅极驱动
超低（ <30ns ）传播延迟（ BG变低）
自适应和可编程的非重叠栅极
驱动器提供直通保护
浮顶驱切换至27V
高工作频率允许使用小
电感器和低成本的陶瓷电容器
欠压锁定
低静态电流
MLP封装提供卓越的热perfor-
曼斯在占用空间小
u
高电流驱动能力允许快速切换，从而
u
u
u
的高电压CMOS工艺允许操作达
u
27伏特，使得SC420A适于适配器pow-
ERED应用。欠电压锁定和过温
perature关机功能包括用于正确，
安全操作。该SC420A提供节省空间
MLP -12封装。
应用
u
高效率的便携式计算机和笔记本电脑
u
电池供电应用
概念应用电路
VIN2
VIN
D1
M1
VIN
PWM
FB
CO
VIN2
VIN
TG
BST
组合式感
TM
控制器IC
GND
CS- CS +
SC420A
EN
DRN
BG
CDELAY
VPN
CBST
L1
VOUT
EN
M2
RVPN
CVPN
CDELAY
CL
图1
修订： 2004年4月1日
1
美国专利号6441597
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SC420A
电源管理
绝对最大额定值
超过下面的规格，可能会导致该设备，或设备故障造成永久性损坏。指定的参数的操作外
在电气特性部分，是不是暗示。
参数
VIN2电源电压
BST到PGND
BST至DRN
DRN到PGND
符号
VIN2
条件
民
最大
30
40
VIN + 2
单位
V
V
V
V
t
脉冲
<100ns
STATIC
-5
-2
DRN - 0.3
- 0.3
34
30
BST + 0.3
VIN + 0.3
30
7
TG
BG
VPN与PGND
VIN至PGND
EN ，CO ， CDELAY
连续功率耗散
P
D
TAMB = 25
o
C，T
J
= 125
o
C
TCASE = 25
o
C，T
J
= 125
o
C
热阻结到外壳
热阻结到
环境
(1)
工作结温
范围
Storange温度范围
峰值IR回流焊接（ 10 - 40秒）
θ
JC
θ
JA
T
J
T
英镑
T
IRreflow
VPN
VIN
V
V
V
V
V
W
- 0.3
VIN + 0.3
0.66
2.56
3
48
o
C / W
C / W
o
o
- 40
- 65
125
150
260
C
C
C
o
o
注意：
（ 1 ）当根据生产准则使用性能，是指应用信息部分获取更多信息
电气特性
除另有规定： -40
o
<牛逼
J
< 125°C ; V
IN
= 5V ; 0V < V
DRN
＆ LT ; 25V
参数
电源
电源电压
符号
条件
民
典型值
最大
单位
VIN
VIN2
4.75
5
6
27
V
V
mA
静态电流，工作
（静态）
静态电流，关断
2004年升特公司
IQ
op
IQ
sd
CO = 0V ， EN >
2.2V
CO = 0V ， EN = 0V
2
2.3
0.2
20
A
美国专利号6441597
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SC420A
电源管理
引脚配置
顶视图
订购信息
设备
(1)
SC420AIMLTRT
(3)
包
MLP-12
温度范围（T
J
)
-40 °至125°C
保护地
10
12
北卡罗来纳州
DRN
11
注意：
（ 1 ）只有在磁带和卷轴封装可供选择。一个趔趄
包含3000设备。
9
8
7
TG
BST
CO
1
2
3
BG
VIN
CDELAY
(
2 ）此设备ESD敏感。采用标准的ESD
操作注意事项是必需的。
（ 3 ）无铅封装符合J- STD- 020B 。
合格的，支持最大IR回流焊温度
260
o
下进行30秒。
4
5
6
VIN2
引脚说明
针
#
1
2
3
4
5
6
针
名字
TG
BST
CO
VIN2
EN
VPN
(MLP-12)
输出栅极驱动器的开关（高侧）的MOSFET 。
引导针。电容器连接BST和DRN引脚之间发展的浮动自举
电压的高侧MOSFET 。电容值通常是0.1pF和1pF （陶瓷）之间。
逻辑电平的PWM输入信号，由外部控制器提供的SC420 。
输入功率（ VBAT）在DC / DC转换器。作为国内组合式检测电源参考
TM
电路。连接尽可能靠近地漏的TOP开关MOSFET 。
活跃的高逻辑电平输入信号。逻辑高电平使TG和BG切换。低级别会禁用
输出并降低智商静态电流
SD
虚拟相节点。连接一个RC这个引脚和输出检测点启用Combi-之间
SENSE
TM
操作。
7
连接在此引脚与GND之间的电容设置额外的传输延迟BG
CDELAY会低到TG变高。总传播延迟为20ns = + 1ns的/ PF 。如果没有电容器连接，所述
propragation延迟= 20ns的。
VIN
BG
保护地
北卡罗来纳州
DRN
输入电源的底部驱动器和逻辑。一
1F-10F
陶瓷电容必须连接
此引脚与PGND ，放置小于0.5"从SC420 。
输出驱动器的同步（底部）的MOSFET 。
地面上。保持此引脚接近同步MOSFET源。
无连接
此脚连接至开关和同步MOSFET的连接点。该引脚可承受
为-2V最小相对PGND不影响操作。
VPN
EN
引脚功能
8
9
10
11
12
2004年升特公司
5
美国专利号6441597
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