STD100NH03L
N沟道30V - 0.005Ω - 60A - DPAK
的STripFET III功率MOSFET
一般特点
TYPE
STD100NH03L
1.
■
■
■
■
V
DSSS
30V
R
DS （ ON）
<0.0055
I
D
60A
(1)
3
1
限于通过引线接合值
R
DS （ ON）
*的Qg行业的标杆
传导损耗而有所降低
开关损耗而有所降低
低阈值设备
DPAK
描述
该设备采用最新的先进设计
意法半导体独有的STripFET 技术规则。
这是适合FOT最苛刻的DC- DC
转换器应用中的高效率，是
来实现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STD100NH03LT4
记号
D100NH03L
包
DPAK
包装
磁带&卷轴
2006年8月
转4
1/15
www.st.com
15
目录
STD100NH03L
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
电气特性
STD100NH03L
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 25毫安，V
GS
= 0
V
DS
= 20
V
DS
= 20, T
C
= 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 30A
V
GS
= 5V ，我
D
= 30A
1
1.8
分钟。
30
1
10
±100
2.5
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
nA
V
0.005 0.0055
0.0060 0.0105
表4 。
符号
g
飞秒（1）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
G
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 10 V
,
I
D
= 30A
V
DS
= 15V ， F = 1MHz时，
V
GS
= 0
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 10V ，我
D
= 60A
V
GS
= 10V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
< 0V ，V
GS
= 10V
分钟。
典型值。
40
4100
680
70
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
1.3
57
11.8
7.3
27
55
nC
nC
nC
nC
nC
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
oss(2)
Q
gls(3)
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
第三象限的栅极电荷
77
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. Q
OSS =
C
OSS
* V
中，
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
SEE
第三章附录A
3.栅极电荷为同步操作
4/15
STD100NH03L
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15V ，我
D
= 30A,
R
G
= 4.7, V
GS
= 10V
图13第8页
分钟。
典型值。
16
95
48
23
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
47
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
V
SD(1)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 30A ，V
GS
= 0
I
SD
= 60A,
的di / dt = 100A / μs的，
V
DD
= 15V ，T
J
= 150°C
图15第8页
46
64
2.8
测试条件
民
典型值。
最大
60
240
1.4
单位
A
A
V
ns
C
A
1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/15
STD100NH03L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS （ 6 ）
Q
GLS （ 7 ）
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷源
栅极电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
第三象限的栅极电荷
测试条件
I
D
= 30 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 15 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
16
95
57
11.8
7.3
27
55
77
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 16 V
V
DS
＆ LT ; 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 30 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
48
23
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
V
SD （5）
t
rr
Q
rr
I
RRM
.
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
.
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
46
64
2.8
1.4
62
86
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 60 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(
2
）限定通过引线接合价值
(3)
脉冲宽度有限的安全工作区。
(
4
）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 30A ，V
DD
= 15V
(5)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(6)
Q
OSS =
C
OSS
* V
中，
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
见附录A
(7)
栅极电荷为同步操作
安全工作区
热阻抗
3/11
STD100NH03L
电气特性
（续）
接通
符号
t
D（上）
t
r
Q
g
Q
gs
Q
gd
Q
OSS （ 6 ）
Q
GLS （ 7 ）
参数
导通延迟时间
上升时间
总栅极电荷源
栅极电荷
栅极 - 漏极电荷
输出充电
第三象限的栅极电荷
测试条件
I
D
= 30 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
V
DD
= 15 V I
D
= 60 A V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
16
95
57
11.8
7.3
27
55
77
马克斯。
单位
ns
ns
nC
nC
nC
nC
nC
V
DS
= 16 V
V
DS
＆ LT ; 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V
关闭
符号
t
D（关闭）
t
f
参数
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
I
D
= 30 A
V
DD
= 15 V
R
G
= 4.7,
V
GS
= 10 V
（阻性负载，图3 ）
分钟。
典型值。
48
23
马克斯。
单位
ns
ns
源漏二极管
符号
I
SD
I
SDM
V
SD （5）
t
rr
Q
rr
I
RRM
.
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
.
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
60
240
单位
A
A
V
ns
nC
A
I
SD
= 30 A
V
GS
= 0
46
64
2.8
1.4
62
86
的di / dt = 100A / μs的
I
SD
= 60 A
V
DD
= 30 V
T
j
= 150°C
（见测试电路，图5 ）
(
2
）限定通过引线接合价值
(3)
脉冲宽度有限的安全工作区。
(
4
）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 30A ，V
DD
= 15V
(5)
脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
(6)
Q
OSS =
C
OSS
* V
中，
C
OSS =
C
GD +
C
DS 。
见附录A
(7)
栅极电荷为同步操作
安全工作区
热阻抗
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