STB13NM50N / -1 - STF13NM50N
STP13NM50N - STW13NM50N
N沟道500 V - 0.250
- 12一的MDmesh II 功率MOSFET
的TO-220 - TO-247 - TO- 220FP - 我
2
PAK - D
2
PAK
特点
TYPE
STB13NM50N
STB13NM50N-1
STF13NM50N
STP13NM50N
STW13NM50N
V
DSS
（ @Tjmax ）
550 V
550 V
550 V
550 V
550 V
R
DS （ ON）
最大
0.32
0.32
0.32
0.32
0.32
I
D
3
12 A
12 A
12 A
(1)
12 A
12 A
TO-220
1
2
3
12
IPAK
3
2
1
TO-247
3
1
2
3
1
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220FP
DPAK
图1 。
内部原理图
应用
■
切换应用程序
描述
本产品是实现了与所述第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
需要高效率的转换器。
表1中。
设备简介
记号
B13NM50N
B13NM50N
F13NM50N
P13NM50N
W13NM50N
包
DPAK
IPAK
TO-220FP
TO-220
TO-247
包装
磁带和卷轴
管
管
管
管
订购代码
STB13NM50N
STB13NM50N-1
STF13NM50N
STP13NM50N
STW13NM50N
2008年3月
REV 3
1/18
www.st.com
18
目录
STB13NM50N / -1 - STF13NM50N - STP13NM50N - STW13NM50N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/18
STB13NM50N / -1 - STF13NM50N - STP13NM50N - STW13NM50N
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220/TO-247
DPAK / IPAK
500
± 25
12
6
48
100
15
12
(1)
6
(1)
48
(1)
25
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
英镑
T
j
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25 °C
漏电流（连续）在T
C
= 100 °C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25 °C
峰值二极管恢复电压斜率
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
（T = 1秒;吨
C
=25 °C)
储存温度
马克斯。工作结温
--
-55到150
150
2500
V
°C
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
≤
12 A， di / dt的
≤
400 A / μs的，V
DD
= 80% V
（ BR ） DSS
表3中。
符号
热数据
价值
参数
的TO-220 IPAK DPAK TO-247 TO- 220FP
热电阻junction-
最大的情况下
热电阻junction-
AMB最大
热电阻junction-
PCB最大
铅的最大温度
焊接用途
--
62.5
--
单位
R
THJ情况
R
THJ - AMB
R
THJ -PCB
T
l
1.25
--
30
300
50
--
5
62.5
--
° C / W
° C / W
° C / W
°C
表4 。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
= 50 V)
最大值
3.5
200
单位
A
mJ
3/18
电气特性
STB13NM50N / -1 - STF13NM50N - STP13NM50N - STW13NM50N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有说明）
表5 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0
V
DD
= 400 V，I
D
=12 A,
V
GS
=10 V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20 V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 6 A
2
3
0.25
分钟。
500
30
1
100
100
4
0.32
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.
特征值在关闭感性负载
表6 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15 V，I
D
= 6 A
分钟。
典型值。
8
960
50
5
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 50 V ， F = 1兆赫，V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0 480 V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20 mV的
漏极开路
V
DD
= 400 V，I
D
= 12 A
V
GS
=10 V
（参见图19）
Rg
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
5
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
30
5
15
nC
nC
nC
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/18
STB13NM50N / -1 - STF13NM50N - STP13NM50N - STW13NM50N
电气特性
表7中。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250 V，I
D
=6 A,
R
G
=4.7
,
V
GS
=10 V
（参见图18）
分钟。
典型值。
30
15
40
10
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表8 。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12 A，V
GS
=0
I
SD
= 12 A，V
DD
=100 V
的di / dt = 100 A / μs的
（参见图20）
I
SD
= 12 A，V
DD
=100 V
的di / dt = 100 A / μs的， TJ = 125°C
（参见图20）
300
3
22
370
4
22
测试条件
民
典型值。
最大
12
48
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/18
STB13NM50N / -1 - STF13NM50N
STP13NM50N - STW13NM50N
N沟道500V - 0.250Ω - 12A - TO- 220 / FP - TO- 247 -I
2
/D
2
PAK
第二代的MDmesh 功率MOSFET
特点
TYPE
STB13NM50N
STB13NM50N-1
STF13NM50N
STP13NM50N
STW13NM50N
V
DSS
（ @Tjmax ）
550V
550V
550V
550V
550V
R
DS （ ON）
<0.32
<0.32
<0.32
<0.32
<0.32
I
D
3
12A
12A
12A
(1)
12A
12A
TO-220
1
2
3
12
IPAK
TO-247
3
1
2
3
1
1.有限只能由最高允许温度
■
■
■
100％的雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低门输入电阻
TO-220FP
DPAK
内部原理图
描述
本产品是实现了与所述第二
新一代的MDmesh 技术。这
革命性的功率MOSFET相关联的新
垂直结构公司的条状布局
产生世界上最低的导通电阻之一，
栅极电荷。因此，适合于最
要求高效率的转换器
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STB13NM50N-1
STB13NM50N
STP13NM50N
STF13NM50N
STW13NM50N
记号
B13NM50N
B13NM50N
P13NM50N
F13NM50N
W13NM50N
包
IPAK
DPAK
TO-220
TO-220FP
TO-247
包装
管
磁带&卷轴
管
管
管
2007年5月
REV 2
1/17
www.st.com
17
目录
STB13NM50N / -1 - STF13NM50N - STP13NM50N - STW13NM50N
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................ 6
3
4
5
6
测试电路
............................................... 9
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 16
2/17
STB13NM50N / -1 - STF13NM50N - STP13NM50N - STW13NM50N
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
绝对最大额定值
价值
参数
TO-220/TO-247
DPAK / IPAK
500
± 25
12
6
48
100
15
--
2500
12
(1)
6
(1)
48
(1)
25
单位
TO-220FP
V
V
A
A
A
W
V / ns的
V
V
DS
V
GS
I
D
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
V
ISO
T
j
T
英镑
漏源电压（V
GS
=0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
峰值二极管恢复电压斜率
从绝缘耐受电压（有效值）
所有这三个导到外部的散热器
(t=1s;T
C
=25°C)
工作结温
储存温度
-55到150
°C
1.有限只能由最高允许温度
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3.
I
SD
≤
如图12A所示， di / dt的
≤
400A / μs的，V
DD
=80%
V
（ BR ） DSS
表2中。
符号
热数据
价值
参数
TO-220/TO-247
DPAK / IPAK
1.25
62.5
300
单位
TO-220FP
5
° C / W
° C / W
°C
Rthj情况
Rthj - AMB
T
l
热阻结案件最大
热阻结- AMB最大
最大无铅焊接温度的
用途
表3中。
符号
I
AS
E
AS
雪崩特性
参数
雪崩电流，重复或不可─
重复（脉冲宽度有限的TJ最大值）
单脉冲雪崩能量
（首发TJ = 25 ° C，I
D
=I
AS
, V
DD
= 50V)
最大值
3.5
200
单位
A
mJ
3/17
电气特性
STB13NM50N / -1 - STF13NM50N - STP13NM50N - STW13NM50N
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
V
（ BR ） DSS
dv / dt的
(1)
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
1.
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
漏源电压斜率
零栅压漏
电流（V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 1mA时， V
GS
= 0
Vdd=400V,Id=12A,
Vgs=10V
V
DS
=最大额定值，
V
DS
=最大额定值， TC = 125°C
V
GS
= ±20V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 6A
2
3
0.25
分钟。
500
30
1
100
100
4
0.32
典型值。
马克斯。
单位
V
V / ns的
A
A
nA
V
特征值在关闭感性负载
表5 。
符号
g
fs(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS当量（2）
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
等效输出
电容
门输入电阻
测试条件
V
DS
= 15V ，我
D
= 6A
分钟。
典型值。
8
960
50
5
110
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
V
DS
= 50V ， F = 1MHz时， V
GS
=0
V
GS
=0, V
DS
= 0V至480V
F = 1MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
V
DD
= 400V ，我
D
= 12A
V
GS
=10V
（参见图18）
Rg
Q
g
Q
gs
Q
gd
1.
5
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
30
5
15
nC
nC
nC
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
增加了从0到80 ％的V
DSS
4/17
STB13NM50N / -1 - STF13NM50N - STP13NM50N - STW13NM50N
电气特性
表6 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 250V ，我
D
=6A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图17）
分钟。
典型值。
30
15
40
10
MAX 。 UNIT
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM （1）
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 12A ，V
GS
=0
I
SD
= 12A ，V
DD
=100V
的di / dt = 100A / μs的， TJ = 25°C
（参见图19）
I
SD
=12A,V
DD
=100V
di/dt=100A/s,Tj=150°C
（参见图19）
300
3
22
370
4
22
测试条件
民
典型值。
最大
12
48
1.3
单位
A
A
V
ns
C
A
ns
C
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.
脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
5/17
QQ：2881677436 复制
