【STB85NF55LSTP85NF55LN沟道55 V ， 0.006080 A ， TO- 220】,IC型号STB85NF55LT4,STB85NF55LT4 PDF资料,STB85NF55LT4经销商,ic,电子元器件-51电子网

STB85NF55L

STP85NF55L

N沟道55 V ， 0.0060

80 A ， TO- 220 ，D

PAK

的STripFET II功率MOSFET

特点

TYPE

STB85NF55L

STP85NF55L

■

DSS

55 V

DS （ ON）

最大

< 0.008

80 A

低阈值DRIVE

TO-220

应用

■

DPAK

切换应用程序

描述

这是功率MOSFET的最新发展

STMicroelectronis独特"single功能size"

条形基础的过程。由此产生的

transistorshows非常高的封装密度

对于低导通电阻，崎岖雪崩

特点安德利斯严格的对准步骤

因此，一个显着的制造

重现。

图1 。

内部原理图

表1中。

设备简介

记号

B85NF55L

P85NF55L

包

DPAK

TO-220

包装

磁带和卷轴

管

订货编号

STB85NF55LT4

STP85NF55L

2009年8月

文档编号8544版本8

1/14

www.st.com

STB85NF55L ， STP85NF55L

电气额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

电特性（曲线）

............................ 6

测试电路

................................................ 8

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 9

包装机械数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 12

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 13

2/14

文档编号8544版本8

STB85NF55L ， STP85NF55L

电气额定值

表2中。

符号

D (1)

D(1)

DM(2)

合计

绝对最大额定值

参数

漏源电压（V

= 0)

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25 °C

漏电流（连续）在T

=100 °C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25 °C

降额因子

价值

± 15

320

300

2.0

980

-55至175

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

dv / dt的

(3)

峰值二极管恢复电压斜率

的AS （4）

英镑

单脉冲雪崩能量

工作结温

储存温度

1.电流限制通过包装

2.脉冲宽度有限的安全工作区

3. I

≤

80 A ， di / dt的

≤

300 A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

JMAX

起始物为

= 25 ° C，I

= 40 A，V

= 40 V

表3中。

符号

热数据

价值

参数

PAK

0.5

62.5

300

单位

TO-220

° C / W

°C

THJ情况

热阻结案件最大。

THJ - AMB

热阻结到环境最大。

THJ -PCB

热阻结-PCB最大。

(1)

最大无铅焊接温度的目的

1.当安装在1inch FR- 4盎司铜电路板

文档编号8544版本8

3/14

电气特性

STB85NF55L ， STP85NF55L

电气特性

例

= 25 ° C除非另有说明）

表4 。

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

开/关状态

参数

漏源击穿

电压

零栅压漏

电流（V

= 0)

门体漏电流

= 0)

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= 250

= 0

=最大额定值，

=最大额定值@ 125°C

= ±15 V

= V

, I

= 250 A

= 10 V，I

= 40 A

= 5 V，I

= 40 A

1.6

0.0060

0.008

分钟。

±100

2.5

0.008

0.01

典型值。

马克斯。

单位

表5 。

符号

飞秒（1）

国际空间站

OSS

RSS

动态

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

测试条件

= 15 V，I

= 40 A

= 25 V ， F = 1MHz时，

= 0

分钟。

典型值。

130

4050

860

300

110

马克斯。

单位

= 27.5 V，I

= 80 A

= 5 V

1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％

表6 。

符号

D（上）

D（关闭）

开关时间

参数

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 27.5 V，I

= 40 A,

=4.7

= 5 V

图14第8页

分钟。

典型值。

165

马克斯。

单位

4/14

文档编号8544版本8

STB85NF55L ， STP85NF55L

电气特性

表7中。

符号

SDM(1)

SD(2)

RRM

源漏二极管

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 80 A，V

= 0

= 80 A,

的di / dt = 100 A / μs的，

= 20 V ，T

= 150 °C

图16第8页

测试条件

民

240

典型值。

最大

320

1.5

单位

1.脉冲宽度有限的安全工作区

2.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％

文档编号8544版本8

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N沟道55V - 0.0060

- 80A

PAK/TO-220

的STripFET II功率MOSFET

TYPE

STP85NF55L

STB85NF55L

STP85NF55L

DSS

55 V

DS （ ON）

<0.008

80 A

典型

（上） = 0.0060

低阈值DRIVE

逻辑电平器件

描述

这是功率MOSFET的最新发展

STMicroelectronis独特的“单一特征尺寸 ”

条形基础的过程。由此产生的晶体管

显示了极高的堆积密度低导通

性，坚固耐用的雪崩特性和

不太重要的调整，因此步骤remark-

能够制造重复性。

应用

电磁阀和继电器驱动器

电机控制，音频放大器

DC- DC转换器

汽车环境

订购信息

销售类型

STP85NF55L

STB85NF55L

STB85NF55LT4

记号

P85NF55L

B85NF55L

PAK

TO-263

（后缀“ T4 ” ）

TO-220

加后缀“ T4 ” ，供订购在磁带& REEL

内部原理图

包

TO-220

PAK

包装

管

磁带&卷轴

绝对最大额定值

符号

DGR

()

合计

dv / dt的

(1)

(2)

英镑

参数

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20 k)

栅 - 源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

= 100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

峰值二极管恢复电压斜率

单脉冲雪崩能量

储存温度

马克斯。工作结温

价值

320

300

2.0

980

-55至175

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

()

按封装电流限制。

()

脉冲宽度有限的安全工作区。

2002年9月

1) I

≤80A,

的di / dt

≤300A/s,

≤

（ BR ） DSS

, T

≤

JMAX

（ 2 ）起始物为

= 25

C，我

= 40A ，V

= 30V

1/10

STB85NF55L STP85NF55L

热数据

Rthj情况

Rthj - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大无铅焊接温度的目的

最大

0.5

62.5

300

° C / W

°C

电气特性

例

= 25

°C

除非另有规定编）

关闭

符号

（ BR ） DSS

DSS

GSS

参数

漏源

击穿电压

零栅极电压

漏电流（V

= 0)

门体漏

电流（V

= 0)

测试条件

= 250

= 0

=最大额定值

=最大额定值牛逼

= 125°C

15 V

分钟。

±100

典型值。

马克斯。

单位

(*)

符号

GS （ TH）

DS （ ON）

参数

栅极阈值电压

静态漏源

阻力

测试条件

= V

= 10 V

= 5 V

= 250

= 40 A

分钟。

典型值。

1.6

0.0060

0.008

马克斯。

2.5

0.008

0.01

单位

动态

符号

(*)

国际空间站

OSS

RSS

参数

正向跨导

输入电容

输出电容

反向传输

电容

测试条件

15V

= 40 A

分钟。

典型值。

130

4050

860

300

马克斯。

单位

= 25V F = 1MHz的V

= 0

2/10

STB85NF55L STP85NF55L

电气特性

（续）

接通

符号

D（上）

参数

导通延迟时间

上升时间

测试条件

= 27.5 V

= 40 A

= 5 V

= 4.7

（阻性负载，图3 ）

= 27.5V我

= 80A V

=5V

（见测试电路，图4 ）

分钟。

典型值。

165

马克斯。

单位

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

110

关闭

符号

D（关闭）

参数

打开-O FF延迟时间

下降时间

测试条件

= 27.5 V

= 40 A

= 5 V

= 4.7,

（阻性负载，图3 ）

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

源漏二极管

符号

SDM

(

)

(*)

RRM

参数

源极 - 漏极电流

源极 - 漏极电流（脉冲）

正向电压上

反向恢复时间

反向恢复电荷

反向恢复电流

= 80 A

= 0

240

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

320

1.5

单位

= 80 A

的di / dt = 100A / μs的

= 150°C

= 20 V

（见测试电路，图5 ）

(*)

脉冲：脉冲宽度= 300

占空比为1.5％。

(

)

脉冲宽度有限的安全工作区。

安全工作区

热阻抗

3/10

STB85NF55L STP85NF55L

输出特性

传输特性

跨

静态漏源导通电阻

栅极电荷VS栅源电压

电容变化

4/10

STB85NF55L STP85NF55L

归栅极阈值电压与温度

归一通电阻与温度

源极 - 漏极二极管的正向特性

归一化的击穿电压与温度的关系。

5/10