サイリスタモジュール
SBA500AA
UL ： E76102 M）
（
SanRexパワーサイリスタモジュールSBA500AAシリーズは、大電力の制
御、整流の全ての用途に応用できます。
（特徴）
●
2素子入り絶縁½モジュールです。
●
定格臨界オン電流上昇率は200A
/
μsです。
●
最小臨界オフ電圧上昇率は500V
/
μsです。
●
●
表面処理にガラスパッシベーションを採
K1
138max
60±0.2
60±0.2
K1
A2
4
2
5
7
6-
φ6.5
（主な用途）
●
各種整流回路、交直流モーター制御、電気
豊富なシリーズが有り、逆並列接続、ブリ
ッジ接続等の組み合わせが容易です。
3
1
6
8
K2
G1
炉、調光装½、静止スイッチ
K1 A2
47±1
A1
28±1
60±1
K2
28±1
4 -M4 depth8㎜
4 -M8 depth15㎜
るため、同一の放熱½に複数個のモジュー
ルを取付けることができ、組立が容易です。
K1
G1
G2
K2
A1 K2
66max
●
主電極と金属ベースとの間が絶縁されてい
単½：A
■最大定格
記号
V
DRM
V
RSM
V
RRM
記号
（AV）
I
T
（ RMS）
I
T
（特にことわらない限りTJ = 25℃时）
項目
ピーク繰返し逆電圧
ピーク非繰返し逆電圧
ピーク繰返しオフ電圧
項目
平均オン電流
実効オン電流
サージオン電流
電流二乗時間積
ピークゲート損失
平均ゲート損失
ピークゲート順電流
ピークゲート順電圧
ピークゲート逆電圧
臨界オン電流上昇率
絶縁耐圧
接合部温度
保存温度
取付け （M6）
推奨値2.53.9
（推奨値 2540）
推奨値8.810
（推奨値 90105）
推奨値1.01.4
（推奨値 1014）
標準値
項目
最大オフ電流
最大逆電流
最大オン電圧
最大ゲートトリガ電流
最大ゲートトリガ電圧
最小ゲート非トリガ電圧
最小臨界オフ電圧上昇率
条件
定格ピーク繰返しオフ電圧に於て，単相半波Tj＝125℃
定格ピーク繰返し逆電圧に於て，単相半波Tj＝125℃
オン電流波高値1500A，瞬時測定
V
D
＝6V，I
T
＝1A
V
D
＝6V，I
T
＝1A
Tj＝125℃，V
D
＝
1 2
V
DRM
／
Tj＝125℃，V
D
＝
2 3
V
DRM
，指数関数波½
／
接合部ケース間
I
G
＝200mA，
D
＝
1 2
V
DRM
，
G
/dt＝0.2A/
V
／
dI
μs
交流1分间
SBA500A40
400
480
400
定格値
SBA500AA80
SBA500AA120
800
1200
960
1350
800
1200
SBA500AA160
1600
1700
1600
定格値
500
785
9.1/10.0
416
15
5
5
10
5
200
2500
40＋125
40＋125
4.7
（48）
11.0
（115）
1.5
（15）
1100
規格値
150
150
1.45
200
3
0.25
500
0.085
単½
V
V
V
単½
A
A
kA
kA
2
S
W
W
A
V
V
A/
μs
V
℃
℃
N½½
（kgf½B）
N½½
（kgf½B）
N½½
（kgf½B）
g
単½
mA
mA
V
mA
V
V
V/
μs
℃/W
条件
単相半波平均値，180°
導通角，ケース温度66℃
単相半波実効値，180°
導通角，ケース温度66℃
50Hz/60Hz商用単相半波1サイクル波高値，非繰返し
定格サージオン電流に対する値
I
TSM
I
2
t
P
GM
（AV）
P
G
I
FGM
V
FGM
V
RGM
的di / dt
V
ISO
Tj
TSTG
締付トルク
端子（M8）
制御端子（M4）
質量
■電気的特性
記号
I
DRM
I
RRM
V
TM
I
GT
V
GT
V
GD
dv / dt的
RTH J- C）最大热抵抗
（
31
8
48±1
用しているので、高信頼度が得られます。
78max
60±0.2
13.5
13.5
SBA500AA
１０
０
５
０
２
０
ゲー ト
ト リガ特性
１００
００
最大オン状態特性
Pe
a
25℃ 40℃
０５
．
０２
．
０１
．
１
０
２
０
125℃
最大栅极非触发电压
栅极峰值电流
（5A）
ゲ
１
０
ー
ト
５
電
圧
２
（V）
１
峰值正向栅Voltag
（10V）
吃
Po
Av
we
ERA
（
r
ge
15
Ga
W
te
）
Po
we
（5
r
W）
kG
オ
ン
２０
００
電
流
︵
００
波
１０
高
値
５０
０
︶
（A）
２０
０
１０
０
０５
．
１
１５
．
５０
００
Ｔ= ５
½２ ℃
最大
０
５ １０ ２０
０ ０
５０ １０ ２０
０ ００ ００
５０ １００
００ ００
２
２５
．
ゲート电流（毫安）
オン電圧（V）
１０
２０
１０
００
０
電
８０
力
損
０
失
６０
（W）
４０
０
２０
０
最大電力損失特性
〈単相半波〉
每一个元素
１０
３
１０
２
特区
平均電流対最大許容ケース温度
〈単相半波〉
每一个元素
１０
８゜
12 ゜
０
９゜
０
６゜
０
３゜
０
0
θ
360゜
θ ：导通角
π
２
π
１
最
１０
大
０
許
１０
容
９
０
ケ
ー
８
０
ス
温
７
０
度
６
０
（℃）
５
０
８０
０
４
０
０
0
π
θ
360゜
２
π
θ ：导通角
３゜
０
６ ゜ ９ ゜ １０ １０
０ ０ ２゜ ８゜
特区
０
０
１０
０
２０
０
３０
０
４０
０
５０ ６０
０
０
７０
０
１０ ２０ ３０ ４０ ５０ ６０ ７０ ８０ ９０
０
０
０
０
０
０
０
０
０
平均オン電流（A）
平均電流（A）
１００
２０
サージ電流耐量
〈非繰返し〉
每一个元素
Tj＝25℃start
０１
．
最大過渡熱インピーダンス
每一个元素
サ
００
ー
１ ０ ０
ジ
オ
００
ン
８０
電
流
６０
００
︵
波
００
高
４０
値
︶
２０
００
（A）
０
１
２
５
60Hz
50Hz
過
．
８
渡
００
熱
イ
ン
００
．
６
ピ
ー
ダ
００
．
４
ン
ス
θ
００
J-
．
２
（℃/W）
１０
０
结到外壳
１
０
２
０
５
０
０
-３
１
０
１
-２
０
１
-１
０
１
０
０
１
１
０
１
２
０
通電時間（サイクル数）
時間t（秒）
QQ：2880707522 复制
