目录
STB80PF55 ， STP80PF55
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
3
4
5
6
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
包装机械数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15
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文档编号8177第六版
STB80PF55 ， STP80PF55
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
E
AS(4)
T
j
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
55
±16
80
57
320
300
2
7
1.4
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
1.电流限制的包。
2.脉冲宽度有限的安全工作区。
3. I
SD
< 40A ， di / dt的< 300 A / μs的，V
DD
=80% V
（ BR ） DSS 。
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 80A ，V
DD
=40V.
表3中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
价值
0.5
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
注意：
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
文档编号8177第六版
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STB80PF55 ， STP80PF55
电气特性
表7中。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80 A，V
GS
= 0
I
SD
= 80 A， di / dt的= 100 A / μs的
V
DD
= 25 V ，T
j
=150 °C
试验性条件
分钟。
-
-
-
110
495
9
典型值。
马克斯。
10
40
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的TJMAX 。
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
注意：
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须被反转
文档编号8177第六版
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STB80PF55
STP80PF55
P沟道55V - 0.016Ω - 80A - TO- 220 - D
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
一般特点
TYPE
STP80PF55
STB80PF55
■
■
■
V
DSS
55V
55V
R
DS （ ON）
<0.018
<0.018
I
D
80A
80A
3
1
1
3
2
极端的dv / dt能力
100％的雪崩测试
面向应用的表征
D
2
PAK
TO-220
描述
这是功率MOSFET的laest发展
意法半导体独有的“单一特征
尺寸 “带为基础的进程。由此产生的
晶体管显示了极高的堆积密度
对于低导通电阻，崎岖雪崩
特点和不太重要的调整措施
因此，一个显着的制造
重现。
内部原理图
应用
■
开关应用
订购代码
产品型号
STP80PF55
STB80PF55
记号
P80PF55
B80PF55
包
TO-220
D
2
PAK
包装
管
磁带&卷轴
2006年9月
启5
1/13
www.st.com
13
目录
STB80PF55 - STP80PF55
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
电特性（曲线）
............................. 6
3
4
5
测试电路
................................................ 8
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
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STB80PF55 - STP80PF55
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
DS
V
GS
I
D(1)
I
D
I
DM （2）
P
合计
dv / dt的
(3)
E
AS(4)
T
j
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
栅源电压
漏电流（连续）在T
C
= 25°C
漏电流（连续）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
工作结温
储存温度
价值
55
±16
80
57
320
300
2
7
1.4
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
J
°C
1.电流限制通过包装
2.脉冲宽度有限的安全工作区
3. I
SD
< 40A ， di / dt的< 300 A / μs的，V
DD
=80% V
（ BR ） DSS
4.启动TJ = 25 ° C，I
D
= 80A ，V
DD
=40V
注意：
对于电压和电流的P沟道MOSFET的实际极性必须
反转
热数据
参数
热阻结案件最大
热阻结到环境最大
最大无铅焊接温度的目的
价值
0.5
62.5
300
单位
° C / W
° C / W
°C
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ -A
T
l
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STB80PF55 - STP80PF55
电气特性
表5 。
符号
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
R（ Voff时）
t
f
t
c
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
关闭电压上升时间
下降时间
交叉时间
测试条件
V
DD
= 25V ，我
D
=40A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图13）
V
DD
= 25V ，我
D
=40A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图13）
V
钳
= 40V ，我
D
=80A,
R
G
=4.7, V
GS
=10V
（参见图13）
分钟。
典型值。
35
190
165
80
60
40
85
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
表6 。
符号
I
SD
I
SDM
(1)
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流（脉冲）
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 80A ，V
GS
= 0
I
SD
= 80A ，的di / dt = 100A / μs的
V
DD
= 25V ，T
j
=150°C
110
495
9
试验性条件
民
典型值。
最大
10
40
1.6
单位
A
A
V
ns
C
A
V
的SD （2）
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.脉冲宽度有限的TJMAX
2.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比1.5 ％
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P沟道55V - 0.016
- 80A
2
PAK
的STripFET II功率MOSFET
初步数据
TYPE
STB80PF55
s
s
s
s
STB80PF55
V
DSS
55 V
R
DS （ ON）
< 0.018
I
D
80 A
典型
DS
（上） = 0.016
DV dt能力EXCEPTIONAL /
100％的雪崩测试
面向应用
表征
3
1
描述
这是功率MOSFET的最新发展
STMicroelectronis独特"Single特征大小 "
条形基础的过程。由此产生的晶体管
显示了极高的堆积密度低导通
性，坚固耐用的雪崩特性和
不太重要的调整，因此步骤remark-
能够制造重复性。
应用
s
电机控制
s
DC-DC & DC- AC转换器
D
2
PAK
TO-263
（后缀“ T4 ” ）
加后缀“ T4 ” ，供订购在磁带& REEL
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
(*)
I
D
I
DM
()
P
合计
dv / dt的
(1)
E
AS （2）
T
英镑
T
j
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
单脉冲雪崩能量
储存温度
马克斯。工作结温
价值
55
55
± 16
80
57
320
300
2
7
1.4
-55至175
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
mJ
°C
()
脉冲宽度有限的安全工作区
（ * ）电流限制通过包装
注意：对于电压的P沟道MOSFET的实际极性和
电流具有被逆转
(1) I
SD
≤
40A ， di / dt的
≤
300A / μs的，V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX 。
（ 2 ）起始物为
j
= 25
o
C，我
D
= 80A ，V
DD
= 40V
2002年2月
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。详细信息如有变更，恕不另行通知。
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